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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUD50P04-08-BE3 | 1,5000 |  | 5751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 30a, 10V | 1V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 5400 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 100W (TC) | ||||||
 | SIHP074N65E-GE3 | 7.6800 | | 9332 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 35a (TC) | 10V | 79mohm @ 15a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 30 v | 2904 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||
 | IRFD214 | - - - | | 9563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD214 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRFD214 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 450 Ma (TA) | 10V | 2OHM @ 270 Ma, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | ||||
 | SI7962DP-T1-E3 | - - - | | 4984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7962 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 7.1a | 17mohm @ 11.1a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 70NC @ 10V | - - - | - - - | |||||||
 | IRL510STRLPBF | 1.5600 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL510 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540MOHM @ 3.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 6.1 NC @ 5 V | ± 10 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | IRF730BPBF | 1.1400 | | 1572 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf730 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 6a (TC) | 10V | 1ohm @ 3a, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 30 v | 311 PF @ 100 v | - - - | 104W (TC) | |||||
 | SI7909DN-T1-GE3 | - - - | | 2105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7909 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 5.3a | 37mohm @ 7.7a, 4,5 V. | 1V @ 700 ähm | 24nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI4564DY-T1-GE3 | 1.3900 | | 7615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4564 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W, 3.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 10a, 9,2a | 17,5 Mohm @ 8a, 10V | 2v @ 250 ähm | 31nc @ 10v | 855PF @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SQJ914EP-T1_GE3 | 1.3000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ914 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 30a (TC) | 12mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 25nc @ 10v | 1110pf @ 15V | - - - | |||||||
 | SI3457CDV-T1-BE3 | 0,5400 | | 777 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI3457CDV-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4.1a (TA), 5.1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 74mohm @ 4.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 450 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 3W (TC) | ||||||
| IRF710S | - - - | | 9972 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF710 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF710S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1,2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||
 | SI7862ADP-T1-E3 | 2.2903 | | 9686 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7862 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 16 v | 18a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3mohm @ 29a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 80 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 7340 PF @ 8 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
 | SUM40010el-GE3 | 2.8900 | | 8952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum40010 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,6 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 230 NC @ 10 V. | ± 20 V | 11155 PF @ 30 V | - - - | 375W (TC) | |||||
| SI4544DY-T1-E3 | - - - | | 1331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4544 | MOSFET (Metalloxid) | 2.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 30V | - - - | 35mohm @ 6.5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 35nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| Sira18ADP-T1-GE3 | 0,4300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira18 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 30,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.7mohm @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 21,5 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 1000 PF @ 15 V | - - - | 14.7W (TC) | ||||||
 | 2N6660JTXP02 | - - - | | 7376 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6660 | MOSFET (Metalloxid) | To-205ad (to-39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 60 v | 990 Ma (TC) | 5v, 10V | 3OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
| IRF9540Strr | - - - | | 2977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
| IRFBF30S | - - - | | 3543 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBF30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBF30S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3,7OHM @ 2,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||
| IRF7822TRL | - - - | | 2499 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IRF7822 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 30 v | 18a (ta) | 4,5 v | 6,5 MOHM @ 15a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 60 NC @ 5 V | ± 12 V | 5500 PF @ 16 V | - - - | 3.1W (TA) | ||||
 | SI1022R-T1-E3 | - - - | | 5032 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | SI1022 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 330 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 1,25OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 30 PF @ 25 V. | - - - | 250 MW (TA) | ||||
| SI4505DY-T1-E3 | - - - | | 4440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4505 | MOSFET (Metalloxid) | 1.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30 V, 8 V. | 6a, 3,8a | 18mohm @ 7.8a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 20nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFI520G | - - - | | 4610 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi520g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 7.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | |||
 | SIS106DN-T1-GE3 | 1.0500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sis106 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 9,8a (TA), 16a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 18,5 MOHM @ 4A, 10V | 4v @ 250 ähm | 13,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 540 PF @ 30 V | - - - | 3.2W (TA), 24W (TC) | |||||
 | Sizf906ad-T1-GE3 | 1.6100 | | 9280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Sizf906 | MOSFET (Metalloxid) | 4,5W (TA), 38W (TC), 5W (TA), 83W (TC) | 8-Powerpair® (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual), Schottky | 30V | 27a (TA), 60A (TC), 52A (TA), 60A (TC) | 3,8 MOHM @ 15a, 10 V, 1,17 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 49nc @ 10v, 200nc @ 10v | 2000pf @ 15V, 8200PF @ 15V | - - - | |||||||
 | SQ3442EV-T1-GE3 | - - - | | 8047 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3442 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4.3a (TC) | 55mohm @ 4a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 5,5 NC @ 4,5 V | 405 PF @ 10 V. | - - - | ||||||||
 | SI1428EDH-T1-GE3 | - - - | | 4855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1428 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 45mohm @ 3.7a, 10V | 1,3 V @ 250 ähm | 13,5 NC @ 10 V. | ± 12 V | - - - | 2,8 W (TC) | ||||||
 | SIJ800DP-T1-GE3 | - - - | | 5049 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ800 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 2400 PF @ 20 V | - - - | 4,2 W (TA), 35,7W (TC) | |||||
| SQJB60EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 8867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB60 | MOSFET (Metalloxid) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 30a (TC) | 12mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v | 1600pf @ 25v | - - - | |||||||
 | SQM100N10-10_GE3 | 3.1200 | | 593 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM100 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.5Mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 185 NC @ 10 V. | ± 20 V | 8050 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||
| SIR862DP-T1-GE3 | 0,6027 | | 4261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir862 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,8 MOHM @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 3800 PF @ 10 V. | - - - | 5.2W (TA), 69W (TC) |
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