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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4435DDY-T1-GE3 | 0,7500 |  | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4435 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 11.4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 9.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 1350 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||
 | 2N4858JTVP02 | - - - | | 2625 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | 2N4858 | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
| SI4684DY-T1-E3 | - - - | | 8102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4684 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9.4mohm @ 16a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 12 V | 2080 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 4,45 W (TC) | ||||
 | SI1902CDL-T1-GE3 | 0,4500 | | 1347 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET (Metalloxid) | 420 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 1.1a | 235mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 3nc @ 10v | 62PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI5922DU-T1-GE3 | 0,5400 | | 4629 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet Dual | SI5922 | MOSFET (Metalloxid) | 10.4W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6a (TC) | 19,2mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 7.1nc @ 4.5v | 765PF @ 15V | - - - | |||||||
 | IRFR120TRLPBF-BE3 | 1.5900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFR120TRLPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 270 MOHM @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||||
| SI1967DH-T1-BE3 | 0,4100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1967 | MOSFET (Metalloxid) | 740 MW (TA), 1,25 W (TC) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI1967DH-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 1a (ta), 1,3a (TC) | 490MOHM @ 910 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4nc @ 10v | 110pf @ 10v | - - - | ||||||
 | IRF9540PBF-BE3 | 2.1500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF9540PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 19A (TC) | 200mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||
 | SI7336ADP-T1-GE3 | 1,8000 | | 77 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7336 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 30a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 5600 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA) | |||||
| SI4466DY-T1-E3 | - - - | | 1693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4466 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 9,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 9mohm @ 13,5a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 60 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | Irlz14strlpbf | 1.6300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ14 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | IRFPG50 | - - - | | 5888 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPG50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPG50 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 1000 v | 6.1a (TC) | 10V | 2OHM @ 3,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||
 | SIHU5N50D-E3 | 0,5199 | | 2871 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Sihu5 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) | |||||
| SI1903DL-T1-E3 | - - - | | 6591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1903 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 410 Ma | 995mohm @ 410 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,8nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQJA64EP-T1_GE3 | 0,8000 | | 1729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja64 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15a (TC) | 10V | 32mohm @ 4a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | |||||
 | SQUN700E-T1_GE3 | 2.4400 | | 5083 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | Squn700 | MOSFET (Metalloxid) | 50W (TC), 48W (TC) | Sterben | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-squn700e-t1_ge3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 n-kanal (dual), p-kanal | 200V, 40V | 16A (TC), 30a (TC) | 9,2mohm @ 9,8a, 10V, 75MOHM @ 5A, 10V, 30MOHM @ 6a, 10V | 3,5 V Bei 250 UA, 2,5 V @ 250 µA | 23nc @ 10v, 11nc @ 10v, 30,2nc @ 10v | 1474pf @ 20V, 600PF @ 100V, 1302pf @ 100V | - - - | |||||||
| IRF9520StrRPBF | 1.2863 | | 1224 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||||
 | SIR606DP-T1-GE3 | 1.5300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir606 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 37a (TC) | 6 V, 10V | 16.2mohm @ 15a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 22 NC @ 6 V | ± 20 V | 1360 PF @ 50 V | - - - | 44,5W (TC) | |||||
 | SIA477edj-t1-GE3 | 0,5100 | | 5996 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA477 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 12a (TC) | 14mohm @ 7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 87 NC @ 8 V | 2970 PF @ 6 V | - - - | - - - | |||||||
 | SQS462en-T1_GE3 | 1.0300 | | 2097 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQS462 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 63mohm @ 4.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 470 PF @ 25 V. | - - - | 33W (TC) | |||||
 | SI2337D-T1-E3 | 1.0100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2337 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 80 v | 2.2a (TC) | 6 V, 10V | 270 MOHM @ 1,2A, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 500 PF @ 40 V | - - - | 760 MW (TA), 2,5 W (TC) | ||||
 | SI3867DV-T1-GE3 | - - - | | 6583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3867 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.9a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 51mohm @ 5.1a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 11 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||
 | IRFR010TRLPBF | 0,6218 | | 8020 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 8.2a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||||
| SI3410DV-T1-GE3 | 0,8300 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3410 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19,5 MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1295 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 4,1W (TC) | |||||
 | SIHP25N40D-E3 | 3.0600 | | 8185 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP25 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 25a (TC) | 10V | 170Mohm @ 13a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 30 v | 1707 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | |||||
| SISA66DN-T1-GE3 | 0,3959 | | 1728 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa66 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,3 MOHM @ 15a, 10V | 2,2 V @ 1ma | 66 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3014 PF @ 15 V | - - - | 52W (TC) | ||||||
| SI4108DY-T1-GE3 | - - - | | 4287 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4108 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 75 V | 20,5a (TC) | 9,8 MOHM @ 13,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | 2100 PF @ 38 V | - - - | ||||||||
| IRF510STRLPBF | 1.4900 | | 320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | |||||
| SI1426DH-T1-E3 | - - - | | 1104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1426 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 75mohm @ 3,6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 3 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1W (TA) | |||||
 | IRFL214TRPBF-BE3 | 1.4200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl214 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 790 Ma (TC) | 10V | 2OHM @ 470 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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