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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4940DY-T1-E3 | - - - |  | 5892 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4940 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 4.2a | 36mohm @ 5.7a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 14nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| Si4966dy-e3 | - - - | | 7920 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4966 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | - - - | 25mo @ 7.1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 50nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| SI4966DY-GE3 | - - - | | 4448 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4966 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | - - - | 25mo @ 7.1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 50nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI7104DN-T1-E3 | 0,9923 | | 9071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7104 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 35a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,7 MOHM @ 26,1a, 4,5 V. | 1,8 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 12 V | 2800 PF @ 6 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI7136DP-T1-GE3 | - - - | | 9959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7136 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 3380 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 39W (TC) | ||||
| SI7302DN-T1-E3 | - - - | | 5644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7302 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 220 V | 8.4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 320mohm @ 2,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 645 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SIHG25N40D-E3 | 3.7000 | | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG25 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHG25N40DE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 400 V | 25a (TC) | 10V | 170Mohm @ 13a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 30 v | 1707 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | ||||
 | SI2303BDS-T1 | - - - | | 6326 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1.49a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 200mohm @ 1,7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 180 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||
 | SI7872DP-T1-GE3 | - - - | | 2380 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7872 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 6.4a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIA950DJ-T1-GE3 | - - - | | 3492 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA950 | MOSFET (Metalloxid) | 7W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 190V | 950 Ma | 3,8ohm bei 360 mA, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 4,5nc @ 10v | 90PF @ 100V | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIE818DF-T1-GE3 | 1.9970 | | 1947 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie818 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 16A, 10V | 3v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3200 PF @ 38 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SUD50P04-13L-GE3 | - - - | | 8598 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3120 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 93,7W (TC) | ||||
| SI2327D-T1-GE3 | - - - | | 6148 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2327 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 380 Ma (TA) | 6 V, 10V | 2,35OHM @ 500 mA, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 510 PF @ 25 V. | - - - | 750 MW (TA) | ||||
| SI2343CDS-T1-GE3 | 0,6200 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 5.9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 4.2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 590 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | ||||
 | SI3464DV-T1-GE3 | 0,6200 | | 143 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3464 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 7,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 8 v | 1065 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA), 3,6 W (TC) | |||||
| SI4823DY-T1-GE3 | - - - | | 4938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4823 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 4.1a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 108mohm @ 3,3a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 12 V | 660 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,7W (TA), 2,8 W (TC) | |||||
| SI4850EY-T1-GE3 | 1.7700 | | 558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4850 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 22mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.7W (TA) | ||||||
 | SI5513CDC-T1-GE3 | 0,6200 | | 7886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5513 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 4a, 3,7a | 55mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 4.2nc @ 5v | 285PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
| SI5908DC-T1-GE3 | 1.3900 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5908 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4.4a | 40mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI7236DP-T1-GE3 | - - - | | 3838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7236 | MOSFET (Metalloxid) | 46W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 60a | 5.2mohm @ 20.7a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 105nc @ 10v | 4000PF @ 10V | - - - | |||||||
 | SIDR220DP-T1-GE3 | 2.8000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr220 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 87,7a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 20a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 1085 PF @ 10 V. | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | |||||
| SQD50P08-28-T4_GE3 | 0,6985 | | 7852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD50P08-28-T4_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 80 v | 48a (TC) | 10V | 28mohm @ 12.5a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6035 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | ||||
 | SIHF520Strr-GE3 | 0,5608 | | 5659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHF520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHF520Strr-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 5,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | ||||
| SQJ910AEP-T2_GE3 | 0,5433 | | 7378 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ910 | MOSFET (Metalloxid) | 48W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ910AEP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 30a (TC) | 7mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 39nc @ 10v | 1869Pf @ 15V | - - - | ||||||
| SQD45P03-12-T4_GE3 | 0,6597 | | 7337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD45 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD45P03-12-T4_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10Mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 83 NC @ 10 V | ± 20 V | 3495 PF @ 15 V | - - - | 71W (TC) | ||||
| SQJ431EP-T2_GE3 | 0,9356 | | 1591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ431 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ431EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 12a (TC) | 6 V, 10V | 213mohm @ 3,8a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 106 NC @ 10 V | ± 20 V | 4355 PF @ 25 V. | - - - | 83W (TC) | ||||
| SIHFU9220-GE3 | 0,9400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | SIHFU9220 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 3400 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| SQC40016E_DFFR | 2.1000 | | 9527 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | - - - | - - - | SQC40016 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-sqc40016e_dffr | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||
| SQD30N05-20L_T4GE3 | 0,4851 | | 9765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD30 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD30N05-20L_T4GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 55 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 20 V | 1175 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
| SQD40N10-25-T4_GE3 | 0,6985 | | 7688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD40 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD40N10-25-T4_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 25mohm @ 40a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 3380 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) |
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