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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI6562CDQ-T1-GE3 | 1.0200 |  | 8040 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6562 | MOSFET (Metalloxid) | 1,6W, 1,7W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 6.7a, 6.1a | 22mohm @ 5,7a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 23nc @ 10v | 850pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI3812DV-T1-GE3 | - - - | | 4771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3812 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 125mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | Schottky Diode (Isolier) | 830 MW (TA) | |||||
 | SUD50N02-09P-GE3 | - - - | | 4880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 20 v | 20a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 10 V | - - - | 39,5W (TC) | |||||
 | Irf830 | - - - | | 3599 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,7a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 610 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
 | SI4544DY-T1-E3 | - - - | | 1331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4544 | MOSFET (Metalloxid) | 2.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 30V | - - - | 35mohm @ 6.5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 35nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | 2N6660JTXP02 | - - - | | 7376 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6660 | MOSFET (Metalloxid) | To-205ad (to-39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 60 v | 990 Ma (TC) | 5v, 10V | 3OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | SI7862ADP-T1-E3 | 2.2903 | | 9686 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7862 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 16 v | 18a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3mohm @ 29a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 80 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 7340 PF @ 8 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
 | SUM40010el-GE3 | 2.8900 | | 8952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum40010 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,6 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 230 NC @ 10 V. | ± 20 V | 11155 PF @ 30 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | IRFBF30S | - - - | | 3543 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBF30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBF30S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3,7OHM @ 2,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||
| Sira18ADP-T1-GE3 | 0,4300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira18 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 30,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.7mohm @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 21,5 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 1000 PF @ 15 V | - - - | 14.7W (TC) | ||||||
| IRF710S | - - - | | 9972 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF710 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF710S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1,2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||
| IRFS11N50ATRR | - - - | | 2998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS11 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | ||||
 | Irfi734g | - - - | | 3606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI734 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi734g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 450 V | 3.4a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 680 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | |||
 | SQJ186EP-T1_GE3 | 1.0800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 10V | 15mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 1942 PF @ 25 V. | - - - | 135W (TC) | |||||||
| IRF9640Strl | - - - | | 1574 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SIHJ240N60E-T1-GE3 | 2.8700 | | 8335 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIHJ240 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 240 MOHM @ 5,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 783 PF @ 100 V | - - - | 89W (TC) | |||||
 | SI1926DL-T1-BE3 | 0,4100 | | 3457 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1926 | MOSFET (Metalloxid) | 300 MW (TA), 510 MW (TC) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI1926DL-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 340 Ma (TA), 370 Ma (TC) | 1,4OHM @ 340 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 1,4nc @ 10v | 18.5PF @ 30V | - - - | ||||||
 | SIHF30N60E-GE3 | 6.1200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF30 | MOSFET (Metalloxid) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 2600 PF @ 100 V | - - - | 37W (TC) | ||||||
 | SQM120N02-1M3L_GE3 | 1.8981 | | 9857 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 20 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,3 MOHM @ 40A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 290 nc @ 10 v | ± 20 V | 14500 PF @ 10 V. | - - - | 375W (TC) | ||||||
| SI4455DY-T1-GE3 | 1.6500 | | 4414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4455 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 150 v | 2a (ta) | 6 V, 10V | 295Mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1190 PF @ 50 V | - - - | 5.9W (TC) | |||||
 | SUD08P06-155L-E3 | - - - | | 8264 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SUD08 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 8.4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 155mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 450 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 25W (TC) | ||||
| SI4396DY-T1-E3 | - - - | | 2864 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4396 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1675 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 5,4W (TC) | ||||
 | SIE844DF-T1-GE3 | - - - | | 2414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (U) | Sie844 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (U) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 44,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 12.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2150 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 25W (TC) | ||||
 | SIHF15N60E-E3 | 3.0900 | | 6785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF15 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHF15N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 30 v | 1350 PF @ 100 V | - - - | 34W (TC) | ||||
| SI3443BDV-T1-GE3 | 0,2588 | | 4809 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3443 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 60mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 9 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.1W (TA) | ||||||
 | SI7402DN-T1-GE3 | - - - | | 2409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7402 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 13a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 5,7 MOHM @ 20A, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 55 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SIHH21N60EF-T1-GE3 | 5.6900 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH21 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 19A (TC) | 10V | 185mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 2035 PF @ 100 V | - - - | 174W (TC) | |||||
| SI1912EDH-T1-E3 | - - - | | 2372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1912 | MOSFET (Metalloxid) | 570 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 1.13a | 280 MOHM @ 1,13A, 4,5 V. | 450 MV @ 100 UA (min) | 1nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4435BDY-T1-E3 | - - - | | 8069 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4435 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 9.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SI7155DP-T1-GE3 | 2.0900 | | 5042 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7155 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 31a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,6 MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 330 NC @ 10 V | ± 20 V | 12900 PF @ 20 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) |
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