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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFI520GPBF | 1.6000 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI520GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 7.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | ||||
 | SIHD3N50DT1-GE3 | 0,3563 | | 8575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd3 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHD3N50DT1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 500 V | 3a (TC) | 10V | 3,2OHM @ 1,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 175 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | ||||
 | SI1471DH-T1-E3 | - - - | | 2677 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1471 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2.7a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 100mohm @ 2a, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 9,8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 445 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA), 2,78 W (TC) | ||||
| SUD23N06-31-GE3 | 0,9700 | | 1011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud23 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 21,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 5,7W (TA), 31,25W (TC) | |||||
 | SI4894BDY-T1-GE3 | 1.2900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4894 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 8.9a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 11Mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1580 PF @ 15 V | - - - | 1.4W (TA) | |||||
 | SQ2319ADS-T1_BE3 | 0,6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2319 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 4.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 620 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TC) | ||||||
 | SIHP30N60AEL-GE3 | - - - | | 6312 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 120MOHM @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 2565 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
| SQD23N06-31L_GE3 | 1.6600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD23 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 23a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 845 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | |||||
 | SQM90142E_GE3 | 2.9200 | | 2248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM90142 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 95a (TC) | 10V | 15.3mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 4200 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | ||||||
 | SIA419DJ-T1-GE3 | - - - | | 2404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA419 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5,9a, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 29 NC @ 5 V. | ± 5 V | 1500 PF @ 10 V. | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | ||||
 | SIE816DF-T1-E3 | - - - | | 2616 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie816 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 10V | 7.4mohm @ 19.8a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 3100 PF @ 30 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI3465DV-T1-GE3 | - - - | | 2979 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3465 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 80Mohm @ 4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5,5 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | ||||||
| SI2367DS-T1-GE3 | 0,4100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2367 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 66mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 23 NC @ 8 V | ± 8 v | 561 PF @ 10 V | - - - | 960 MW (TA), 1,7W (TC) | ||||
 | SI1330EDL-T1-GE3 | 0,5200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1330 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 240 mA (TA) | 3 V, 10V | 2,5 Ohm @ 250 mA, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 280 MW (TA) | |||||
 | IRF9630PBF | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9630 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF9630PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 6,5a (TC) | 10V | 800 MOHM @ 3,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
 | Sqs407enw-t1_ge3 | 1.0300 | | 1260 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS407 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.8mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 4572 PF @ 20 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||
 | IRFP150PBF | 4.2600 | | 6142 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP150 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP150PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 100 v | 41a (TC) | 10V | 55mohm @ 25a, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | ||||
 | Siz914dt-T1-GE3 | - - - | | 2269 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | SIZ914 | MOSFET (Metalloxid) | 22.7W, 100W | 8-Powerpair® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 16a, 40a | 6.4mohm @ 19a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 1208PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIJ4106DP-T1-GE3 | 1.6900 | | 1999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 15,8a (TA), 59a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8.3mohm @ 15a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 3610 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 69,4W (TC) | ||||||
 | Siz700DT-T1-GE3 | - - - | | 6812 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Siz700 | MOSFET (Metalloxid) | 2.36W, 2.8W | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 20V | 16a | 8.6mohm @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 35nc @ 10v | 1300PF @ 10V | - - - | |||||||
| IRFPF30PBF | 4.9000 | | 1859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPF30 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPF30PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3,7OHM @ 2,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||
| IRFP22N60KPBF | 8.1300 | | 5432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP22 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP22N60KPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 22a (TC) | 10V | 280mohm @ 13a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3570 PF @ 25 V. | - - - | 370W (TC) | ||||
 | SIR800DP-T1-RE3 | 0,7090 | | 8957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir800 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 50a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 2,3 MOHM @ 15a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 133 NC @ 10 V | ± 12 V | 5125 PF @ 10 V | - - - | 69W (TC) | ||||||
 | SIHG15N80AEF-GE3 | 3.0600 | | 525 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHG15N80AEF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 800 V | 13a (TC) | 10V | 350MOHM @ 6.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 30 v | 1128 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
 | IRFBC40Strr | - - - | | 5613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | |||||
 | SI8405DB-T1-E1 | - - - | | 9954 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8405 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3.6a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 55mohm @ 1a, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 21 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.47W (TA) | |||||
 | IRFD020PBF | 1.5900 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD020 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 50 v | 2.4a (TC) | 10V | 100mohm @ 1,4a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TC) | |||||
 | SIS478DN-T1-GE3 | - - - | | 2526 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS478 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 10.5 NC @ 10 V | ± 25 V | 398 PF @ 15 V | - - - | 15.6W (TC) | |||||
 | SIR180DP-T1-RE3 | 1,8000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir180 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 32,4a (TA), 60A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 2.05 MOHM @ 10a, 10 V | 3,6 V @ 250 ähm | 87 NC @ 10 V | ± 20 V | 4030 PF @ 30 V | - - - | 5.4W (TA), 83,3W (TC) | |||||
| IRFD110PBF | 1.6900 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD110 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFD110PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 100 v | 1a (ta) | 10V | 540MOHM @ 600 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) |
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Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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