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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7439DP-T1-E3 | 3.9800 |  | 2592 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7439 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 150 v | 3a (ta) | 6 V, 10V | 90 MOHM @ 5.2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SI3456BDV-T1-E3 | - - - | | 1200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||
 | SI5473DC-T1-GE3 | - - - | | 9797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5473 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5.9a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 5,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 32 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SQD97N06-6M3L_GE3 | 1.6600 | | 8375 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD97 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 97a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,3 Mohm @ 25a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 125 NC @ 10 V | ± 20 V | 6060 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||
| SIR870DP-T1-GE3 | 2.5100 | | 6769 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir870 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 20 V | 2840 PF @ 50 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||
 | SI4101DY-T1-GE3 | 0,9100 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4101 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 25,7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 203 NC @ 10 V | ± 20 V | 8190 PF @ 15 V | - - - | 6W (TC) | |||||
 | SI1442DH-T1-GE3 | 0,4500 | | 7631 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1442 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 4a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 20mohm @ 6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 33 NC @ 8 V | ± 8 v | 1010 PF @ 6 V | - - - | 1,56W (TA), 2,8 W (TC) | ||||
 | SI2333DDS-T1-BE3 | 0,4200 | | 2908 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI2333DDS-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5a (ta), 6a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 28mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 35 nc @ 8 v | ± 8 v | 1275 PF @ 6 V. | - - - | 1,2W (TA), 1,7W (TC) | ||||||
 | SISS588DN-T1-GE3 | 1.3600 | | 6289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SISS588DN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 16,9a (TA), 58,1a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 28,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1380 PF @ 40 V | - - - | 4,8W (TA), 56,8W (TC) | |||||
 | SIDR220DP-T1-RE3 | 2.7700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIDR220DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 87,7a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 20a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 10850 PF @ 10 V. | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | ||||||
| SI4567DY-T1-GE3 | - - - | | 8437 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4567 | MOSFET (Metalloxid) | 2,75W, 2,95W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 5a, 4,4a | 60MOHM @ 4.1a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 355PF @ 20V | - - - | ||||||
 | SQJQ184ER-T1_GE3 | 3.6700 | | 451 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powermd, Möwenflügel | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 80 v | 430a (TC) | 10V | 1,4mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 240 nc @ 10 v | ± 20 V | 16009 PF @ 25 V. | - - - | 600W (TC) | |||||||
 | SI3460BDV-T1-BE3 | 0,9100 | | 48 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI3460BDV-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6.7a (TA), 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 5.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 24 nc @ 8 v | ± 8 v | 860 PF @ 10 V | - - - | 2W (TA), 3,5 W (TC) | ||||||
| SIR826DP-T1-RE3 | 0,9999 | | 3488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir826 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 2900 PF @ 40 V | - - - | 104W (TC) | ||||||
| SI7172DP-T1-GE3 | 2.8200 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7172 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 25a (TC) | 6 V, 10V | 70 MOHM @ 5.9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 2250 PF @ 100 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||
| SI3454ADV-T1-E3 | - - - | | 5088 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3454 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3.4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 60MOHM @ 4,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||
| SI9945BDY-T1-GE3 | 0,8800 | | 4976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9945 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5.3a | 58mohm @ 4,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 665PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHA18N60E-GE3 | 3.1700 | | 2565 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHA18N60E-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 18a (TC) | 10V | 202mohm @ 9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 92 NC @ 10 V | ± 30 v | 1640 PF @ 100 V | - - - | 34W (TC) | ||||||
 | IRFI624G | - - - | | 8475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI624 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFI624G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 3.4a (TC) | 10V | 1,1ohm @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | |||
| SIR826ADP-T1-GE3 | 2.5400 | | 9717 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir826 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 20 V | 2800 PF @ 40 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | IRFZ24SPBF | 2.4800 | | 741 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz24 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||||
 | SQJB48EP-T1_GE3 | 1.5800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB48 | MOSFET (Metalloxid) | 48W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 30a (TC) | 5.2mohm @ 8a, 10V | 3,3 V @ 250 ähm | 40nc @ 10v | 2350pf @ 25v | - - - | ||||||||
 | SI2318CDS-T1-GE3 | 0,4600 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2318 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 5.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 4.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 340 PF @ 20 V | - - - | 1,25W (TA), 2,1W (TC) | ||||
 | SIJ484DP-T1-GE3 | - - - | | 7114 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ484 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,3 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1600 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 27,7W (TC) | ||||
 | SI7844DP-T1-GE3 | - - - | | 6195 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7844 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6.4a | 22mohm @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHA690N60E-GE3 | 0,9150 | | 4904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha690 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 4.3a (TC) | 10V | 700MOHM @ 2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 347 PF @ 100 V | - - - | 29W (TC) | |||||
| SI3586DV-T1-E3 | - - - | | 8818 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3586 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 2,9a, 2,1a | 60MOHM @ 3,4a, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 6nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI3440DV-T1-GE3 | 1.5200 | | 54 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3440 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 1.2a (TA) | 6 V, 10V | 375mohm @ 1,5a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | ||||||
 | SIHB24N65EF-GE3 | 6.0100 | | 6909 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB24 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2774 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
| SI1403BDL-T1-E3 | 0,5300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1403 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1,4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 150 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 4,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 568 MW (TA) |
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