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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR110 | - - - |  | 9160 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR110 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540MOHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
 | IRF840Strl | - - - | | 4531 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| IRFZ46L | - - - | | 2315 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz46 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *Irfz46l | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 50 v | 50a (TC) | 10V | 24MOHM @ 32A, 10V | 4v @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 20 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SIHP065N60E-GE3 | 7.2600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP065 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 40a (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 98 NC @ 10 V. | ± 30 v | 2700 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | IRFR214TRPBF-BE3 | 0,6159 | | 9943 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 742-IRFR214TRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||||
 | SI2318D-T1-E3 | 0,5300 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2318 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 3,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 540 PF @ 20 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | SI4825DY-T1-E3 | - - - | | 1718 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4825 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 8.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 11.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 71 NC @ 10 V | ± 25 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SUP50010E-GE3 | 3.3600 | | 297 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP50010 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 150a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 2mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 212 NC @ 10 V | ± 20 V | 10895 PF @ 30 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | IRFBF20 | - - - | | 8071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFBF20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBF20 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 54W (TC) | |||
 | IRLD110 | - - - | | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRLD110 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRLD110 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 1a (ta) | 4V, 5V | 540MOHM @ 600 mA, 5V | 2v @ 250 ähm | 6.1 NC @ 5 V | ± 10 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | |||
| SIHD14N60ET4-GE3 | 2.3200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 30 v | 1205 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | |||||||
 | SI3493BDV-T1-GE3 | 0,9600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 27,5 MOHM @ 7A, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 43,5 NC @ 5 V. | ± 8 v | 1805 PF @ 10 V. | - - - | 2.08W (TA), 2.97W (TC) | |||||
 | SI1079X-T1-GE3 | 0,4700 | | 6010 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1079 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1.44a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 100MOHM @ 1,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 12 V | 750 PF @ 15 V | - - - | 330 MW (TA) | |||||
 | SI7904BDN-T1-GE3 | 1.3200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7904 | MOSFET (Metalloxid) | 17.8W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 6a | 30mohm @ 7.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 24nc @ 8v | 860PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SISS5108DN-T1-GE3 | 1.8100 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS5108 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 15,4a (TA), 55,9a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 10.5mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 1150 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||||
 | SIJ462DP-T1-GE3 | 1,5000 | | 6327 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ462 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 46,5a (TC) | 8mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | 1400 PF @ 30 V | - - - | |||||||||
| IRFB17N60KPBF | - - - | | 6557 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB17 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFB17N60KPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 17a (TC) | 10V | 420Mohm @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 99 NC @ 10 V | ± 30 v | 2700 PF @ 25 V. | - - - | 340W (TC) | |||
| SI3805DV-T1-E3 | - - - | | 3285 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3805 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.3a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 84mohm @ 3a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 12 V | 330 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,1W (TA), 1,4W (TC) | |||||
| SQM200N04-1M8_GE3 | 1.8981 | | 1150 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | SQM200 | MOSFET (Metalloxid) | To-263-7 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 200a (TC) | 10V | 1,8 MOHM @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 310 nc @ 10 v | ± 20 V | 17350 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | ||||||
| IRFBC30AStrrpBF | - - - | | 4896 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4,5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 510 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
| SI4812BDY-T1-E3 | - - - | | 7036 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4812 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 7.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 9.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1.4W (TA) | ||||||
 | SUD25N15-52-E3 | 2.5100 | | 93 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud25 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 150 v | 25a (TC) | 6 V, 10V | 52mohm @ 5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1725 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | SIHFBC40AS-GE3 | 1.7700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFBC40AS-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1036 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||
 | SI7888DP-T1-GE3 | - - - | | 2937 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7888 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9,4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 12.4a, 10V | 2v @ 250 ähm | 10.5 NC @ 5 V. | ± 12 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||
| SUD45P03-15-E3 | - - - | | 5830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud45 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 13a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 125 NC @ 10 V | ± 20 V | 3200 PF @ 25 V. | - - - | 4W (TA), 70W (TC) | ||||
| SI2303BDS-T1-GE3 | - - - | | 9005 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1.49a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 200mohm @ 1,7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 180 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||
 | SIHG15N80AEF-GE3 | 3.0600 | | 525 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHG15N80AEF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 800 V | 13a (TC) | 10V | 350MOHM @ 6.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 30 v | 1128 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
 | SIS478DN-T1-GE3 | - - - | | 2526 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS478 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 10.5 NC @ 10 V | ± 25 V | 398 PF @ 15 V | - - - | 15.6W (TC) | |||||
| SI7818DN-T1-E3 | 1.6600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7818 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 2.2a (TA) | 6 V, 10V | 135mohm @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| IRLZ44SPBF | 3.0600 | | 945 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ44 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5v | 2v @ 250 ähm | 66 NC @ 5 V. | ± 10 V | 3300 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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