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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5997DU-T1-GE3 | - - - |  | 3528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5997 | MOSFET (Metalloxid) | 10.4W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 6a | 54mohm @ 3a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 14.5nc @ 10v | 430pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI2312BDS-T1-GE3 | 0,5800 | | 8630 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2312 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3.9a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 31mohm @ 5a, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 12 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 750 MW (TA) | |||||
 | SQJ126EP-T1_GE3 | 1.7300 | | 8647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ126EP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 500A (TC) | 10V | 0,94 MOHM @ 15a, 10 V. | 3,5 V @ 250 ähm | 152 NC @ 10 V | ± 20 V | 8095 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) | |||||
 | SQS420En-T1_GE3 | 1.0100 | | 7676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQS420 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 28mohm @ 5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 490 PF @ 10 V. | - - - | 18W (TC) | |||||
 | SIHB24N65EFT1-GE3 | 6.0100 | | 385 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHB24N65EFT1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2774 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||
 | SIR826BDP-T1-RE3 | 1.6600 | | 7042 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir826 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 19,8a (TA), 80,8a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 15a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 69 NC @ 10 V | ± 20 V | 3030 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 83W (TC) | |||||
 | VP0808B | - - - | | 6750 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | VP0808 | MOSFET (Metalloxid) | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | P-Kanal | 80 v | 880 mA (TA) | 10V | 5ohm @ 1a, 10V | 4,5 V @ 1ma | ± 20 V | 150 PF @ 25 V. | - - - | 6.25W (TA) | |||||
 | SQJA68EP-T1_GE3 | 0,8300 | | 6991 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8L | Sqja68 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 14a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 92mohm @ 4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 280 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | |||||
 | SUD50P04-09L-E3 | 2.6600 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,4mohm @ 24a, 10V | 3v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4800 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | IRFR420 | - - - | | 7345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR420 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
 | SI4493DY-T1-E3 | - - - | | 2766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4493 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 10a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 7,75 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 110 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SI7469ADP-T1-RE3 | 1.7600 | | 5339 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7469 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI7469ADP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 80 v | 7.4a (TA), 46a (TC) | 19,3mohm @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 20 V | 3420 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 73,5W (TC) | ||||||
| SI4411DY-T1-E3 | - - - | | 4276 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4411 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 10mohm @ 13a, 10V | 3v @ 250 ähm | 65 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | IRF9510PBF-BE3 | 1.1100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9510 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF9510PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 4a (TC) | 1,2OHM @ 2,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | ||||||
| SUD50P06-15-BE3 | 2.6600 | | 5178 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-Sud50p06-15-BE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 17a, 10V | 3v @ 250 ähm | 165 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4950 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 113W (TC) | |||||
| SI7619DN-T1-GE3 | 0,8300 | | 89 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7619 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 24a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 10.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 1350 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 27,8 W (TC) | |||||
 | IRF737LC | - - - | | 2980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF737 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF737LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750 MOHM @ 3,7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 430 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
 | Sum70030m-GE3 | 3.5300 | | 3959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | Sum70030 | MOSFET (Metalloxid) | To-263-7 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 150a (TC) | 3,5 MOHM @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 214 nc @ 10 v | ± 20 V | 10870 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | |||||||
| SI4465ADY-T1-GE3 | 1.9500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4465 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 8 v | 13,7a (TA), 20A (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 9mohm @ 14a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 85 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 3W (TA), 6,5 W (TC) | ||||||
| SI7812DN-T1-GE3 | 2.0800 | | 58 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7812 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 37mohm @ 7.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 840 PF @ 35 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
| SQ2362ES-T1_GE3 | 0,6700 | | 4518 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2362 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 4.3a (TC) | 10V | 95mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 550 PF @ 30 V | - - - | 3W (TC) | |||||
 | IRF644STRLPBF | 2.3513 | | 4984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF644 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
| SI4456DY-T1-GE3 | 1.2758 | | 5606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4456 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 33a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 20 V | 5670 PF @ 20 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | |||||
 | SISS32DN-T1-GE3 | 1.3000 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS32 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 17,4a (TA), 63A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 7,2 Mohm @ 10a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1930 PF @ 40 V. | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
 | SIZ998DT-T1-GE3 | 1.5400 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | SIZ998 | MOSFET (Metalloxid) | 20,2W, 32,9W | 8-Powerpair® (6x5) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual), Schottky | 30V | 20A (TC), 60A (TC) | 6,7 MOHM @ 15a, 10V, 2,8 Mohm @ 19a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 8.1nc @ 4,5V, 19,8nc @ 4,5 V | 930pf @ 15V, 2620pf @ 15V | - - - | ||||||||
 | SQ4425EY-T1_GE3 | 1.9300 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4425 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 13a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 3630 PF @ 25 V. | - - - | 6.8W (TC) | ||||||
| SI4413ADY-T1-GE3 | 1.2191 | | 5694 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4413 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 10.5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 13A, 10V | 3v @ 250 ähm | 95 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| IRFR9010 | - - - | | 6329 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR9010 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 50 v | 5.3a (TC) | 10V | 500MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 9.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 240 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||
 | SI6410DQ-T1-GE3 | - - - | | 2942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6410 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 7.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 7.8a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 33 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SQ2361Aees-T1_BE3 | 0,6700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2361 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 2.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 170 MOHM @ 2,4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 620 PF @ 30 V | - - - | 2W (TC) |
2000+
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30.000.000
Standardprodukteinheit
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