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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIR872DP-T1-GE3 | 2.8600 |  | 6287 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir872 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 53,7a (TC) | 10V | 18MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 2130 PF @ 75 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI9410BDY-T1-E3 | - - - | | 3288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9410 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 6.2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 8.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SIHFPS40N50L-GE3 | 7.6600 | | 935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHFPS40N50L-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 500 V | 46a (TC) | 10V | 100mohm @ 28a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 380 nc @ 10 v | ± 30 v | 8110 PF @ 25 V. | - - - | 540W (TC) | |||||
 | SIHP065N60E-BE3 | 7.2600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 40a (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 74 NC @ 10 V | ± 30 v | 2700 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||||
 | SIB413DK-T1-GE3 | - - - | | 3563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB413 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 75mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 7.63 NC @ 5 V. | ± 12 V | 357 PF @ 10 V. | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SI7454FDP-T1-RE3 | 0,8800 | | 3018 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 7.2a (TA), 23,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 26,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1110 PF @ 50 V | - - - | 3.6W (TA), 39W (TC) | ||||||
 | SI3438DV-T1-GE3 | 1.1100 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3438 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 7.4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 35,5 MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 640 PF @ 20 V | - - - | 2W (TA), 3,5 W (TC) | |||||
| SI3473DDV-T1-GE3 | 0,5100 | | 8133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 17,8 MOHM @ 8,7A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 57 NC @ 8 V | ± 8 v | 1975 PF @ 6 V | - - - | 3.6W (TC) | |||||
 | SIHB33N60EF-GE3 | 6.5000 | | 734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB33 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 98mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 30 v | 3454 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | |||||
 | IRFS11N50ATRLP | 2.9400 | | 330 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS11 | MOSFET (Metalloxid) | To-263ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | |||||
 | IRFR220TRLPBF | 0,9300 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR220 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 4.8a (TC) | 10V | 800MOHM @ 2,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | IRF520PBF-BE3 | 1.1700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF520PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 5,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | |||||
| IRF9640PBF-BE3 | 2.0400 | | 674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9640 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF9640PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
| SI4933DY-T1-GE3 | - - - | | 1767 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4933 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 7.4a | 14mohm @ 9,8a, 4,5 V. | 1V @ 500 ähm | 70NC @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI7848BDP-T1-GE3 | 1.7500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7848 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 47a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 16a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 2000 PF @ 20 V | - - - | 4.2W (TA), 36W (TC) | |||||
 | VQ1004P-2 | - - - | | 6690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | - - - | - - - | VQ1004 | - - - | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - - - | - - - | 5v, 10V | - - - | - - - | ± 20 V | - - - | - - - | |||||||
| SQJB02ELP-T1_GE3 | 1.0900 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB02 | MOSFET (Metalloxid) | 27W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 30a (TC) | 7,5 MOHM @ 6a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 32nc @ 10v | 1700pf @ 20V | - - - | |||||||
 | SI7445DP-T1-E3 | - - - | | 4828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7445 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 12a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 7,7 MOHM @ 19A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 140 nc @ 5 v | ± 8 v | - - - | 1,9W (TA) | |||||
| SI4634DY-T1-E3 | 1.7700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4634 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 24,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.2mohm @ 15a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3150 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
| SI9936BDY-T1-GE3 | - - - | | 1375 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9936 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4,5a | 35mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHP38N60E-GE3 | 6.6100 | | 987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP38 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 43a (TC) | 10V | 65mohm @ 19a, 10V | 4v @ 250 ähm | 183 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3600 PF @ 100 V | - - - | 313W (TC) | |||||
| SI4539ADY-T1-E3 | - - - | | 8006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4539 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 4,4a, 3,7a | 36mohm @ 5.9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIS780DN-T1-GE3 | 0,6800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sis780 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 24,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 722 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 27.7W (TC) | ||||||
 | 2N7002-T1-E3 | 0,6500 | | 404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | To-236 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 115 Ma (TA) | 5v, 10V | 7.5OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 200 MW (TA) | |||||
| SI2329DS-T1-GE3 | 0,5900 | | 6689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2329 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 6a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5,3a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 29 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | 1485 PF @ 4 V. | - - - | 2,5 W (TC) | ||||
| SQ2319ADS-T1_GE3 | 0,6900 | | 3532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2319 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 4.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 620 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TC) | |||||
| SQ4080EY-T1_BE3 | 1.3300 | | 6462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 18a (TC) | 10V | 85mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1590 PF @ 75 V | - - - | 7.1W (TC) | |||||||
 | SQJ423EP-T1_BE3 | 1.1200 | | 2420 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ423EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 55a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 4500 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||
 | SIA427DJ-T1-GE3 | 0,5700 | | 505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA427 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 12a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 16mohm @ 8.2a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 50 nc @ 5 v | ± 5 V | 2300 PF @ 4 V. | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SQJ168ELP-T1_GE3 | 0,8800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-sqj168elp-t1_ge3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 24a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 36mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 987 PF @ 25 V. | - - - | 29.4W (TC) |
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