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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUP10250E-GE3 | 2.8900 |  | 2400 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup10250 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 63a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 375W (TC) | |||||||
 | SI7288DP-T1-GE3 | 1.5200 | | 132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7288 | MOSFET (Metalloxid) | 15.6W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 20a | 19Mohm @ 10a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 15nc @ 10v | 565PF @ 20V | - - - | |||||||
 | SIR184DP-T1-RE3 | 1.2500 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir184 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 20,7a (TA), 73A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 10a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1490 PF @ 30 V | - - - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||
 | SQD25N06-22L_T4GE3 | 1.5700 | | 9980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD25 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 25a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 22mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 1975 PF @ 25 V. | - - - | 62W (TC) | ||||||
 | 2N5546JTX01 | - - - | | 6851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-71-6 | 2n5546 | To-71 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | ||||||||||||||
| SI7862ADP-T1-GE3 | 2.2903 | | 2084 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7862 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 16 v | 18a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3mohm @ 29a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 80 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 7340 PF @ 8 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
 | SI4944DY-T1-GE3 | - - - | | 1152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4944 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 9.3a | 9,5 MOHM @ 12,2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHW70N60EF-GE3 | 8.2809 | | 8568 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHW70 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 70a (TC) | 10V | 38mohm @ 35a, 10V | 4v @ 250 ähm | 380 nc @ 10 v | ± 30 v | 7500 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
 | SUD23N06-31L-T4BE3 | 0,9800 | | 4284 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud23 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-Sud23N06-31L-T4BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 9,1a (TA), 21,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 5,7W (TA), 31,25W (TC) | |||||
 | SIA416DJ-T1-GE3 | 0,7100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA416 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 11.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 83mohm @ 3.2a, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 295 PF @ 50 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
| SI7192DP-T1-GE3 | 3.1700 | | 5365 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7192 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,9 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 5800 PF @ 15 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | IRF740Strl | - - - | | 3914 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | IRFI9Z14GPBF | 2.1700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfi9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI9Z14GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 60 v | 5.3a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | ||||
| SI4888DY-T1-GE3 | - - - | | 6250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4888 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 16a, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 24 nc @ 5 v | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||
| IRLZ24S | - - - | | 5840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ24 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRLZ24S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||
| SI7434ADP-T1-RE3 | 1,9000 | | 9762 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7434 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 250 V | 3,7A (TA), 12,3a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 150 MOHM @ 3,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 600 PF @ 125 V. | - - - | 5W (TA), 54,3W (TC) | |||||
 | IRFD9010PBF | 1.3900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9010 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | P-Kanal | 50 v | 1.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 580 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 240 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TC) | |||||
 | SI3456DDV-T1-E3 | 0,4300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 40mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 325 PF @ 15 V | - - - | 1,7W (TA), 2,7W (TC) | |||||
| IRFPE50 | - - - | | 2751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPE50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPE50 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 800 V | 7.8a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 4,7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | ± 20 V | 3100 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||
| IRL630 | - - - | | 8024 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL630 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL630 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 10 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||
| Irfz44r | - - - | | 5443 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irfz44 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfz44r | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
| IRLI530G | - - - | | 6840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRLI530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRLI530G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 9.7a (TC) | 4V, 5V | 160 MOHM @ 5.8a, 5V | 2v @ 250 ähm | 28 NC @ 5 V | ± 10 V | 930 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||
| SI3993DV-T1-GE3 | - - - | | 8347 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3993 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 1.8a | 133mohm @ 2,2a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 5nc @ 4,5 v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHA20N50E-E3 | 2.9400 | | 6914 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 19A (TC) | 10V | 184mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 92 NC @ 10 V | ± 30 v | 1640 PF @ 100 V | - - - | 34W (TC) | |||||
| SQD50P03-07_GE3 | 2.7600 | | 3796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 146 NC @ 10 V. | ± 20 V | 5490 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | ||||||
| IRF830SPBF | 2.2500 | | 95 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF830SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,7a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 610 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| SUP85N10-10-E3 | 6.6200 | | 463 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 85a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.5Mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 6550 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 250 W (TC) | |||||
| IRFI9630GPBF | 2.7500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9630 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI9630GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 4.3a (TC) | 10V | 800 MOHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | ||||
 | SI6967DQ-T1-E3 | - - - | | 9745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6967 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 8v | - - - | 30mohm @ 5a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 40nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFS9N60ATRR | - - - | | 1341 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS9 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) |
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