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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7164DP-T1-GE3 | 2.9100 |  | 984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7164 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 10V | 6,25 MOHM @ 10a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 2830 PF @ 30 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| SIR104DP-T1-RE3 | 2.4900 | | 1220 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir104 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 18,3a (TA), 79a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 6.4mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 20 V | 4230 PF @ 50 V | - - - | 5.4W (TA), 100W (TC) | |||||
 | SQJ476EP-T1_GE3 | 0,9400 | | 2630 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ476 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 23a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 38mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | |||||
 | Sum70042e-GE3 | 2.9900 | | 1291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Streiflen | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-sum70042e-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 150a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 6490 PF @ 50 V | - - - | 278W (TC) | |||||
 | SI4825DDY-T1-GE3 | 0,9400 | | 128 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4825 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 14,9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 25 V | 2550 PF @ 15 V | - - - | 2,7W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SI1553CDL-T1-GE3 | 0,5000 | | 64 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1553 | MOSFET (Metalloxid) | 340 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 700 mA, 500 mA | 390MOHM @ 700 Ma, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,8nc @ 10v | 38PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFR110TRR | - - - | | 2423 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540MOHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
 | IRFBC30STRLPBF | 2.9100 | | 52 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 660 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
 | SUD50N03-06P-E3 | - - - | | 5992 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 84a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 3100 PF @ 25 V. | - - - | 8.3W (TA), 88W (TC) | ||||
 | IRFI9520GPBF | 2.5000 | | 7933 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI9520GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 5.2a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | ||||
 | SI7322ADN-T1-GE3 | 0,6800 | | 6488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7322 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 15.1a (TC) | 10V | 57mohm @ 5.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 50 V | - - - | 26W (TC) | |||||
 | SIS9634LDN-T1-GE3 | 1.2600 | | 8140 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SIS9634 | MOSFET (Metalloxid) | 2,5 W (TA), 17,9 W (TC) | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIS9634LDN-T1-GE3DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6a (ta), 6a (TC) | 31mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 10v | 420pf @ 30v | - - - | ||||||
| SQ4470EY-T1_BE3 | 1.6500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4470 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 16a (TC) | 6 V, 10V | 12mohm @ 6a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3165 PF @ 25 V. | - - - | 7.1W (TC) | ||||||
| SISA35DN-T1-GE3 | 0,5200 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa35 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 10a (ta), 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 9a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1500 PF @ 15 V | - - - | 3.2W (TA), 24W (TC) | |||||
 | IRFPE40 | - - - | | 9320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPE40 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPE40 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 2OHM @ 3.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | SIHF520Strr-GE3 | 0,5608 | | 5659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHF520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHF520Strr-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 5,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | ||||
 | SI5443DC-T1-E3 | - - - | | 9334 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5443 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 65mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 14 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||
| SI1442DH-T1-BE3 | 0,4500 | | 4936 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1442 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 4a (ta) | 20mohm @ 6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 33 NC @ 8 V | ± 8 v | 1010 PF @ 6 V | - - - | 1,56W (TA) | ||||||
 | IRF720L | - - - | | 8420 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF720 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF720L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1,8ohm @ 2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 410 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
 | IRFD224PBF | 1.4900 | | 2298 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD224 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFD224PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 630 Ma (TA) | 10V | 1,1OHM @ 380 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | ||||
| SI7852DP-T1-E3 | 2.5000 | | 7609 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7852 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 7.6a (ta) | 6 V, 10V | 16,5 MOHM @ 10a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| IRF630Strl | - - - | | 2493 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 800 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||
 | IRFB9N60A | - - - | | 4304 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB9N60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFB9N60A | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | |||
 | SI5938DU-T1-E3 | - - - | | 5930 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5938 | MOSFET (Metalloxid) | 8.3W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 6a | 39mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 16nc @ 8v | 520pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFR9024TRPBF | 1.2900 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 8.8a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| IRFZ40PBF | 2.7800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFZ40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFZ40PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
 | SI3993CDV-T1-GE3 | 0,5100 | | 9869 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3993 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 2.9a | 111mohm @ 2,5a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 8nc @ 10v | 210pf @ 15V | - - - | |||||||
 | IRFL9014 | - - - | | 1285 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IRFL9014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFL9014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | P-Kanal | 60 v | 1,8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1,1a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||
| SIHFR1N60ATR-GE3 | 0,3410 | | 2692 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihfr1 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 229 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | |||||
| IRFZ24PBF | 1.6400 | | 662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irfz24 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFZ24PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) |
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