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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHG155N60EF-GE3 | 4.5500 |  | 7320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG155 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHG155N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 149mohm @ 2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1465 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||
 | SUP90220E-GE3 | 2.6800 | | 2337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup90220 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 200 v | 64a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 1950 PF @ 100 v | - - - | 230W (TC) | ||||||
 | SI7370DP-T1-E3 | 2.4500 | | 62 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7370 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 9,6a (TA) | 6 V, 10V | 11Mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| SI7682DP-T1-GE3 | - - - | | 6851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7682 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1595 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 27,5 W (TC) | ||||
 | SI4892DY-T1-GE3 | - - - | | 5443 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4892 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 8.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 12.4a, 10V | 800 MV @ 250 um (min) | 10.5 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||
 | Irfi820g | - - - | | 1818 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI820 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *Irfi820g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 2.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | ||||
 | SI4946CDY-T1-GE3 | 0,9600 | | 9283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4946 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA), 2,8 W (TC) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5.2a (TA), 6.1a (TC) | 40,9mohm @ 5.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10nc @ 10v | 350pf @ 30v | - - - | |||||||
 | IRFR120TRPBF | 1.5800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | Irfz34strr | - - - | | 7393 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz34 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10V | 4v @ 250 ähm | 46 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
| SIHB12N50E-GE3 | 2.3900 | | 5146 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB12 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 10.5a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 30 v | 886 PF @ 100 V | - - - | 114W (TC) | |||||
| SI4620DY-T1-GE3 | - - - | | 7058 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4620 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 6a (ta), 7,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 1040 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | SI2351D-T1-E3 | - - - | | 3221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2351 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.8a (TC) | 115mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 5.1 NC @ 5 V | 250 PF @ 10 V | - - - | ||||||||
 | SIHF8N50D-E3 | 1.6600 | | 1678 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF8 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 8.7a (TC) | 10V | 850Mohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 527 PF @ 100 V | - - - | 33W (TC) | |||||
 | IRFU9210PBF | 1.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9210 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU9210PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 1,9a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
| SI7738DP-T1-E3 | 3.1700 | | 8509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7738 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 30a (TC) | 10V | 38mohm @ 7.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 75 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||
| SIR846BDP-T1-RE3 | 1.6600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir846 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 16,1a (TA), 65,8 (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2440 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 83,3W (TC) | |||||
| SI2325D-T1-GE3 | 1.0000 | | 2399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2325 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 150 v | 530 Ma (TA) | 6 V, 10V | 1,2OHM @ 500 mA, 10 V. | 4,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 510 PF @ 25 V. | - - - | 750 MW (TA) | ||||
| IRFIB8N50KPBF | - - - | | 7931 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfib8 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFIB8N50KPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 6.7a (TC) | 10V | 350Mohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 89 NC @ 10 V | ± 30 v | 2160 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | |||
 | SI5475DC-T1-GE3 | - - - | | 3540 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5475 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5.5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 31mohm @ 5,5a, 4,5 V. | 450 mV @ 1ma (min) | 29 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SIHB8N50D-GE3 | 0,7765 | | 3374 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB8 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 8.7a (TC) | 10V | 850Mohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 527 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
 | IRF610L | - - - | | 6405 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irf610 | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF610L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 3.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 36W (TC) | |||
 | SQ3985ev-T1_BE3 | 0,6900 | | 3146 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3985 | MOSFET (Metalloxid) | 3W (TC) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sq3985ev-t1_be3ct | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3.9a (TC) | 145mohm @ 2,8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 4.6nc @ 10v | 350pf @ 10v | - - - | |||||||
 | SI8812DB-T2-E1 | 0,4300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-uFbga | SI8812 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2.3a (TA) | 1,2 V, 4,5 V. | 59mohm @ 1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 17 NC @ 8 V | ± 5 V | - - - | 500 MW (TA) | |||||
| SIHF16N50C-E3 | 3.4104 | | 4716 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF16 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 380Mohm @ 8a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 38W (TC) | |||||
| IRFR9220TRRPBF | 1.0490 | | 6008 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 340 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| SI4638DY-T1-E3 | - - - | | 5053 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4638 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 22,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,7 V @ 1ma | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 4190 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 5,9W (TC) | |||||
 | SUM40N15-38-E3 | - - - | | 2587 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum40 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 40a (TC) | 6 V, 10V | 38mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2500 PF @ 25 V | - - - | 3,75W (TA), 166W (TC) | |||||
| IRF710Strl | - - - | | 7749 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF710 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1,2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||
| SI9933CDY-T1-GE3 | 0,6300 | | 7707 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9933 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4a | 58mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 665PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||
| SI4490DY-T1-GE3 | 2.2000 | | 252 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4490 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 2.85a (TA) | 6 V, 10V | 80Mohm @ 4a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,56W (TA) |
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