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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQP120N10-3M8_GE3 | - - - |  | 5436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP120 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 10V | 3,8 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 7230 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SI4170DY-T1-GE3 | - - - | | 3389 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4170 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 4355 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 6W (TC) | ||||
 | SQJ418EP-T1_GE3 | 1.1800 | | 25 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ418 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 48a (TC) | 10V | 14mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
 | SI7135DP-T1-GE3 | 2.2300 | | 3236 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7135 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,9 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 250 NC @ 10 V | ± 20 V | 8650 PF @ 15 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | VQ2001P-2 | - - - | | 7358 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 14-DIP | VQ2001 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 14-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 p-kanal | 30V | 600 mA | 2OHM @ 1a, 12V | 4,5 V @ 1ma | - - - | 150pf @ 15V | - - - | ||||||
 | SISS63DN-T1-GE3 | 1.0000 | | 37 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS63 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 35,1a (TA), 127,5a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 2,7 MOHM @ 15a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 236 NC @ 8 V | ± 12 V | 7080 PF @ 10 V | - - - | 5W (TA), 65,8W (TC) | |||||
 | SIHH11N65E-T1-GE3 | 2.1897 | | 9816 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Sihh11 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 363mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1257 PF @ 100 V | - - - | 130W (TC) | |||||
 | IRF520strr | - - - | | 4252 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 5,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||||
 | SI3473CDV-T1-E3 | 0,7100 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 22mohm @ 8.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 65 NC @ 8 V | ± 8 v | 2010 PF @ 6 V | - - - | 4.2W (TC) | |||||
 | IRFP22N50APBF | 5.5300 | | 4518 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP22 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP22N50APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 22a (TC) | 10V | 230mohm @ 13a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 3450 PF @ 25 V. | - - - | 277W (TC) | ||||
| SIR826ADP-T1-GE3 | 2.5400 | | 9717 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir826 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 20 V | 2800 PF @ 40 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| SQ4401EY-T1_GE3 | 2.9300 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 17.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 10.5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 115 NC @ 10 V | ± 20 V | 4250 PF @ 20 V | - - - | 7.14W (TC) | |||||
| SQJ407EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 6300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ407 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.4mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 260 NC @ 10 V | ± 20 V | 10700 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||
 | SUM110P04-05-E3 | 4.7600 | | 70 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 40 v | 110a (TC) | 10V | 5mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 280 nc @ 10 v | ± 20 V | 11300 PF @ 25 V. | - - - | 15W (TA), 375W (TC) | |||||
| Si4966dy-e3 | - - - | | 7920 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4966 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | - - - | 25mo @ 7.1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 50nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFRC20TR | - - - | | 2891 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4,4ohm @ 1,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | 2N6661JTXL02 | - - - | | 8572 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6661 | MOSFET (Metalloxid) | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 90 v | 860 mA (TC) | 5v, 10V | 4OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
| IRFR224TR | - - - | | 6167 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR224 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1,1OHM @ 2,3a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | SQJA64EP-T1_BE3 | 0,7300 | | 7773 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJA64EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15a (TC) | 10V | 32mohm @ 4a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | ||||||
| SUM110P08-11L-E3 | 4.6500 | | 9813 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 80 v | 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11.2mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 270 nc @ 10 v | ± 20 V | 10850 PF @ 40 V | - - - | 13,6 W (TA), 375W (TC) | ||||
 | SI6969BDQ-T1-GE3 | - - - | | 1758 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6969 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4a | 30mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 25nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| Sira64dp-t1-re3 | 0,9200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira64 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,1 MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3420 PF @ 15 V | - - - | 27,8W (TC) | |||||
 | SIDR626DP-T1-GE3 | 2.8400 | | 141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr626 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 42,8a (TA), 100A (TC) | 6 V, 10V | 1,7 MOHM @ 20A, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 102 NC @ 10 V | ± 20 V | 5130 PF @ 30 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | |||||
| VQ2001P | - - - | | 5621 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | - - - | VQ2001 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 p-kanal | 30V | 600 mA | 2OHM @ 1a, 12V | 4,5 V @ 1ma | - - - | 150pf @ 15V | - - - | |||||||
 | SIA440DJ-T1-GE3 | 0,4800 | | 27 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA440 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 12a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 26mohm @ 9a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 21,5 NC @ 10 V. | ± 12 V | 700 PF @ 20 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
 | Sqs460enw-t1_ge3 | 0,8900 | | 5409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS460 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 36mohm @ 5.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 755 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | |||||
 | SI5456DU-T1-GE3 | - - - | | 8269 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5456 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10mohm @ 9.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 10 V | - - - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
 | SI5473DC-T1-GE3 | - - - | | 9797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5473 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5.9a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 5,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 32 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
| SQS482ENW-T1_GE3 | 0,9200 | | 4814 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS482 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 16.4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1865 PF @ 25 V. | - - - | 62W (TC) | |||||
| IRL620 | - - - | | 6237 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL620 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL620 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 4V, 5V | 800mohm @ 3.1a, 5V | 2v @ 250 ähm | 16 NC @ 5 V | ± 10 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) |
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