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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQS423ENW-T1_GE3 | - - - |  | 6729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS423 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-sqs423enw-t1_ge3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1975 PF @ 15 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||||
 | IRFD9020PBF | 1.6700 | | 505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9020 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFD9020PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | P-Kanal | 60 v | 1,6a (ta) | 10V | 280 MOHM @ 960 mA, 10V | 4 V @ 1 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | |||||||
 | SQ3456BEV-T1_GE3 | 0,6900 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3456 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 7.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 370 PF @ 15 V | - - - | 4W (TC) | ||||||||
 | U430-e3 | - - - | | 1784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Bis 78-6 Metalldose | U430 | 500 MW | To-78-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 2 n-kanal (dual) | 5pf @ 10v | 25 v | 12 mA @ 10 v | 1 V @ 1 na | |||||||||||||
 | SQM40020E_GE3 | 2.4400 | | 5592 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM40020 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 2,33 MOHM @ 20A, 10 V. | 3,5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 8000 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||
 | SI7392ADP-T1-GE3 | - - - | | 3398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7392 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 12,5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1465 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 27,5 W (TC) | |||||||
 | SIHB10N40D-GE3 | 1.7100 | | 7918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB10 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 526 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | ||||||||
 | SISH129DN-T1-GE3 | 0,9300 | | 5287 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH129 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 14,4a (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11.4mohm @ 14.4a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 71 NC @ 10 V | ± 20 V | 3345 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 52,1W (TC) | ||||||||
 | SQJ407EP-T1_BE3 | 1.4800 | | 1406 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ407EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.4mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 260 NC @ 10 V | ± 20 V | 10700 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||||||
| 2N4860JTXV02 | - - - | | 2023 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4860 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | |||||||||||||||||
 | SI4136DY-T1-GE3 | 1.6300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4136 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 46a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2mohm @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 4560 PF @ 10 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | ||||||||
| SI3993DV-T1-E3 | - - - | | 8921 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3993 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 1.8a | 133mohm @ 2,2a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 5nc @ 4,5 v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | SQJQ144AER-T1_GE3 | 2.8300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 575a (TC) | 10V | 0,9 MOHM @ 20A, 10 V. | 3,5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 9020 PF @ 25 V. | - - - | 600W (TC) | |||||||||
 | SI7228DN-T1-GE3 | - - - | | 7066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7228 | MOSFET (Metalloxid) | 23W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 26a | 20mohm @ 8.8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13nc @ 10v | 480pf @ 15V | - - - | ||||||||||
| SI7156DP-T1-E3 | - - - | | 2224 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7156 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 6900 PF @ 20 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||||
| SI4936ADY-T1-GE3 | 0,9072 | | 5028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4936 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4.4a | 36mohm @ 5.9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | IRFPC50LC | - - - | | 9050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPC50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPC50LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 600MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 30 v | 2300 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | ||||||
| SI4214DDY-T1-GE3 | 0,6900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4214 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8.5a | 19,5 MOHM @ 8A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 22nc @ 10v | 660PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||
 | IRFR9110TRLPBF | 1.5900 | | 1511 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 3.1a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||||||
 | SI1467DH-T1-GE3 | 0,6700 | | 9993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1467 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.7a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 90 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 13,5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 561 PF @ 10 V | - - - | 1,5 W (TA), 2,78 W (TC) | |||||||
| IRF9520Strr | - - - | | 5832 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||||||
 | 3N163-e3 | - - - | | 5647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 3N163 | MOSFET (Metalloxid) | To-72 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | P-Kanal | 40 v | 50 mA (ta) | 20V | 250 Ohm @ 100 µA, 20V | 5 V @ 10 µA | ± 30 v | 3,5 PF @ 15 V | - - - | 375 MW (TA) | ||||||||
 | IRFI540GPBF | 3.1800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI540GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 17a (TC) | 10V | 77mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||||
| SIR836DP-T1-GE3 | 0,8300 | | 3788 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir836 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 21a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 600 PF @ 20 V | - - - | 3,9W (TA), 15,6 W (TC) | ||||||||
| SUM50P10-42-E3 | - - - | | 1570 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum50 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 18.8W (TA), 125W (TC) | ||||||||
 | SI1013X-T1-E3 | - - - | | 8836 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | SI1013 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 350 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,2OHM @ 350 mA, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 1,5 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | - - - | 250 MW (TA) | ||||||||
 | SIA444DJT-T4-GE3 | - - - | | 1183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA444 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11A (TA), 12A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 7.4a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 560 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | ||||||||
 | SI6963BDQ-T1-GE3 | - - - | | 6140 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6963 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3.4a | 45mohm @ 3,9a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SI7421DN-T1-GE3 | 1.4600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7421 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 25mohm @ 9.8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||
| SI4483ADY-T1-GE3 | 1.2100 | | 7322 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4483 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 19,2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.8mohm @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 25 V | 3900 PF @ 15 V | - - - | 2,9W (TA), 5,9W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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