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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFBC30S | - - - |  | 9367 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBC30S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 660 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | SI1441EDH-T1-GE3 | 0,5300 | | 9255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1441 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 41mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 33 NC @ 8 V | ± 10 V | - - - | 2,8 W (TC) | |||||
 | SI4972DY-T1-GE3 | - - - | | 6328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4972 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W, 2.5W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 10.8a, 7.2a | 14,5 MOHM @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 28nc @ 10v | 1080PF @ 15V | - - - | ||||||
 | SIHF080N60E-GE3 | 4.3600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHF080N60E-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 14a (TC) | 10V | 80Mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 2557 PF @ 100 V | - - - | 35W (TC) | |||||
 | SI3447CDV-T1-GE3 | - - - | | 8328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3447 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 7.8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 36mohm @ 6,3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 30 NC @ 8 V | ± 8 v | 910 PF @ 6 V | - - - | 2W (TA), 3W (TC) | |||||
 | SIHH11N65EF-T1-GE3 | 4.3300 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Sihh11 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 382mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 30 v | 1243 PF @ 100 V | - - - | 130W (TC) | |||||
| SI3493DV-T1-GE3 | - - - | | 1209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 32 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.1W (TA) | |||||
 | SIE812DF-T1-GE3 | 3.4500 | | 275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie812 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,6 MOHM @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 170 nc @ 10 v | ± 20 V | 8300 PF @ 20 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SI1067X-T1-E3 | - - - | | 8037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1067 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1.06a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 150 MOHM @ 1,06A, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 9.3 NC @ 5 V. | ± 8 v | 375 PF @ 10 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | SISHA04DN-T1-GE3 | 0,9500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | Sisha04 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 30,9a (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,15 MOHM @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3595 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
| SI4447ADY-T1-GE3 | 0,5900 | | 6834 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4447 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 7.2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 970 PF @ 20 V | - - - | 4.2W (TC) | |||||
 | SIA443DJ-T1-E3 | - - - | | 9880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA443 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 45mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 25 NC @ 8 V | ± 8 v | 750 PF @ 10 V | - - - | 3.3W (TA), 15W (TC) | ||||
 | SISS23DN-T1-GE3 | 0,8600 | | 9786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS23 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 50a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 4,5 MOHM @ 20A, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 300 NC @ 10 V. | ± 8 v | 8840 PF @ 15 V | - - - | 4,8W (TA), 57W (TC) | |||||
| SI4330DY-T1-E3 | - - - | | 4591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4330 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6.6a | 16,5 MOHM @ 8,7A, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SUD50N06-07L-GE3 | - - - | | 2117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 96a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.4mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 144 NC @ 10 V | ± 20 V | 5800 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | ||||
 | SI7115DN-T1-GE3 | 2.0800 | | 239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7115 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 150 v | 8.9a (TC) | 6 V, 10V | 295Mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1190 PF @ 50 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SUG90090E-GE3 | 4.3900 | | 3066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Sug90090 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 200 v | 100a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 129 NC @ 10 V | ± 20 V | 5220 PF @ 100 V | - - - | 395W (TC) | |||||
 | IRFD9210PBF | 1.7000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9210 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 200 v | 400 mA (TA) | 10V | 3OHM @ 240 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||||
 | SI5904DC-T1-GE3 | - - - | | 3989 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5904 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 3.1a | 75mohm @ 3,1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 6nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SIHG80N60EF-GE3 | 15.6300 | | 5422 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG80 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 80A (TC) | 10V | 32mohm @ 40a, 10V | 4v @ 250 ähm | 400 nc @ 10 v | ± 30 v | 6600 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
| SI7102DN-T1-GE3 | - - - | | 4332 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7102 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 35a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,8 MOHM @ 15a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 110 nc @ 8 v | ± 8 v | 3720 PF @ 6 V. | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
| SI5499DC-T1-GE3 | - - - | | 3336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5499 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 6a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 36mohm @ 5.1a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 35 nc @ 8 v | ± 5 V | 1290 PF @ 4 V. | - - - | 2,5 W (TA), 6,2 W (TC) | ||||
 | SI7792DP-T1-GE3 | - - - | | 6050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7792 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40,6a (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,1 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 4735 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | Irfibe30GPBF | 2.8200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfibe30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *Irfibe30gpbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 2.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | ||||
| SIHG17N60D-E3 | 2.4665 | | 3025 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG17 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 17a (TC) | 10V | 340Mohm @ 8a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 30 v | 1780 PF @ 100 V | - - - | 277,8W (TC) | |||||
| SIAA02DJ-T1-GE3 | 0,6000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIAA02 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIAA02DJ-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 22A (TA), 52A (TC) | 2,5 V, 10 V. | 4,7mohm @ 8a, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | +12 V, -8 V | 1250 PF @ 10 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SIHP24N65E-E3 | 5.7000 | | 9372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP24 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHP24N65EEEE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2740 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||
 | SQJ992EP-T2_GE3 | 0,9600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ992 | MOSFET (Metalloxid) | 34W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 15a (TC) | 56.2mohm @ 3.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 446PF @ 30V | - - - | ||||||||
| SI7370DP-T1-GE3 | 3.0700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7370 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 9,6a (TA) | 10V | 11Mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| SI7655ADN-T1-GE3 | 0,9200 | | 42 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SI7655 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 40a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 3,6 MOHM @ 20A, 10V | 1,1 V @ 250 ähm | 225 NC @ 10 V | ± 12 V | 6600 PF @ 10 V. | - - - | 4,8W (TA), 57W (TC) |
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