- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Ausfluss - rds (on) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIA537EDJ-T1-GE3 | 0,6600 |  | 9503 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA537 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 12V, 20V | 4,5a | 28mohm @ 5,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 16nc @ 8v | 455PF @ 6v | Logikpegel -tor | |||||||||||
 | SIE808DF-T1-GE3 | 1.9970 | | 6112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie808 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,6 MOHM @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 8800 PF @ 10 V. | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||||||
 | VQ1006P | - - - | | 6088 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | - - - | VQ1006 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 14-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 N-Kanal | 90V | 400 ma | 4,5OHM @ 1a, 10V | 2,5 V @ 1ma | - - - | 60pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | SIS410DN-T1-GE3 | 1.0700 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS410 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1600 PF @ 10 V. | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||||||
 | SIA108DJ-T1-GE3 | 0,8800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | Sia108 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 6.6a (TA), 12A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 38mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 545 PF @ 40 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||||||
 | IRFR9120PBF-BE3 | 0,8080 | | 2691 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9120 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 742-IRFR9120PBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||||||||
 | SI4569DY-T1-GE3 | - - - | | 5818 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4569 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W, 3.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 7.6a, 7.9a | 27mohm @ 6a, 10V | 2v @ 250 ähm | 32nc @ 10v | 855PF @ 20V | - - - | ||||||||||
| SI7423DN-T1-E3 | 1.5900 | | 725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7423 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 11.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||||||
 | SQJB00EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 9293 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB00 | MOSFET (Metalloxid) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 30a (TC) | 13mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 35nc @ 10v | 1700pf @ 25v | - - - | |||||||||||
 | IRF820AStrl | - - - | | 6010 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 340 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||
| SI4484EY-T1-E3 | - - - | | 4026 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4484 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 4.8a (TA) | 6 V, 10V | 34mohm @ 6.9a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||||||
 | SI2306BDS-T1-E3 | 0,6200 | | 6427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2306 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3.16a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 47mohm @ 3,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 4,5 NC @ 5 V. | ± 20 V | 305 PF @ 15 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||||||
| IRF9520STRLPBF | 2.1900 | | 472 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||||||||
 | SI3483DDV-T1-GE3 | 0,5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3483 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6.4a (TA), 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31.2mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 10 V. | +16 V, -20 V | 580 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 3W (TC) | |||||||||
 | SQJQ130EL-T1_GE3 | 3.3300 | | 8034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sqjq130el-t1_ge3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 445a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,52 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 455 NC @ 10 V | ± 20 V | 23345 PF @ 25 V. | - - - | 600W (TC) | ||||||||||
| SI7110DN-T1-GE3 | 2.1700 | | 8839 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7110 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 13,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 5.3mohm @ 21.1a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||||||
 | SIHA125N60EF-GE3 | 6.3400 | | 999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha125 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SiHA125N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 30 v | 1533 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||||||
 | SIB408DK-T1-GE3 | - - - | | 7320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB408 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 40mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 15 V | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | |||||||||
| 2N4391-2 | - - - | | 8494 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4391 | 1,8 w | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 14pf @ 20V | 40 v | 50 mA @ 20 V | 4 V @ 1 na | 30 Ohm | |||||||||||||
| SI4174DY-T1-GE3 | 0,9100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4174 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 17a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 985 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||||||
| SIS472DN-T1-GE3 | 0,7100 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS472 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8,9mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 997 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 28W (TC) | |||||||||
| IRFR9024PBF-BE3 | 0,8874 | | 5679 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 742-IRFR9024PBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 8.8a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||||||||
| SI3590DV-T1-E3 | 0,7600 | | 279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3590 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 2,5a, 1,7a | 77mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 4,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||||
 | Sidr510ep-t1-re3 | 3.0500 | | 7529 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 33a (TA), 148a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 3,6 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 81 NC @ 10 V | ± 20 V | 4980 PF @ 50 V | - - - | 7,5 W (TA), 150 W (TC) | |||||||||||
 | SI6969DQ-T1-GE3 | - - - | | 9139 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6969 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | - - - | 34mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 40nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | SQS142ENW-T1_GE3 | 0,9500 | | 9447 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8slw | SQS142 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8slw | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 110a (TC) | 10V | 4,5 MOHM @ 10a, 10V | 3,3 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1952 PF @ 25 V. | - - - | 113W (TC) | |||||||||
 | SIR484DP-T1-GE3 | - - - | | 1791 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir484 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.3mohm @ 17.2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 830 PF @ 10 V | - - - | 3,9W (TA), 29,8W (TC) | |||||||||
 | SI7615CDN-T1-GE3 | 0,5400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7615 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 9mohm @ 12a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 63 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 3860 PF @ 10 V. | - - - | 33W (TC) | |||||||||
| SI4622DY-T1-E3 | - - - | | 2414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4622 | MOSFET (Metalloxid) | 3.3W, 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 16mohm @ 9.6a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 60nc @ 10v | 2458PF @ 15V | - - - | ||||||||||
| SI3469DV-T1-E3 | 0,6600 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3469 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 6.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)