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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJ962EP-T1-GE3 | - - - |  | 1684 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ962 | MOSFET (Metalloxid) | 25W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 8a | 60MOHM @ 4.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14nc @ 10v | 475PF @ 25v | Logikpegel -tor | |||||||
 | SQJA12EP-T1_GE3 | 1.8800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | MOSFET (Metalloxid) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | - - - | 10V | 8.6mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 49.1 NC @ 10 V. | - - - | 3635 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||||||||
 | SQJ463EP-T1_GE3 | 3.2100 | | 8190 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ463 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10mohm @ 18a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 20 V | 5875 PF @ 20 V | - - - | 83W (TC) | |||||
 | IRF634StrRPBF | 2.1700 | | 2403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF634 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450MOHM @ 5.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 770 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
 | SIHJ7N65E-T1-GE3 | 1.1737 | | 7081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sihj7 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 7.9a (TC) | 10V | 598mohm @ 3,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 820 PF @ 100 V | - - - | 96W (TC) | |||||
 | IRLU024PBF | 1.7000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRLU024 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRLU024PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 4V, 5V | 100MOHM @ 8.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | IRFR310PBF | 1.5300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Irfr310 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SUD50N03-16P-E3 | - - - | | 3279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta), 37a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1150 PF @ 25 V. | - - - | 6,5 W (TA), 40,8W (TC) | ||||
| IRL510SPBF | 0,7072 | | 4109 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL510 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540MOHM @ 3.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 6.1 NC @ 5 V | ± 10 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SI8902AEDB-T2-E1 | 0.3005 | | 4477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-uFbga | SI8902 | MOSFET (Metalloxid) | 5.7W | 6-Mikro-Fuß ™ (1,5x1) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 24 v | 11a | 28mohm @ 1a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | - - - | - - - | - - - | |||||||
| SUD70090E-GE3 | 1.5800 | | 7571 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SUD70090 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 50a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8,9 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 1950 PF @ 50 V | - - - | 125W (TC) | |||||
 | SI1303DL-T1-GE3 | - - - | | 1080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1303 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 670 Ma (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 430mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 2,2 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 290 MW (TA) | |||||
| IRF710SPBF | 1.6000 | | 1793 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF710 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF710SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1,2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||
 | SI4324DY-T1-E3 | - - - | | 5464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4324 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 3510 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | ||||
 | IRFD220PBF | 1.4900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD220 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 800 mA (TA) | 10V | 800mohm @ 480 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||||
| IRLU120PBF | - - - | | 8753 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRLU120 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRLU120PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270 MOHM @ 4,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 10 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
| SiHU3N50D-GE3 | 0,3532 | | 7013 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Sihu3 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 3a (TC) | 10V | 3,2OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 175 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | |||||
 | SI7465DP-T1-GE3 | 1.3200 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7465 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 3.2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 64mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| IRFU014PBF | 1.3900 | | 34 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU014 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU014PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
 | Sia907edjt-T1-GE3 | 0,5500 | | 785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA907 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4,5a (TC) | 57mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 23nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI2338D-T1-BE3 | 0,5300 | | 9847 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI2338D-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 5,5a (TA), 6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 28mohm @ 5,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 424 PF @ 15 V | - - - | 1,3 W (TA), 2,5W (TC) | ||||||
 | SUP50020el-GE3 | 3.0600 | | 6173 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP50020 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,3 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 20 V | 11113 PF @ 30 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SI2323DS-T1 | - - - | | 9335 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2323 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.7a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 39mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 19 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1020 PF @ 10 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
| SIA810dj-t1-e3 | - - - | | 7278 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA810 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4,5a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 53mohm @ 3,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11.5 NC @ 8 V. | ± 8 v | 400 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,9W (TA), 6,5W (TC) | ||||
 | SIHA22N60AEL-GE3 | - - - | | 3849 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha22 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 82 NC @ 10 V | ± 30 v | 1757 PF @ 100 V | - - - | 35W (TC) | |||||
| IRFBC20Strr | - - - | | 2867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC20 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 2.2a (TC) | 10V | 4,4ohm @ 1,3a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
| 2N5116JTXL02 | - - - | | 4372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5116 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | ||||||||||||||
| SI4936CDY-T1-GE3 | 0,6300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4936 | MOSFET (Metalloxid) | 2.3W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5.8a | 40mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9nc @ 10v | 325PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | Irfi9610g | - - - | | 3023 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9610 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi9610g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 2a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | |||
| IRF520PBF | 1.1900 | | 6891 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF520PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 5,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) |
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