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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHB4N80E-GE3 | 1.1723 |  | 9370 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB4 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 4.3a (TC) | 10V | 1,27OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 30 v | 622 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | ||||||||
 | Siz704dt-T1-GE3 | 1.1300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Siz704 | MOSFET (Metalloxid) | 20W, 30W | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 12a, 16a | 24MOHM @ 7.8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 435PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | SIHA25N60EFL-E3 | 2.4990 | | 8882 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha25 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 146mohm @ 12.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 30 v | 2274 PF @ 100 V | - - - | 39W (TC) | ||||||||
 | SI2309CDS-T1-BE3 | 0,5500 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 1,2a (TA), 1,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 345MOHM @ 1,25A, 10V | 3v @ 250 ähm | 4.1 NC @ 4.5 V. | ± 20 V | 210 PF @ 30 V | - - - | 1W (TA), 1,7W (TC) | ||||||||||
 | SQJ500AEP-T1_GE3 | 1.6100 | | 5831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ500 | - - - | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 40V | 30a (TC) | 27mohm @ 6a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 38.1nc @ 10v | 1850pf @ 20V | - - - | ||||||||||
 | U431 | - - - | | 5300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | U431 | 500 MW | To-78-6 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 2 n-kanal (dual) | 5pf @ 10v | 25 v | 24 mA @ 10 v | 2 V @ 1 na | |||||||||||||
 | SI4636DY-T1-GE3 | - - - | | 9041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4636 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 17a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 16 v | 2635 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 4,4W (TC) | |||||||
 | SI3948DV-T1-GE3 | - - - | | 1883 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3948 | MOSFET (Metalloxid) | 1.15W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | - - - | 105mohm @ 2,5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 3.2nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | SQ2309ES-T1_GE3 | 0,6700 | | 3026 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2309 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 1.7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 336MOHM @ 3,8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 8,5 NC @ 10 V | ± 20 V | 265 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TC) | ||||||||
| V30393-T1-E3 | - - - | | 1069 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30393 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||
| SI5480DU-T1-GE3 | - - - | | 7563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5480 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 7.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1230 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||||
 | SI6413DQ-T1-GE3 | - - - | | 3197 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6413 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7.2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 10MOHM @ 8,8a, 4,5 V. | 800 MV @ 400 ähm | 105 NC @ 5 V | ± 8 v | - - - | 1.05W (TA) | ||||||||
 | SI7160DP-T1-E3 | - - - | | 7774 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7160 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8,7 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 16 v | 2970 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 27,7W (TC) | |||||||
 | SI7964DP-T1-E3 | - - - | | 3245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7964 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6.1a | 23mohm @ 9.6a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 65nc @ 10v | - - - | - - - | |||||||||
 | SIHP25N50E-Be3 | 3.2100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 26a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1980 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||||
 | SUD06N10-225L-GE3 | - - - | | 7381 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SUD06 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 6,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 200mohm @ 3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 4 NC @ 5 V. | ± 20 V | 240 PF @ 25 V. | - - - | 1,25W (TA), 16,7W (TC) | |||||||
 | SIE818DF-T1-E3 | 3.9800 | | 5543 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie818 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 16A, 10V | 3v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3200 PF @ 38 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||||||
 | SI5475BDC-T1-GE3 | - - - | | 6911 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5475 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 28mohm @ 5,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 40 nc @ 8 v | ± 8 v | 1400 PF @ 6 V | - - - | 2,5 W (TA), 6,3 W (TC) | |||||||
| SUD50P10-43L-BE3 | 2.6500 | | 4455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-Sud50p10-43L-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 9,2a (TA), 37,1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 43mohm @ 9.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||||||
| SI4477DY-T1-GE3 | 1.4600 | | 9032 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4477 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 26,6a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 6,2 Mohm @ 18a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 12 V | 4600 PF @ 10 V. | - - - | 3W (TA), 6,6 W (TC) | ||||||||
| SI2325D-T1-GE3 | 1.0000 | | 2399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2325 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 150 v | 530 Ma (TA) | 6 V, 10V | 1,2OHM @ 500 mA, 10 V. | 4,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 510 PF @ 25 V. | - - - | 750 MW (TA) | |||||||
 | IRL540Strl | - - - | | 1719 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | 2v @ 250 ähm | 64 NC @ 5 V | ± 10 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||||
 | SIR576DP-T1-RE3 | 1.4000 | | 9870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR576DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 11,1a (TA), 42,4a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 16mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1870 PF @ 75 V | - - - | 5W (TA), 71,4W (TC) | |||||||||
 | IRFR430ATRPBF | 1,9000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR430 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,7ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 490 PF @ 25 V. | - - - | 110W (TC) | ||||||||
| SIR800ADP-T1-GE3 | 1.5500 | | 275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir800 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 50,2a (TA), 177a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 1,35 MOHM @ 10a, 10 V | 1,5 V @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | +12 V, -8 V | 3415 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 62,5W (TC) | ||||||||
| SI6966DQ-T1-E3 | - - - | | 2975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6966 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4a | 30mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
| SQJ150EP-T1_GE3 | 0,8500 | | 3015 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ150 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ150EP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 66a (TC) | 10V | 8.4mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 1274 PF @ 25 V. | - - - | 65W (TC) | |||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | 1.7200 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir104 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 18,8a (TA), 81a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.1MOHM @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 4870 PF @ 50 V | - - - | 5.4W (TA), 100W (TC) | ||||||||
| SI4940DY-T1-GE3 | - - - | | 5190 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4940 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 4.2a | 36mohm @ 5.7a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 14nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SIJ4819DP-T1-GE3 | 2.2100 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 80 v | 11,5a (TA), 44,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20,7mohm @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 20 V | 3420 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 73,5W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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