P-Kanal-MOSFET-Einschaltenbedingungen

Die Einschalten von Bedingungen für aP-Kanal-MOSFET (PMOS)sind invers zu denen eines N-Kanal-MOSFET (NMOS), das hauptsächlich durch die Beziehung zwischen der Gate-Source-Spannung (VGS) und der Schwellenspannung (VTH) zusammen mit der Spannungspolarität bestimmt wird. Hier sind die wichtigsten Punkte:

1. Kernverstärkungsbedingungen

V_Gs= V_G–V_S(V_G= Gatespannung, v_S= Quellspannung).

Seit v_thFür PMOS ist typischerweise negativ (z. B. -1V, -2 V), die Gate -Spannung muss seinsignifikant niedrigerals die Quellspannung, um v zu erfüllen_Gs≤V_th.

Beispiel:
Wenn v_th= –2 V und v_S=+5v, dann: v_G–5 V ≤ - 2V⟹v_G≤+3V
Die PMOs schalten sich an, wenn v_GTropfen unter 3V.

2. Vergleich mit N-KanalMOSFET (NMOS)

3.. Wichtige praktische Überlegungen

Hochseitiger Umschalten:
PMOSwird üblicherweise in hochseitigen Schaltschaltkreisen verwendet (Quelle, die mit der Stromversorgung verbunden sind, auf die Last abtropfen). Eine niedrige Torspannung schaltet sie ein und erden Sie die Last. Beispiel:In batteriebetriebenen Schaltungen steuert PMOS die Stromversorgung der Last und vereinfacht die Steuerung der Logikebene.

Spannungspolarität und Antriebskreis:

PMOS benötigt aPulldown-Treiber(z. B. ein NPN -Transistor oder NMOs), um die Gate -Spannung unter der Quelle zu senken.

In der CMOS -Logik (z. B. Wechselrichter) zieht PMOs den Ausgang hoch und ergänzt NMOs, das niedrig zieht.

Körperdiodeneffekte:

PMOS hat eine innere Körperdiode von Quelle zum Abfluss. Wenn die Abflussspannung die Quellspannung überschreitet, leitet die Diode möglicherweise einen unbeabsichtigten Stromfluss.Designer müssen umgekehrte Spannungen vermeiden oder Schutzmaßnahmen hinzufügen.

4. Zusammenfassung