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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR120TRRPBF-BE3 | 1.5900 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFR120TRRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 270 MOHM @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||||
 | SI5406DC-T1-GE3 | - - - | | 7272 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5406 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 6.9a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 20mohm @ 6,9a, 4,5 V. | 600 MV @ 1,2 Ma (min) | 20 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SISS78LDN-T1-GE3 | 1.3300 | | 8064 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISS78 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SISS78LDN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 70 V | 19,4a (TA), 66,7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 10a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 2280 PF @ 35 V | - - - | 4,8W (TA), 57W (TC) | ||||
 | SI5856DC-T1-E3 | - - - | | 8787 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5856 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4,4a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 40mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7,5 NC @ 4,5 V | ± 8 v | Schottky Diode (Isolier) | 1.1W (TA) | |||||
 | SI5857DU-T1-E3 | - - - | | 1356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5857 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 58mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 12 V | 480 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 2,3 W (TA), 10,4W (TC) | ||||
 | SIHG61N65EF-GE3 | 9.2872 | | 5411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG61 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 650 V | 64a (TC) | 10V | 47mohm @ 30.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 371 NC @ 10 V. | ± 30 v | 7407 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
 | SI7948DP-T1-GE3 | - - - | | 9942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7948 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 3a | 75mohm @ 4,6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI5446DU-T1-GE3 | - - - | | 8368 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5446 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet Single | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 25a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.4mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | +20V, -16v | 1610 PF @ 15 V | - - - | 31W (TC) | ||||||
 | 2N6660JTX02 | - - - | | 3876 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6660 | MOSFET (Metalloxid) | To-205ad (to-39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 60 v | 990 Ma (TC) | 5v, 10V | 3OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
| SUD42N03-3M9P-GE3 | - - - | | 1701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud42 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 42a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,9 MOHM @ 22A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 3535 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 73,5W (TC) | ||||
 | SI7629DN-T1-GE3 | 1.1100 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7629 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 20a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 177 NC @ 10 V | ± 12 V | 5790 PF @ 10 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SQJ956EP-T1_GE3 | 1.1100 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ956 | MOSFET (Metalloxid) | 34W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 23a (TC) | 26,7 MOHM @ 5,2a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v | 1395PF @ 30V | - - - | ||||||||
 | Sidr626ep-t1-re3 | 3.3300 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 50,8a (TA), 227a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 1,74 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 102 NC @ 10 V | ± 20 V | 5130 PF @ 30 V | - - - | 7,5 W (TA), 150 W (TC) | ||||||
 | IRLR024TRLPBF | 0,7683 | | 2304 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 4V, 5V | 100MOHM @ 8.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SIE848DF-T1-E3 | - - - | | 1766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie848 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,6 MOHM @ 25a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 138 NC @ 10 V | ± 20 V | 6100 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI4103DY-T1-GE3 | 0,7700 | | 9169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4103 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 14a (ta), 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,9 MOHM @ 10a, 10V | 2v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 5200 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,2W (TC) | |||||
 | SI4866DY-T1-GE3 | 2.2000 | | 7703 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4866 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 12 v | 11a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 5,5 MOHM @ 17A, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 30 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
 | SQ2308CE-T1_BE3 | 0,6700 | | 103 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2308 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-SQ2308CE-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 2.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 150 MOHM @ 2,3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 5.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 205 PF @ 30 V | - - - | 2W (TC) | |||||
| IRFPC60LCPBF | 6.6100 | | 246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPC60 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPC60LCPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 400mohm @ 9.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 3500 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | ||||
 | SIS903DN-T1-GE3 | 0,9800 | | 2476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | Sis903 | MOSFET (Metalloxid) | 2,6 W (TA), 23 W (TC) | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 6a (TC) | 20.1MOHM @ 5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 42nc @ 10v | 2565PF @ 10V | - - - | |||||||
 | SQ3461EV-T1_GE3 | 0,8000 | | 9719 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3461 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 25mo @ 7,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 28 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 2000 PF @ 6 V | - - - | 5W (TC) | |||||
| SUD50P06-15-GE3 | 2.6600 | | 2101 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 17a, 10V | 3v @ 250 ähm | 165 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4950 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 113W (TC) | |||||
| SUD50N04-37P-T4-E3 | - - - | | 3712 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 5.4a (TA), 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 37mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 640 PF @ 20 V | - - - | 2W (TA), 10,8W (TC) | ||||
 | SIHH085N60EF-T1GE3 | 7.1300 | | 6479 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH085 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHH085N60EF-T1GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 85mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 2733 PF @ 100 V | - - - | 184W (TC) | ||||
 | SI1431DH-T1-E3 | - - - | | 6464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1431 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 200mohm @ 2a, 10V | 3 V @ 100 µA | 4 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 950 MW (TA) | |||||
 | SUM110N04-2M1P-E3 | - - - | | 6360 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 29a (TA), 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,1 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 360 nc @ 10 v | ± 20 V | 18800 PF @ 20 V | - - - | 3.13W (TA), 312W (TC) | |||||
 | SIR4604LDP-T1-GE3 | 1.4300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir4604 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15,6a (TA), 51a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8,9mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 28 NC @ 10 V | ± 20 V | 1180 PF @ 30 V | - - - | 3,9W (TA), 41,6 W (TC) | |||||
 | Irlz44strr | - - - | | 4563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ44 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5v | 2v @ 250 ähm | 66 NC @ 5 V. | ± 10 V | 3300 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SIHA24N80AE-GE3 | 3.4600 | | 794 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha24 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHA24N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 9a (TC) | 184mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 89 NC @ 10 V | ± 30 v | 1836 PF @ 100 V. | - - - | 35W (TC) | ||||||
 | SQJ154EP-T1_GE3 | 1.1700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ154 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 243a (TC) | 10V | 2,5 MOHM @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 20 V | 3620 PF @ 25 V. | - - - | 214W (TC) |
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