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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQS482ENW-T1_GE3 | 0,9200 |  | 4814 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS482 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 16.4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1865 PF @ 25 V. | - - - | 62W (TC) | ||||||||
 | Sira64dp-t1-re3 | 0,9200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira64 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,1 MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3420 PF @ 15 V | - - - | 27,8W (TC) | ||||||||
 | SIHG24N65EF-GE3 | 6.2600 | | 1279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG24 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2774 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||
 | SUM70040E-GE3 | 3.0600 | | 1615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum70040 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5100 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | ||||||||
 | SI1013R-T1-GE3 | 0,4500 | | 124 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | SI1013 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 350 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,2OHM @ 350 mA, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 1,5 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||
 | SIHP18N50C-E3 | 2.8500 | | 877 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP18 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHP18N50CE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 18a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 76 NC @ 10 V | ± 30 v | 2942 PF @ 25 V. | - - - | 223W (TC) | |||||||
 | SIHD6N80E-GE3 | 2.1300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd6 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 940Mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 827 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | ||||||||
 | SQJ990EP-T1_GE3 | 1.4100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ990 | MOSFET (Metalloxid) | 48W | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 34a (TC) | 40mohm @ 6a, 10V, 19Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v, 15nc @ 10v | 1390pf @ 25v, 650pf @ 25v | - - - | ||||||||||
 | 2N4416 | - - - | | 6936 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 2N4416 | 300 MW | To-206af (bis 72) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 4pf @ 15V | 30 v | 5 ma @ 15 V | 3 V @ 1 na | |||||||||||||
 | SIA416DJ-T1-GE3 | 0,7100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA416 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 11.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 83mohm @ 3.2a, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 295 PF @ 50 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | ||||||||
| Sidr668adp-t1-re3 | 2.4800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr668 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIDR668ADP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 23,3a (TA), 104a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 81 NC @ 10 V | ± 20 V | 3750 PF @ 50 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | |||||||
 | SI4322DY-T1-GE3 | - - - | | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4322 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8,5 MOHM @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1640 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 5,4W (TC) | |||||||
 | Siz346dt-T1-GE3 | 0,7300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Powerpair®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz346 | MOSFET (Metalloxid) | 16W, 16,7W | 8-Power33 (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 17A (TC), 30a (TC) | 28,5 MOHM @ 10a, 10 V, 11,5 Mohm @ 14,4a, 10 V | 2,2 V @ 250 UA, 2,4 V @ 250 µA | 5NC @ 4,5V, 9NC @ 4,5V | 325PF @ 15V, 650pf @ 15V | - - - | ||||||||||
 | SI7120ADN-T1-GE3 | 1.6600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7120 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 9.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||
| SIA418DJ-T1-GE3 | - - - | | 9866 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA418 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 18Mohm @ 9a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | ||||||||
 | SQR50N04-3M8_GE3 | 1.6200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-4, dpak (3 Leads + Tab) | SQR50 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak (to-252) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 3,8 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 6700 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||||||
 | IRFU9210PBF | 1.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9210 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU9210PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 1,9a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||||
 | SIB410DK-T1-GE3 | - - - | | 9766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB410 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 42mohm @ 3,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15 NC @ 8 V | ± 8 v | 560 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 13W (TC) | ||||||||
 | SI7192DP-T1-GE3 | 3.1700 | | 5365 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7192 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,9 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 5800 PF @ 15 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||
| SI4944DY-T1-GE3 | - - - | | 1152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4944 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 9.3a | 9,5 MOHM @ 12,2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SIE830DF-T1-GE3 | - - - | | 2024 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | WFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (s) | Sie830 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (s) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,2mohm @ 16a, 10V | 2v @ 250 ähm | 115 NC @ 10 V | ± 12 V | 5500 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||||
| SUD23N06-31L-T4BE3 | 0,9800 | | 4284 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud23 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-Sud23N06-31L-T4BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 9,1a (TA), 21,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 5,7W (TA), 31,25W (TC) | ||||||||
| SUD50N04-09H-E3 | - - - | | 6881 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 9mohm @ 20a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 3700 PF @ 25 V. | - - - | 83.3W (TC) | ||||||||
| 2N5546JTX01 | - - - | | 6851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-71-6 | 2n5546 | To-71 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | |||||||||||||||||
| SQM110N05-06L_GE3 | 3.0700 | | 1185 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 55 v | 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 4440 PF @ 25 V. | - - - | 157W (TC) | ||||||||
 | SQ2315ES-T1_GE3 | 0,6000 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2315 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 50 MOHM @ 3,5A, 10V | 1V @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 870 PF @ 4 V. | - - - | 2W (TC) | ||||||||
 | SI5476DU-T1-GE3 | 1.3200 | | 664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5476 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 34mohm @ 4.6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1100 PF @ 30 V | - - - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||||||
 | SIHP10N40D-GE3 | 1.4400 | | 416 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP10 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 526 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | ||||||||
| SUP10250E-GE3 | 2.8900 | | 2400 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup10250 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 63a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 375W (TC) | ||||||||||
 | SI7288DP-T1-GE3 | 1.5200 | | 132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7288 | MOSFET (Metalloxid) | 15.6W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 20a | 19Mohm @ 10a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 15nc @ 10v | 565PF @ 20V | - - - |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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