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Diskrete Halbleiterprodukte(5717)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIR826ADP-T1-GE3 | 2.5400 |  | 9717 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SIR826 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 V | 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 5,5 mOhm bei 20 A, 10 V | 2,8 V bei 250 µA | 86 nC bei 10 V | ±20V | 2800 pF bei 40 V | - | 6,25 W (Ta), 104 W (Tc) | |||||
 | SI4154DY-T1-GE3 | 1.4900 | | 9625 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4154 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 V | 36A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,3 mOhm bei 15 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 105 nC bei 10 V | ±20V | 4230 pF bei 20 V | - | 3,5 W (Ta), 7,8 W (Tc) | |||||
 | SIDR5802EP-T1-RE3 | 2.8700 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen V | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SIDR5802 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8DC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 V | 34,2A (Ta), 153A (Tc) | 7,5 V, 10 V | 2,9 mOhm bei 20 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 60 nC bei 10 V | ±20V | 3020 pF bei 40 V | - | 7,5 W (Ta), 150 W (Tc) | |||||
 | SIS434DN-T1-GE3 | 0,9700 | | 20 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8 | SIS434 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 V | 35A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 7,6 mOhm bei 16,2 A, 10 V | 2,2 V bei 250 µA | 40 nC bei 10 V | ±20V | 1530 pF bei 20 V | - | 3,8 W (Ta), 52 W (Tc) | |||||
 | SQJ142ELP-T1_GE3 | 1.1600 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SQJ142 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | - | 1 (Unbegrenzt) | 742-SQJ142ELP-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 V | 175A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,8 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,2 V bei 250 µA | 55 nC bei 10 V | ±20V | 3015 pF bei 25 V | - | 190 W (Tc) | |||||
 | IRFBC40APBF-BE3 | 2.4900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-IRFBC40APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 6,2A (Tc) | 1,2 Ohm bei 3,7 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 42 nC bei 10 V | ±30V | 1036 pF bei 25 V | - | 125 W (Tc) | ||||||
| SQ4850CEY-T1_GE3 | 1.0500 | | 8013 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-SQ4850CEY-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 V | 12A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 22 mOhm bei 6 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 34 nC bei 10 V | ±20V | 1375 pF bei 25 V | - | 6,8 W (Tc) | ||||||
| SI9945BDY-T1-GE3 | 0,8800 | | 4976 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI9945 | MOSFET (Metalloxid) | 3,1 W | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) | 60V | 5,3A | 58 mOhm bei 4,3 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 20 nC bei 10 V | 665pF bei 15V | Logikpegel-Gate | |||||||
 | SQA405EJ-T1_GE3 | 0,6300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SC-70-6 | SQA405 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SC-70-6 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 V | 10A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 35 mOhm bei 5 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 33 nC bei 10 V | ±20V | 1815 pF bei 25 V | - | 13,6 W (Tc) | |||||
| SIS334DN-T1-GE3 | - | | 4068 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8 | SIS334 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 20A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 11,3 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,4 V bei 250 µA | 18 nC bei 10 V | ±20V | 640 pF bei 15 V | - | 3,8 W (Ta), 50 W (Tc) | ||||
 | SI1917EDH-T1-E3 | - | | 9386 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1917 | MOSFET (Metalloxid) | 570 mW | SC-70-6 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 P-Kanal (Dual) | 12V | 1A | 370 mOhm bei 1 A, 4,5 V | 450 mV bei 100 µA (min.) | 2 nC bei 4,5 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||
 | IRFB9N60APBF | 3.0800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | IRFB9N60 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | *IRFB9N60APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 9,2A (Tc) | 10V | 750 mOhm bei 5,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 49 nC bei 10 V | ±30V | 1400 pF bei 25 V | - | 170 W (Tc) | ||||
 | SIHK125N60E-T1-GE3 | 5.2300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerBSFN | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK®10 x 12 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 21A (Tc) | 10V | 125 mOhm bei 12 A, 10 V | 5 V bei 250 µA | 44 nC bei 10 V | ±30V | 1811 pF bei 100 V | - | 132W (Tc) | ||||||
| SIA426DJ-T1-GE3 | - | | 1651 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SC-70-6 | SIA426 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SC-70-6 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 V | 4,5 A (Tc) | 2,5 V, 10 V | 23,6 mOhm bei 9,9 A, 10 V | 1,5 V bei 250 µA | 27 nC bei 10 V | ±12V | 1020 pF bei 10 V | - | 3,5 W (Ta), 19 W (Tc) | |||||
