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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJ992EP-T2_GE3 | 0,9600 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ992 | MOSFET (Metalloxid) | 34W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 15a (TC) | 56.2mohm @ 3.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 446PF @ 30V | - - - | ||||||||
 | SI7370DP-T1-GE3 | 3.0700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7370 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 9,6a (TA) | 10V | 11Mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SI7655ADN-T1-GE3 | 0,9200 | | 42 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SI7655 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 40a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 3,6 MOHM @ 20A, 10V | 1,1 V @ 250 ähm | 225 NC @ 10 V | ± 12 V | 6600 PF @ 10 V. | - - - | 4,8W (TA), 57W (TC) | |||||
 | Sum90p10-19l-e3 | 4.5100 | | 9117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum90 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 326 NC @ 10 V | ± 20 V | 11100 PF @ 50 V | - - - | 13,6 W (TA), 375W (TC) | |||||
 | IRFP460 | - - - | | 5606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP460 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270 MOHM @ 12A, 10V | 4v @ 250 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 20 V | 4200 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | ||||
 | SI1970DH-T1-GE3 | - - - | | 7197 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1970 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1,2a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 3.8nc @ 10v | 95PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRF820PBF | 1.4200 | | 8810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF820PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | SIE822DF-T1-GE3 | 2.9400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (s) | Sie822 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (s) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,4 Mohm @ 18,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 4200 PF @ 10 V. | - - - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||
| IRFP350 | - - - | | 1850 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP350 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP350 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 400 V | 16a (TC) | 10V | 300mohm @ 9.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2600 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||
 | IRFBF30Strr | - - - | | 8102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBF30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3,7OHM @ 2,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
| IRF830APBF | 1.5700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF830APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 620 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
| SISS27ADN-T1-GE3 | 0,9400 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS27 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 55 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 4660 PF @ 15 V | - - - | 57W (TC) | |||||
| SIR165DP-T1-GE3 | 1.6400 | | 764 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir165 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 138 NC @ 10 V | ± 20 V | 4930 PF @ 15 V | - - - | 69,4W (TC) | |||||
 | IRFR9214 | - - - | | 9365 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9214 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR9214 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 220 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||
| IRF840ASTRL | - - - | | 4537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 30 v | 1018 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI2371EDS-T1-GE3 | 0,4300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2371 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4.8a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 45mohm @ 3.7a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 12 V | - - - | 1W (TA), 1,7W (TC) | |||||
| IRF9Z14S | - - - | | 5548 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irf9z14s | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||
 | SQD90P04_9M4LT4GE3 | 0,6985 | | 4113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD90 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD90P04_9M4LT4GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9.4mohm @ 17a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 6675 PF @ 20 V | - - - | 136W (TC) | ||||
| IRL630STRLPBF | 1.5619 | | 2476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 10 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
| SIE836DF-T1-GE3 | - - - | | 9202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (SH) | Sie836 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (SH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 18,3a (TC) | 10V | 130MOHM @ 4.1a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 30 v | 1200 PF @ 100 V | - - - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
| IRFB9N65APBF | 2.8500 | | 956 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFB9N65APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 8.5a (TC) | 10V | 930mohm @ 5.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 30 v | 1417 PF @ 25 V. | - - - | 167W (TC) | ||||
 | IRFD224 | - - - | | 1112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD224 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRFD224 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 250 V | 630 Ma (TA) | 10V | 1,1OHM @ 380 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | ||||
 | SQM120N06-3M5L_GE3 | 4.2600 | | 4672 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 29A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 330 NC @ 10 V | ± 20 V | 14700 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SI1070x-T1-GE3 | 0,5100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1070 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1.2a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 99mohm @ 1,2a, 4,5 V. | 1,55 V @ 250 ähm | 8.3 NC @ 5 V. | ± 12 V | 385 PF @ 15 V | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | SI7949DP-T1-GE3 | 1.6400 | | 9164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7949 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 3.2a | 64mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SQ4917EY-T1_GE3 | 1.8400 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4917 | MOSFET (Metalloxid) | 5W (TC) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 8a (TC) | 48mohm @ 4.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 65nc @ 10v | 1910pf @ 30v | - - - | |||||||
| SUM120N04-1M7L-GE3 | - - - | | 2688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 285 NC @ 10 V | ± 20 V | 11685 PF @ 20 V | - - - | 375W (TC) | |||||
| SI7476DP-T1-E3 | - - - | | 9619 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7476 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.3mohm @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 177 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
 | IRFI9530G | - - - | | 3483 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFI9530G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 300mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 860 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||
 | IRFBC40LCL | - - - | | 4227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRFBC40LCL | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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