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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIA778DJ-T1-GE3 | - - - |  | 2484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia778 | MOSFET (Metalloxid) | 6,5W, 5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 12V, 20V | 4,5a, 1,5a | 29mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15nc @ 8v | 500PF @ 6v | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHF074N65E-GE3 | 7.5700 | | 9394 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHF074N65E-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 14a (TC) | 10V | 79mohm @ 15a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 30 v | 2904 PF @ 100 V | - - - | 39W (TC) | |||||
 | 2N6660 | - - - | | 8663 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6660 | MOSFET (Metalloxid) | To-205ad (to-39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 60 v | 990 Ma (TC) | 5v, 10V | 3OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | SQJB70EP-T1_BE3 | 0,8700 | | 7820 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB70 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJB70EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 11.3a (TC) | 95mohm @ 4a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 7nc @ 10v | 220pf @ 25v | - - - | |||||||
 | SIA459EDJ-T1-GE3 | 0,5000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA459 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 35mohm @ 5a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 12 V | 885 PF @ 10 V | - - - | 2,9W (TA), 15,6 W (TC) | |||||
 | SIR4608DP-T1-GE3 | 1.1600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir4608 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 13,1a (TA), 42,8a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 11,8 MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 740 PF @ 30 V | - - - | 3.6W (TA), 39W (TC) | |||||
 | SI7460DP-T1-GE3 | 2.2000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7460 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9,6 MOHM @ 18A, 10V | 3v @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | IRF9Z14STRLPBF | 1.7600 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9Z14 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SI4559ADY-T1-E3 | 1.5600 | | 103 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4559 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W, 3.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 60 v | 5.3a, 3,9a | 58mohm @ 4,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 665PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
| IRF830ASTRLPBF | 2.3800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 620 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||||
 | SIR514DP-T1-RE3 | 1.9800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 20,8a (TA), 84,8a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 20 V | 2550 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 83,3W (TC) | ||||||
 | SI8473EDB-T1-E1 | - - - | | 1574 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8473 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 41mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | ± 12 V | - - - | 1,1W (TA), 2,7W (TC) | ||||||
| SI9934BDY-T1-E3 | - - - | | 8769 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9934 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4.8a | 35mohm @ 6,4a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQM50N04-4M1_GE3 | 1.7194 | | 4441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM50 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 4.1mohm @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 6715 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||
 | SQM60N20-35_GE3 | 3.6400 | | 8906 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM60 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 60a (TC) | 10V | 35mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 5850 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||
| SI7159DP-T1-GE3 | - - - | | 5642 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7159 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | ± 25 V | 5170 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
| SI4963BDY-T1-E3 | 1.5100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4963 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4.9a | 32mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 21nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRLD014 | - - - | | 7391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRLD014 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRLD014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 1.7a (ta) | 4V, 5V | 200mohm @ 1a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | |||
 | SQJA82EP-T1_GE3 | 1.1900 | | 3840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja82 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.2mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
 | SQJA82EP-T1_BE3 | 1.1900 | | 1790 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJA82EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.2mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||
 | SIS496EDNT-T1-GE3 | - - - | | 9544 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS496 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1515 PF @ 15 V | - - - | 52W (TC) | ||||||
| SIA450DJ-T1-GE3 | - - - | | 9361 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA450 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 240 V | 1,52a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 2,9ohm @ 700 mA, 10 V | 2,4 V @ 250 ähm | 7.04 NC @ 10 V | ± 20 V | 167 PF @ 120 V | - - - | 3.3W (TA), 15W (TC) | ||||
 | SQJB90EP-T1_GE3 | 1.4100 | | 5507 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB90 | MOSFET (Metalloxid) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 80V | 30a (TC) | 21,5 MOHM @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 25nc @ 10v | 1200pf @ 25v | - - - | |||||||
| SIS444DN-T1-GE3 | 0,3497 | | 1167 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sis444 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,3 Mohm @ 10a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 102 NC @ 10 V | ± 20 V | 3065 PF @ 15 V | - - - | 52W (TC) | ||||||
| SUM110N06-3M9H-E3 | - - - | | 8595 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 110a (TC) | 10V | 3,9 MOHM @ 30a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 300 NC @ 10 V. | ± 20 V | 15800 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 375W (TC) | |||||
| SI4438DY-T1-GE3 | - - - | | 2325 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4438 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,7 MOHM @ 20A, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 20 V | 4645 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | ||||
 | SIHP120N60E-GE3 | 5.1500 | | 5003 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP120 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 120Mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 30 v | 1562 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||
| SQS484ENW-T1_GE3 | 0,9400 | | 7656 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQS484 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 62,5W (TC) | |||||
| SI4472DY-T1-GE3 | - - - | | 5108 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4472 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 7.7a (TC) | 8 V, 10V | 45mohm @ 5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 1735 PF @ 50 V | - - - | 3.1W (TA), 5,9W (TC) | |||||
 | SIB411DK-T1-GE3 | - - - | | 4675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB411 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 66mohm @ 3,3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15 NC @ 8 V | ± 8 v | 470 PF @ 10 V. | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) |
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