| SQJ459EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 1721 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SQJ459 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 V | 52A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 18 mOhm bei 3,5 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 108 nC bei 10 V | ±20V | 4586 pF bei 30 V | - | 83W (Tc) | |||||
 | SIHD9N60E-GE3 | 1.9500 | | 9189 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SIHD9 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252AA | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 9A (Tc) | 10V | 368 mOhm bei 4,5 A, 10 V | 4,5 V bei 250 µA | 52 nC bei 10 V | ±30V | 778 pF bei 100 V | - | 78W (Tc) | |||||
 | IRF730SPBF | 1.1708 | | 4448 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | IRF730 | MOSFET (Metalloxid) | D²PAK (TO-263) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | *IRF730SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 5,5 A (Tc) | 10V | 1 Ohm bei 3,3 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 38 nC bei 10 V | ±20V | 700 pF bei 25 V | - | 3,1 W (Ta), 74 W (Tc) | ||||
 | SI8425DB-T1-E1 | 0,5900 | | 1239 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-UFBGA, WLCSP | SI8425 | MOSFET (Metalloxid) | 4-WLCSP (1,6x1,6) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 5,9 A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 23 mOhm bei 2 A, 4,5 V | 900 mV bei 250 µA | 110 nC bei 10 V | ±10V | 2800 pF bei 10 V | - | 1,1 W (Ta), 2,7 W (Tc) | ||||
| SI4913DY-T1-GE3 | - | | 3943 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4913 | MOSFET (Metalloxid) | 1,1 W | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 P-Kanal (Dual) | 20V | 7.1A | 15 mOhm bei 9,4 A, 4,5 V | 1 V bei 500 µA | 65 nC bei 4,5 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||
 | SIHFRC20TR-GE3 | 0,9400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252AA | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-SIHFRC20TR-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 2A (Tc) | 10V | 4,4 Ohm bei 1,2 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 18 nC bei 10 V | ±20V | 350 pF bei 25 V | - | 2,5 W (Ta), 42 W (Tc) | ||||||
 | SIHA6N80E-GE3 | 2.5100 | | 6318 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | SIHA6 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 Komplettpaket | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 5,4A (Tc) | 10V | 940 mOhm bei 3 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 44 nC bei 10 V | ±30V | 827 pF bei 100 V | - | 31W (Tc) | |||||
| SIR638ADP-T1-RE3 | 1.8000 | | 139 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SIR638 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 V | 100A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 0,88 mOhm bei 20 A, 10 V | 2,3 V bei 250 µA | 165 nC bei 10 V | +20V, -16V | 9100 pF bei 100 V | - | 104W (Tc) | |||||
 | IRFD9220PBF | 2.7600 | | 2009 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | IRFD9220 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | P-Kanal | 200 V | 560mA (Ta) | 10V | 1,5 Ohm bei 340 mA, 10 V | 4 V bei 250 µA | 15 nC bei 10 V | ±20V | 340 pF bei 25 V | - | 1W (Ta) | |||||
 | SI1012R-T1-GE3 | 0,4500 | | 214 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-75, SOT-416 | SI1012 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 V | 500mA (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 700 mOhm bei 600 mA, 4,5 V | 900 mV bei 250 µA | 0,75 nC bei 4,5 V | ±6V | - | 150 mW (Ta) | |||||
| IRF640PBF | 1.9900 | | 795 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | IRF640 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | *IRF640PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 V | 18A (Tc) | 10V | 180 mOhm bei 11 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 70 nC bei 10 V | ±20V | 1300 pF bei 25 V | - | 125 W (Tc) | ||||
| IRFR014TRLPBF-BE3 | 1.5900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252AA | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-IRFR014TRLPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 V | 7,7A (Tc) | 200 mOhm bei 4,6 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 11 nC bei 10 V | ±20V | 300 pF bei 25 V | - | 2,5 W (Ta), 25 W (Tc) | ||||||
 | SI3455ADV-T1-E3 | - | | 8487 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | SI3455 | MOSFET (Metalloxid) | 6-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 V | 2,7 A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 100 mOhm bei 3,5 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 13 nC bei 10 V | ±20V | - | 1,14 W (Ta) | |||||
| SI4894BDY-T1-E3 | 1.3200 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4894 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 V | 8,9 A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 11 mOhm bei 12 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 38 nC bei 10 V | ±20V | 1580 pF bei 15 V | - | 1,4 W (Ta) | |||||
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