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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIB410DK-T1-GE3 | - - - |  | 9766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB410 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 42mohm @ 3,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15 NC @ 8 V | ± 8 v | 560 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 13W (TC) | |||||
 | Siz346dt-T1-GE3 | 0,7300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Powerpair®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz346 | MOSFET (Metalloxid) | 16W, 16,7W | 8-Power33 (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 17A (TC), 30a (TC) | 28,5 MOHM @ 10a, 10 V, 11,5 Mohm @ 14,4a, 10 V | 2,2 V @ 250 UA, 2,4 V @ 250 µA | 5NC @ 4,5V, 9NC @ 4,5V | 325PF @ 15V, 650pf @ 15V | - - - | |||||||
 | SI7120ADN-T1-GE3 | 1.6600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7120 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 9.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SI4322DY-T1-GE3 | - - - | | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4322 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8,5 MOHM @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1640 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 5,4W (TC) | ||||
 | Siz240DT-T1-GE3 | 1.3100 | | 2831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz240 | MOSFET (Metalloxid) | 4,3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-Siz240DT-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 17,2a (TA), 48A (TC), 16,9a (TA), 47A (TC) | 8.05MOHM @ 10a, 10 V, 8.41MOHM @ 10A, 10 V. | 2,4 V @ 250 ähm | 23nc @ 10v, 22nc @ 10v | 1180pf @ 20V, 1070pf @ 20V | - - - | ||||||
| SI4900DY-T1-E3 | 1.2500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4900 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5.3a | 58mohm @ 4,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 665PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SQJA90EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 5904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja90 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 10V | 7.6mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 3500 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
| SI9945AEY-T1 | - - - | | 4187 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9945 | MOSFET (Metalloxid) | 2.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Q4552539a | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 3.7a | 80MOHM @ 3.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||
| SI4636DY-T1-E3 | - - - | | 9388 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4636 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 17a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 16 v | 2635 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 4,4W (TC) | ||||
 | SI3434DV-T1-GE3 | - - - | | 6851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3434 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 34mohm @ 6.1a, 4,5 V. | 600mV @ 1ma (min) | 12 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||
 | SQ3419aeev-t1_be3 | 0,7000 | | 3910 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sq3419aeev-t1_be3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 6.9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 61Mohm @ 2,5a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 12,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 975 PF @ 20 V | - - - | 5W (TC) | ||||||
| SI4833ADY-T1-GE3 | - - - | | 7676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4833 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 4.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 72mohm @ 3,6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 750 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,93W (TA), 2,75W (TC) | ||||
 | SIA414DJ-T1-GE3 | 0,9400 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA414 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 12a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 11mohm @ 9.7a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 32 NC @ 5 V. | ± 5 V | 1800 PF @ 4 V. | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SQ1421EDH-T1_GE3 | 0,5300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1421 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 1,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 290MOHM @ 2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 5.4 NC @ 4.5 V | ± 20 V | 355 PF @ 25 V. | - - - | 3.3W (TC) | |||||
 | SUD09P10-195-GE3 | 0,8700 | | 39 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SUD09 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 8.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 195mohm @ 3,6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 34,8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1055 PF @ 50 V | - - - | 2,5 W (TA), 32,1W (TC) | |||||
 | SI6415DQ-T1-BE3 | 1.8600 | | 6460 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI6415DQ-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6,5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 6.5a, 10V | 1V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||
 | SIR870BDP-T1-RE3 | 2.2000 | | 9421 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir870 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 18,8a (TA), 81a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.1MOHM @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 4870 PF @ 50 V | - - - | 5.4W (TA), 100W (TC) | |||||
 | IRLZ14PBF-BE3 | 1.1100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRLZ14 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742 -irlz14pbf -be3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 200mohm @ 6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | ||||||
| SUD40N10-25-T4-E3 | - - - | | 7738 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud40 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 10V | 25mohm @ 40a, 10V | 3v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | SQ2315ES-T1_GE3 | 0,6000 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2315 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 50 MOHM @ 3,5A, 10V | 1V @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 870 PF @ 4 V. | - - - | 2W (TC) | |||||
 | SIE830DF-T1-GE3 | - - - | | 2024 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | WFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (s) | Sie830 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (s) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,2mohm @ 16a, 10V | 2v @ 250 ähm | 115 NC @ 10 V | ± 12 V | 5500 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
| SIHP10N40D-GE3 | 1.4400 | | 416 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP10 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 526 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | |||||
| SUD50N04-09H-E3 | - - - | | 6881 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 9mohm @ 20a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 3700 PF @ 25 V. | - - - | 83.3W (TC) | |||||
 | SI5476DU-T1-GE3 | 1.3200 | | 664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5476 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 34mohm @ 4.6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1100 PF @ 30 V | - - - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||
 | SQM110N05-06L_GE3 | 3.0700 | | 1185 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 55 v | 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 4440 PF @ 25 V. | - - - | 157W (TC) | |||||
 | IRF9Z30PBF | 2.6200 | | 116 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9Z30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF9Z30PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 50 v | 18a (TC) | 10V | 140Mohm @ 9.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
| SUP10250E-GE3 | 2.8900 | | 2400 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup10250 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 63a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 375W (TC) | |||||||
 | SI7288DP-T1-GE3 | 1.5200 | | 132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7288 | MOSFET (Metalloxid) | 15.6W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 20a | 19Mohm @ 10a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 15nc @ 10v | 565PF @ 20V | - - - | |||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | 1.2500 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir184 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 20,7a (TA), 73A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 10a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1490 PF @ 30 V | - - - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||
 | SQD25N06-22L_T4GE3 | 1.5700 | | 9980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD25 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 25a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 22mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 1975 PF @ 25 V. | - - - | 62W (TC) |
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