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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIR438DP-T1-GE3 | 1.9500 |  | 261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir438 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 4560 PF @ 10 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||||||
 | SI4860DY-T1-E3 | - - - | | 1404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4860 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 16a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 18 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||||||
 | 2N5116 | - - - | | 3587 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5116 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | - - - | - - - | |||||||||||||||||
 | SI1470DH-T1-GE3 | - - - | | 6216 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1470 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 5.1a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 66mohm @ 3,8a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 7,5 NC @ 5 V. | ± 12 V | 510 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA), 2,8 W (TC) | |||||||
 | SI7960DP-T1-E3 | - - - | | 9652 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7960 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6.2a | 21mohm @ 9.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 75nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
| SI4682DY-T1-GE3 | - - - | | 7187 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4682 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9.4mohm @ 16a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1595 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 4,45 W (TC) | |||||||
 | SI7220DN-T1-GE3 | 1.7700 | | 71 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7220 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 3.4a | 60MOHM @ 4,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
| SI4532ADY-T1-E3 | - - - | | 2483 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4532 | MOSFET (Metalloxid) | 1.13W, 1.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 3.7a, 3a | 53mohm @ 4,9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 16nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
| SIR798DP-T1-GE3 | - - - | | 6675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir798 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2.05ohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 5050 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 83W (TC) | |||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | 0,9400 | | 5859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir424 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1250 PF @ 10 V | - - - | 4,8W (TA), 41,7W (TC) | ||||||||
| SIR846ADP-T1-RE3 | 0,8618 | | 8819 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir846 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 6 V, 10V | 7,8 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 20 V | 2350 PF @ 50 V | - - - | 83W (TC) | |||||||||
| SI4532CDY-T1-GE3 | 0,6900 | | 6205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4532 | MOSFET (Metalloxid) | 2.78W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 6a, 4,3a | 47mohm @ 3,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9nc @ 10v | 305PF @ 15V | - - - | ||||||||||
| SI4493DY-T1-GE3 | - - - | | 4801 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4493 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 10a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 7,75 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 110 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||||
| SI4626ADY-T1-E3 | 0,9923 | | 9189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4626 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,3 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 125 NC @ 10 V | ± 20 V | 5370 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 6W (TC) | ||||||||
| SI4660DY-T1-E3 | - - - | | 9333 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4660 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 23.1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 16 v | 2410 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 5,6W (TC) | |||||||
 | SIHB25N50E-GE3 | 3.6400 | | 1963 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB25 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 26a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1980 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||||||
| SIHB22N60ET5-GE3 | 2.5796 | | 9425 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB22 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1920 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | |||||||||
 | Sia910edj-t1-GE3 | 0,5900 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA910 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 12V | 4,5a | 28mohm @ 5,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 16nc @ 8v | 455PF @ 6v | Logikpegel -tor | ||||||||||
| SI4834BDY-T1-GE3 | - - - | | 1812 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4834 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
| SI7501DN-T1-GE3 | - - - | | 2582 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7501 | MOSFET (Metalloxid) | 1.6W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 30V | 5,4a, 4,5a | 35mohm @ 7.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 14nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
| SI4668DY-T1-GE3 | - - - | | 2414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4668 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 16,2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 16 v | 1654 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | ||||||||
| SI7223DN-T1-GE3 | 0,9400 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7223 | MOSFET (Metalloxid) | 2,6 W (TA), 23 W (TC) | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 6a (TC) | 26.4mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 40nc @ 10v | 1425PF @ 15V | - - - | ||||||||||
 | 2N4416A-2 | - - - | | 4254 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 2N4416 | 300 MW | To-206af (bis 72) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | N-Kanal | 4pf @ 15V | 35 V | 5 ma @ 15 V | 2,5 V @ 1 na | |||||||||||||
 | SIHFPS38N60L-GE3 | 7.9800 | | 5183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHFPS38N60L-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 38a (TC) | 10V | 150 MOHM @ 23A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 320 NC @ 10 V | ± 30 v | 7990 PF @ 25 V. | - - - | 540W (TC) | ||||||||
| SQ4182EY-T1_BE3 | 1.6500 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4182 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-SQ4182EY-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 32a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,8 MOHM @ 14A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 5400 PF @ 15 V | - - - | 7.1W (TC) | ||||||||
| SI7884BDP-T1-GE3 | 2.0000 | | 3706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7884 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 58a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 16A, 10V | 3v @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 3540 PF @ 20 V | - - - | 4,6W (TA), 46W (TC) | ||||||||
 | SI2371EDS-T1-BE3 | 0,4300 | | 2886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI2371EDS-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3,7a (TA), 4,8a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 45mohm @ 3.7a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 12 V | - - - | 1W (TA), 1,7W (TC) | ||||||||||
 | SIHG17N80AE-GE3 | 3.1200 | | 476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG17 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHG17N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 1260 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||||
| 2N5115JTXV02 | - - - | | 2609 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5115 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | |||||||||||||||||
 | SIA453edj-t1-GE3 | - - - | | 4234 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA453 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 24a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 18,5 MOHM @ 5A, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 12 V | 1900 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) |
2000+
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30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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