- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1012X-T1-E3 | - - - |  | 4468 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | SI1012 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 500 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 700 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 0,75 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | - - - | 250 MW (TA) | |||||
 | SI7446BDP-T1-GE3 | - - - | | 5319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7446 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 19A, 10V | 3v @ 250 ähm | 33 NC @ 5 V. | ± 20 V | 3076 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||
 | Sum90n08-4m8p-e3 | - - - | | 4336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum90 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 75 V | 90a (TC) | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | 6460 PF @ 40 V | - - - | ||||||||
 | SIJ128LDP-T1-GE3 | 1.6200 | | 8759 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ128 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 10.2a (TA), 25,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15,6 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1250 PF @ 40 V | - - - | 3,6 W (TA), 22,3W (TC) | |||||
 | SI1073X-T1-GE3 | - - - | | 7601 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1073 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 980 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 173mohm @ 980 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 9.45 NC @ 10 V | ± 20 V | 265 PF @ 15 V | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | Sira54ADP-T1-RE3 | 1.9300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira54 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 36,2a (TA), 128a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 Mohm @ 15a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | +20V, -16v | 3850 PF @ 20 V | - - - | 5.2W (TA), 65,7W (TC) | ||||||
 | SI4666DY-T1-GE3 | - - - | | 7257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4666 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 16,5a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 10mohm @ 10a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 12 V | 1145 PF @ 10 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SUD50N02-06P-E3 | - - - | | 4639 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 20 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2550 PF @ 10 V | - - - | 6,8W (TA), 65W (TC) | |||||
| SI9936BDY-T1-GE3 | - - - | | 1375 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9936 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4,5a | 35mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHP38N60E-GE3 | 6.6100 | | 987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP38 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 43a (TC) | 10V | 65mohm @ 19a, 10V | 4v @ 250 ähm | 183 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3600 PF @ 100 V | - - - | 313W (TC) | |||||
 | SI7445DP-T1-E3 | - - - | | 4828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7445 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 12a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 7,7 MOHM @ 19A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 140 nc @ 5 v | ± 8 v | - - - | 1,9W (TA) | |||||
 | SQJB02ELP-T1_GE3 | 1.0900 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB02 | MOSFET (Metalloxid) | 27W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 30a (TC) | 7,5 MOHM @ 6a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 32nc @ 10v | 1700pf @ 20V | - - - | |||||||
| SI4634DY-T1-E3 | 1.7700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4634 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 24,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.2mohm @ 15a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3150 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
 | SI7964DP-T1-E3 | - - - | | 3245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7964 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6.1a | 23mohm @ 9.6a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 65nc @ 10v | - - - | - - - | ||||||
 | SIS780DN-T1-GE3 | 0,6800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sis780 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 24,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 722 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 27.7W (TC) | ||||||
 | SI2329DS-T1-GE3 | 0,5900 | | 6689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2329 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 6a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5,3a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 29 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | 1485 PF @ 4 V. | - - - | 2,5 W (TC) | ||||
 | SIE818DF-T1-E3 | 3.9800 | | 5543 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie818 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 16A, 10V | 3v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3200 PF @ 38 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SI5475BDC-T1-GE3 | - - - | | 6911 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5475 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 28mohm @ 5,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 40 nc @ 8 v | ± 8 v | 1400 PF @ 6 V | - - - | 2,5 W (TA), 6,3 W (TC) | ||||
| 2N7002-T1-E3 | 0,6500 | | 404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | To-236 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 115 Ma (TA) | 5v, 10V | 7.5OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 200 MW (TA) | |||||
| SQ2319ADS-T1_GE3 | 0,6900 | | 3532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2319 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 4.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 620 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TC) | |||||
| SI4539ADY-T1-E3 | - - - | | 8006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4539 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 4,4a, 3,7a | 36mohm @ 5.9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SUD50P10-43L-BE3 | 2.6500 | | 4455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-Sud50p10-43L-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 9,2a (TA), 37,1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 43mohm @ 9.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 8.3W (TA), 136W (TC) | |||||
| SI4477DY-T1-GE3 | 1.4600 | | 9032 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4477 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 26,6a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 6,2 Mohm @ 18a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 12 V | 4600 PF @ 10 V. | - - - | 3W (TA), 6,6 W (TC) | |||||
 | SQJ423EP-T1_BE3 | 1.1200 | | 2420 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ423EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 55a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 4500 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||
| SQ4080EY-T1_BE3 | 1.3300 | | 6462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 18a (TC) | 10V | 85mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1590 PF @ 75 V | - - - | 7.1W (TC) | |||||||
 | Siz240DT-T1-GE3 | 1.3100 | | 2831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz240 | MOSFET (Metalloxid) | 4,3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-Siz240DT-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 17,2a (TA), 48A (TC), 16,9a (TA), 47A (TC) | 8.05MOHM @ 10a, 10 V, 8.41MOHM @ 10A, 10 V. | 2,4 V @ 250 ähm | 23nc @ 10v, 22nc @ 10v | 1180pf @ 20V, 1070pf @ 20V | - - - | ||||||
| SI4900DY-T1-E3 | 1.2500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4900 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5.3a | 58mohm @ 4,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 665PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHG065N60E-GE3 | 7.3900 | | 639 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG065 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 40a (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 74 NC @ 10 V | ± 30 v | 2700 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
| SI7848BDP-T1-GE3 | 1.7500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7848 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 47a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 16a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 2000 PF @ 20 V | - - - | 4.2W (TA), 36W (TC) | |||||
 | IRF9640PBF-BE3 | 2.0400 | | 674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9640 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF9640PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)