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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHJ240N60E-T1-GE3 | 2.8700 |  | 8335 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIHJ240 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 240 MOHM @ 5,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 783 PF @ 100 V | - - - | 89W (TC) | |||||
 | SI1926DL-T1-BE3 | 0,4100 | | 3457 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1926 | MOSFET (Metalloxid) | 300 MW (TA), 510 MW (TC) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI1926DL-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 340 Ma (TA), 370 Ma (TC) | 1,4OHM @ 340 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 1,4nc @ 10v | 18.5PF @ 30V | - - - | ||||||
 | SI4455DY-T1-GE3 | 1.6500 | | 4414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4455 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 150 v | 2a (ta) | 6 V, 10V | 295Mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1190 PF @ 50 V | - - - | 5.9W (TC) | |||||
| SI4396DY-T1-E3 | - - - | | 2864 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4396 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1675 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 5,4W (TC) | ||||
 | SIE844DF-T1-GE3 | - - - | | 2414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (U) | Sie844 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (U) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 44,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 12.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2150 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 25W (TC) | ||||
 | SIHF15N60E-E3 | 3.0900 | | 6785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF15 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHF15N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 30 v | 1350 PF @ 100 V | - - - | 34W (TC) | ||||
 | SI3443BDV-T1-GE3 | 0,2588 | | 4809 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3443 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 60mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 9 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.1W (TA) | ||||||
 | SI7402DN-T1-GE3 | - - - | | 2409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7402 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 13a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 5,7 MOHM @ 20A, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 55 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SIHH21N60EF-T1-GE3 | 5.6900 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH21 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 19A (TC) | 10V | 185mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 2035 PF @ 100 V | - - - | 174W (TC) | |||||
| SI4435BDY-T1-E3 | - - - | | 8069 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4435 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 9.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | IRF634STRLPBF | 0,7541 | | 2731 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF634 | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 8.1a (TC) | ||||||||||||||||||
 | SI5484DU-T1-GE3 | - - - | | 4333 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5484 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 16mohm @ 7,6a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 12 V | 1600 PF @ 10 V. | - - - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
| IRF9540Strr | - - - | | 2977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
 | SI7149DP-T1-GE3 | 1.5800 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7149 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.2mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 147 NC @ 10 V | ± 25 V | 4590 PF @ 15 V | - - - | 69W (TC) | |||||
| SI4168DY-T1-GE3 | 1.1800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4168 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 24a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.7mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1720 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
 | SIB911DK-T1-GE3 | - - - | | 8294 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6L Dual | SIB911 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | Powerpak® SC-75-6L Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 2.6a | 295MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4nc @ 8v | 115PF @ 10V | - - - | ||||||
| SI7108DN-T1-GE3 | 2.0000 | | 41 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7108 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 14a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,9 MOHM @ 22A, 10V | 2v @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 16 v | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | IRFR9014PBF | 1.1100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 60 v | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | IRFPC60LC | - - - | | 7104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPC60 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPC60LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 400mohm @ 9.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 3500 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | |||
| IRFR224TRLPBF | 0,7088 | | 7938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR224 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1,1OHM @ 2,3a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| IRF9530Strl | - - - | | 6249 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9530 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 12a (TC) | 10V | 300MOHM @ 7.2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 860 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
 | IRF9530 | - - - | | 8795 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9530 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 100 v | 12a (TC) | 10V | 300MOHM @ 7.2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 860 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | |||
| SI4431BDY-T1-GE3 | 1.1200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4431 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 5.7A (TA) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 7.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| IRFP9240 | - - - | | 8659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP9240 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP9240 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 200 v | 12a (TC) | 10V | 500mohm @ 7.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | SIDR392DP-T1-GE3 | 2.7200 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr392 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 82a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,62 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 188 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 9530 PF @ 15 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | |||||
| IRL630StrRPBF | 2.6300 | | 4300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 10 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
 | IRFD9220 | - - - | | 6095 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9220 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFD9220 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 200 v | 560 Ma (TA) | 10V | 1,5OHM @ 340 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 340 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||
| SI4712DY-T1-GE3 | - - - | | 6991 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4712 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 14,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 28 NC @ 10 V | ± 20 V | 1084 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||
| SI7489DP-T1-E3 | 2.6600 | | 36 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7489 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 41mohm @ 7.8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 83W (TC) | ||||
| SUP40N10-30-E3 | - - - | | 7971 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 6 V, 10V | 30mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 107W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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