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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N4856JTXV02 | - - - |  | 8798 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4856 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | SI1441EDH-T1-BE3 | 0,5300 | | 9791 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1441 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI1441EDH-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (ta), 4a (TC) | 41mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 33 NC @ 8 V | ± 10 V | - - - | 1,6W (TA), 2,8 W (TC) | ||||||
 | SIJH5100E-T1-GE3 | 6.0000 | | 8964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 28a (TA), 277a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 1,89mohm @ 20a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 128 NC @ 10 V | ± 20 V | 6900 PF @ 50 V | - - - | 3.3W (TA), 333W (TC) | ||||||
 | SISS4409DN-T1-GE3 | 1.3500 | | 4168 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 6.000 | P-Kanal | 40 v | 17,2a (TA), 59,2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 20 V | 5670 PF @ 20 V | - - - | 4,8W (TA), 56,8W (TC) | ||||||
 | SIUD412ED-T1-GE3 | 0,5100 | | 137 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 0806 | SIUD412 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 0806 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 500 Ma (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 340MOHM @ 500 mA, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 0,71 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | 21 PF @ 6 V | - - - | 1,25W (TA) | |||||
 | SI4814BDY-T1-E3 | - - - | | 2310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4814 | MOSFET (Metalloxid) | 3.3W, 3.5W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 10a, 10,5a | 18mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI7946ADP-T1-GE3 | 1.0322 | | 7895 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7946 | MOSFET (Metalloxid) | 19.8W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 150 v | 7.7a (TC) | 186mohm @ 3a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 6,5nc @ 7,5V | 230pf @ 75V | - - - | ||||||||
 | SI2333DDS-T1-GE3 | 0,4200 | | 8990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2333 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 6a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 28mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 35 nc @ 8 v | ± 8 v | 1275 PF @ 6 V. | - - - | 1,2W (TA), 1,7W (TC) | ||||
 | IRFR1N60ATRL | - - - | | 5821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Irfr1 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 229 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | |||||
| SI1467DH-T1-GE3 | 0,6700 | | 9993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1467 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.7a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 90 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 13,5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 561 PF @ 10 V | - - - | 1,5 W (TA), 2,78 W (TC) | ||||
| SI4936ADY-T1-GE3 | 0,9072 | | 5028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4936 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4.4a | 36mohm @ 5.9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIR836DP-T1-GE3 | 0,8300 | | 3788 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir836 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 21a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 600 PF @ 20 V | - - - | 3,9W (TA), 15,6 W (TC) | |||||
 | SUM50P10-42-E3 | - - - | | 1570 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum50 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 18.8W (TA), 125W (TC) | |||||
| SI4427BDY-T1-E3 | 1.6500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4427 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 9.7a (ta) | 2,5 V, 10 V. | 10,5 MOHM @ 12,6a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 70 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SIHB33N60E-GE3 | 6.1800 | | 7896 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB33 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHB33N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 99mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3508 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | ||||
| SI4831BDY-T1-E3 | - - - | | 7710 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4831 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 6.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 625 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA), 3,3 W (TC) | ||||
| SIR172ADP-T1-GE3 | 0,4900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir172 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 24a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1515 PF @ 15 V | - - - | 29,8W (TC) | |||||
| IRF634S | - - - | | 5391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF634 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF634S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450MOHM @ 5.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 770 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | SI3440DV-T1-E3 | 1.5200 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3440 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 1.2a (TA) | 6 V, 10V | 375mohm @ 1,5a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | ||||||
 | SQ1539EH-T1_GE3 | 0,7600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SQ1539 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 850 Ma (TC) | 280MOHM @ 1A, 10V, 940MOHM @ 500 Ma, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 1,4nc @ 4,5V, 1,6nc @ 4,5 V. | 48PF @ 15V, 50pf @ 15V | - - - | |||||||
 | Sihu6n80e-GE3 | 2.3400 | | 1499 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Lange Leads, ipak, to-251ab | Sihu6 | MOSFET (Metalloxid) | Ipak (to-251) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 940Mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 827 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | |||||
 | SI8413DB-T1-E1 | 1.3900 | | 7806 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8413 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4.8a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 48mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 21 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.47W (TA) | |||||
| IRF510S | - - - | | 2862 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF510S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||
 | SISS40DN-T1-GE3 | 0,5292 | | 3401 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS40 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 36,5a (TC) | 6 V, 10V | 21mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 845 PF @ 50 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
| SQ4064EY-T1_BE3 | 1.0500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4064 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19,8 MOHM @ 6.1A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 2096 PF @ 25 V. | - - - | 6.8W (TC) | ||||||
 | SI6981DQ-T1-GE3 | - - - | | 2405 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6981 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4.1a | 31mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 900 MV @ 300 ähm | 25nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI4153DY-T1-GE3 | 0,7100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SI4153DY-GE3DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 14.3a (ta), 19.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 93 NC @ 10 V | ± 25 V | 3600 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 5,6W (TC) | |||||
| SI3445ADV-T1-GE3 | - - - | | 8634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3445 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 4,4a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 42mohm @ 5,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 19 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.1W (TA) | |||||
 | IRFI624G | - - - | | 8475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI624 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFI624G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 3.4a (TC) | 10V | 1,1ohm @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | |||
| SIR826ADP-T1-GE3 | 2.5400 | | 9717 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir826 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 20 V | 2800 PF @ 40 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) |
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