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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI9934BDY-T1-E3 | - - - |  | 8769 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9934 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4.8a | 35mohm @ 6,4a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQJA82EP-T1_BE3 | 1.1900 | | 1790 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJA82EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.2mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||
| SI4559ADY-T1-E3 | 1.5600 | | 103 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4559 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W, 3.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 60 v | 5.3a, 3,9a | 58mohm @ 4,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 665PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI8473EDB-T1-E1 | - - - | | 1574 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8473 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 41mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | ± 12 V | - - - | 1,1W (TA), 2,7W (TC) | ||||||
 | SI7159DP-T1-GE3 | - - - | | 5642 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7159 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | ± 25 V | 5170 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | IRF830ASTRLPBF | 2.3800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 620 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||||
 | Sihu6n65e-GE3 | 0,7796 | | 6308 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Lange Leads, ipak, to-251ab | Sihu6 | MOSFET (Metalloxid) | Ipak (to-251) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 30 v | 820 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | |||||
| IRF9Z34SPBF | 2.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9Z34 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 10V | 140Mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SQM120N04-1M7_GE3 | 2.1512 | | 7763 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SQM120N04-1m7-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 10V | 1,7 MOHM @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 310 nc @ 10 v | ± 20 V | 17350 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||
 | SQJA82EP-T1_GE3 | 1.1900 | | 3840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja82 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.2mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
 | SIS496EDNT-T1-GE3 | - - - | | 9544 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS496 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1515 PF @ 15 V | - - - | 52W (TC) | ||||||
 | SIZ348DT-T1-GE3 | 1.1500 | | 5734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz348 | MOSFET (Metalloxid) | 3,7W (TA), 16,7W (TC) | 8-Power33 (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 18a (TA), 30a (TC) | 7.12mohm @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 18.2nc @ 10v | 820pf @ 15V | - - - | |||||||
| SI7459DP-T1-E3 | - - - | | 1431 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7459 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 10V | 6,8 MOHM @ 22A, 10V | 3v @ 250 ähm | 170 nc @ 10 v | ± 25 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | 1.6000 | | 54 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4459 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 29a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 195 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6000 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | |||||
 | SIA459EDJ-T1-GE3 | 0,5000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA459 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 35mohm @ 5a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 12 V | 885 PF @ 10 V | - - - | 2,9W (TA), 15,6 W (TC) | |||||
 | SI1307DL-T1-GE3 | - - - | | 8633 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1307 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 850 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 290MOHM @ 1A, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 290 MW (TA) | |||||
 | SIR514DP-T1-RE3 | 1.9800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 20,8a (TA), 84,8a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 20 V | 2550 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 83,3W (TC) | ||||||
 | SIR4608DP-T1-GE3 | 1.1600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir4608 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 13,1a (TA), 42,8a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 11,8 MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 740 PF @ 30 V | - - - | 3.6W (TA), 39W (TC) | |||||
 | SIHW70N60EF-GE3 | 8.2809 | | 8568 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHW70 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 70a (TC) | 10V | 38mohm @ 35a, 10V | 4v @ 250 ähm | 380 nc @ 10 v | ± 30 v | 7500 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
| Siz328dt-T1-GE3 | 0,9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz328 | MOSFET (Metalloxid) | 2,9W (TA), 15W (TC), 3,6W (TA), 16,2W (TC) | 8-Power33 (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 11,1a (TA), 25,3a (TC), 15A (TA), 30A (TC) | 15mohm @ 5a, 10V, 10Mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6,9nc @ 10v, 11.3nc @ 10v | 325PF @ 10V, 600PF @ 10V | - - - | |||||||
| SI7172ADP-T1-RE3 | 1.2000 | | 9558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7172 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 5.3a (TA), 17,2a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 50mohm @ 10a, 10V | 3,1 V @ 250 ähm | 19,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1110 PF @ 100 V | - - - | - - - | |||||
 | Sia922edj-T4-GE3 | - - - | | 4377 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia922 | MOSFET (Metalloxid) | 1,9W (TA), 7,8W (TC) | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4,4a (TA), 4,5a (TC) | 64mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | - - - | - - - | |||||||
| SIHB22N60AEL-GE3 | 3.9200 | | 87 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB22 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 82 NC @ 10 V | ± 30 v | 1757 PF @ 100 V | - - - | 208W (TC) | |||||
 | SQUN702E-T1_GE3 | 3.6300 | | 1826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Sterben | Squn702 | MOSFET (Metalloxid) | 48W (TC), 60 W (TC) | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 40V, 200V | 30a (TC), 20a (TC) | 9,2mohm @ 9,8a, 10V, 60MOHM @ 5A, 10V, 30MOHM @ 6a, 10V | 2,5 V bei 250 UA, 3,5 V BEI 250 µA | 23nc @ 20v, 14nc @ 20v, 30.2nc @ 100V | 1474pf @ 20V, 1450pf @ 20V, 1302pf @ 100V | - - - | |||||||
 | SISHA10DN-T1-GE3 | 0,9500 | | 1701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | Sisha10 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 25a (TA), 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,7 MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | +20V, -16v | 2425 PF @ 15 V | - - - | 3.6W (TA), 39W (TC) | |||||
 | SISS60DN-T1-GE3 | 1.5100 | | 1881 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS60 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50,1a (TA), 181,8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,31MOHM @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 85,5 NC @ 10 V. | +16 V, -12v | 3960 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 5.1W (TA), 65,8W (TC) | |||||
| Sihu4n80ae-GE3 | 1.6100 | | 1830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Lange Leads, ipak, to-251ab | Sihu4 | MOSFET (Metalloxid) | Ipak (to-251) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 800 V | 4.3a (TC) | 10V | 1,27OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 30 v | 622 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | |||||
 | SQJA38EP-T1_GE3 | 1.1600 | | 5603 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja38 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,9 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 3900 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
| Sira18bdp-T1-GE3 | 0,4900 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira18 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 19A (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,83 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | +20V, -16v | 680 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 17W (TC) | |||||
 | SIHF9520S-GE3 | 1.0900 | | 3888 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHF9520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 100 v | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) |
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