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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3464DV-T1-GE3 | 0,6200 |  | 143 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3464 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 7,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 8 v | 1065 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA), 3,6 W (TC) | |||||
 | SUP85N03-3M6P-GE3 | - - - | | 8312 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 30 v | 85a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,6 MOHM @ 22A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 3535 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 78,1W (TC) | |||||
 | TP0202K-T1-E3 | - - - | | 9227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TP0202 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 385 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 1,4OHM @ 500 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1 nc @ 10 v | ± 20 V | 31 PF @ 15 V | - - - | 350 MW (TA) | ||||
 | IRFR9210 | - - - | | 2040 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 200 v | 1,9a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
 | SIR626LDP-T1-RE3 | 1,8000 | | 3581 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir626 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 45,6a (TA), 186a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,5 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 5900 PF @ 30 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SISS30DN-T1-GE3 | 1.1400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS30 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 15,9a (TA), 54,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8.25MOHM @ 10a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1666 PF @ 10 V. | - - - | 4,8W (TA), 57W (TC) | |||||
 | SQJ469EP-T1_GE3 | 2.9100 | | 2464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ469 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 80 v | 32a (TC) | 6 V, 10V | 25mo @ 10.2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 5100 PF @ 40 V | - - - | 100 W (TC) | |||||
 | SI1401EDH-T1-GE3 | 0,4100 | | 8266 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1401 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 34mohm @ 5,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 36 NC @ 8 V | ± 10 V | - - - | 1,6W (TA), 2,8 W (TC) | |||||
 | SIHA22N60E-E3 | 3.9000 | | 4436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha22 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1920 PF @ 100 V | - - - | 35W (TC) | |||||
| SI1442DH-T1-BE3 | 0,4500 | | 4936 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1442 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 4a (ta) | 20mohm @ 6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 33 NC @ 8 V | ± 8 v | 1010 PF @ 6 V | - - - | 1,56W (TA) | ||||||
| SQ2361ES-T1_GE3 | 0,6300 | | 7852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2361 | MOSFET (Metalloxid) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 2.8a (TC) | 10V | 177mohm @ 2,4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 550 PF @ 30 V | - - - | 2W (TC) | ||||||
 | SIHG24N80AEF-GE3 | 4.8700 | | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHG24N80AEF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 800 V | 20A (TC) | 10V | 195mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 30 v | 1889 PF @ 100 V | - - - | 208W (TC) | |||||
| SQP120N10-3M8_GE3 | - - - | | 5436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP120 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 10V | 3,8 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 7230 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SIA441DJ-T1-GE3 | 0,6900 | | 103 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA441 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 47mohm @ 4.4a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 890 PF @ 20 V | - - - | 19W (TC) | |||||
| SIR664DP-T1-GE3 | 1.1400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir664 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 6mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | 1750 PF @ 30 V | - - - | |||||||||
| SI3454ADV-T1-GE3 | - - - | | 2403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3454 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3.4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 60MOHM @ 4,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||
| SUP60N10-16L-E3 | - - - | | 9230 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 3820 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
 | SI1051X-T1-GE3 | - - - | | 2469 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1051 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 1.2a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 122mohm @ 1,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 9.45 NC @ 5 V | ± 5 V | 560 PF @ 4 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
| SI1553DL-T1-GE3 | - - - | | 7147 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1553 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 660 mA, 410 mA | 385mohm @ 660 mA, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 1,2nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI6963BDQ-T1-GE3 | - - - | | 6140 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6963 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3.4a | 45mohm @ 3,9a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI5443DC-T1-E3 | - - - | | 9334 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5443 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 65mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 14 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||
| SIHP33N60E-GE3 | 6.1200 | | 700 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP33 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHP33N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 99mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3508 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | ||||
 | SUD50P04-08-E3 | - - - | | 2195 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Sud50 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | SIHP25N50E-GE3 | 3.2100 | | 27 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP25 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2266-SIHP25N50E-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 26a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1980 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||
| IRFR320 | - - - | | 9221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR320 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR320 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1,8OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
| SI1488DH-T1-GE3 | - - - | | 6551 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1488 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6.1a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 49mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 10 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 530 PF @ 10 V. | - - - | 1,5 W (TA), 2,8 W (TC) | ||||
 | SIHD3N50D-BE3 | 0,9200 | | 1899 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | D | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd3 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHD3N50D-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 3a (TC) | 10V | 3,2OHM @ 1,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 175 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | |||||
| SIR5112DP-T1-RE3 | 1,8000 | | 7663 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir5112 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 12,6a (TA), 42,6a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 14,9 MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 790 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 56,8W (TC) | |||||
 | SQ4483Beey-T1_GE3 | 1.7500 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4483 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 22a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 113 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 7W (TC) | |||||||
| 2N4857JTXV02 | - - - | | 8900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4857 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - |
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