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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIR184LDP-T1-RE3 | 1.5300 |  | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 21,5a (TA), 73A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.4mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1950 PF @ 30 V | - - - | 5W (TA), 56,8W (TC) | ||||
 | SQS141LNW-T1_GE3 | 1.0300 | | 4391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8slw | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8slw | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 101a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 141 NC @ 10 V | ± 20 V | 7458 PF @ 25 V. | - - - | 192W (TC) | ||||
 | SISHA06DN-T1-GE3 | 1.0200 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 28.1a (TA), 104a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3932 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | ||||
 | SQ4850CEY-T1_GE3 | 1.0500 | | 8013 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQ4850CEY-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 22mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1375 PF @ 25 V. | - - - | 6.8W (TC) | ||||
 | SQS180LNW-T1_GE3 | 1.1200 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8slw | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8slw | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 82a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.1Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3689 PF @ 25 V. | - - - | 119W (TC) | ||||||
 | SQRS152ELP-T1_GE3 | 1.1400 | | 7292 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8SW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 58a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1633 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | ||||||
| SQJ162EP-T1_GE3 | 1.3200 | | 7763 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 166a (TC) | 10V | 5mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 3930 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | ||||||
 | SISS4409DN-T1-GE3 | 1.3500 | | 4168 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 6.000 | P-Kanal | 40 v | 17,2a (TA), 59,2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 20 V | 5670 PF @ 20 V | - - - | 4,8W (TA), 56,8W (TC) | ||||
 | SIJH5100E-T1-GE3 | 6.0000 | | 8964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 28a (TA), 277a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 1,89mohm @ 20a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 128 NC @ 10 V | ± 20 V | 6900 PF @ 50 V | - - - | 3.3W (TA), 333W (TC) | ||||
 | SIR4409DP-T1-RE3 | 1.3100 | | 4098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 17,2a (TA), 60,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 20 V | 5670 PF @ 20 V | - - - | 4,8W (TA), 59,5W (TC) | ||||
 | SIA4446DJ-T1-GE3 | 0,6800 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 13a (ta), 31a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11mohm @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | +20V, -16v | 915 PF @ 20 V | - - - | 3,5 W (TA), 19,2W (TC) | ||||
 | SIS472BDN-T1-GE3 | 0,6400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS472 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15,3a (TA), 38,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 21,5 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 1000 PF @ 15 V | - - - | 3,2 W (TA), 19,8W (TC) | |||
 | Sihlz34S-GE3 | 0,6631 | | 2012 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sihlz34 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SiHlz34s-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||
 | SQJ460AEP-T2_GE3 | 0,5433 | | 3105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ460 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ460AEP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 58a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.7mohm @ 10.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 106 NC @ 10 V | ± 20 V | 2654 PF @ 30 V | - - - | 68W (TC) | ||
| SIHF520Strr-GE3 | 0,5608 | | 5659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHF520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHF520Strr-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 5,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | ||
| SQJ431EP-T2_GE3 | 0,9356 | | 1591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ431 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ431EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 12a (TC) | 6 V, 10V | 213mohm @ 3,8a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 106 NC @ 10 V | ± 20 V | 4355 PF @ 25 V. | - - - | 83W (TC) | ||
| SIHFU9220-GE3 | 0,9400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | SIHFU9220 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 3400 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
 | SISS22LDN-T1-GE3 | 1.2100 | | 8624 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS22 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SISS22LDN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 25,5a (TA), 92,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,65 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 2540 PF @ 30 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||
| SISA35DN-T1-GE3 | 0,5200 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa35 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 10a (ta), 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 9a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1500 PF @ 15 V | - - - | 3.2W (TA), 24W (TC) | |||
 | SIHK185N60EF-T1GE3 | 4.6000 | | 9129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHK185N60EF-T1GE3DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 193mohm @ 9.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 30 v | 1081 PF @ 100 V | - - - | 114W (TC) | |||
 | SIJ4108DP-T1-GE3 | 1.7200 | | 3275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ4108 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 15,2a (TA), 56,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 52mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2440 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 69,4W (TC) | ||||
| V30433-T1-GE3 | - - - | | 9520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30433 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | SUP85N15-21-E3 | 5.4000 | | 7896 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 150 v | 85a (TC) | 10V | 21mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 4750 PF @ 25 V. | - - - | 2,4 W (TA), 300 W (TC) | |||
 | IRLZ14S | - - - | | 6817 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ14 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irlz14s | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |
 | SI3456BDV-T1-E3 | - - - | | 1200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.1W (TA) | |||
| IRF610Strr | - - - | | 3373 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf610 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 3.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 36W (TC) | ||
 | IRFU9210 | - - - | | 5981 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU9210 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 200 v | 1,9a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |
 | Sira64dp-t1-re3 | 0,9200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira64 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,1 MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3420 PF @ 15 V | - - - | 27,8W (TC) | |||
 | SIR492DP-T1-GE3 | - - - | | 7577 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir492 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 40a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,8 MOHM @ 15a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 110 nc @ 8 v | ± 8 v | 3720 PF @ 6 V. | - - - | 4.2W (TA), 36W (TC) | |||
 | IRFP450NPBF | - - - | | 4698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP450 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP450NPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 14a (TC) | 10V | 370MOHM @ 8.4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 30 v | 2260 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) |
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