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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfiz44g | - - - |  | 8638 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfiz44 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfiz44g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 10V | 28mohm @ 18a, 10V | 4v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 2500 PF @ 25 V | - - - | 48W (TC) | ||||||
 | SIHB23N60E-GE3 | 3.9300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB23 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 23a (TC) | 10V | 158mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 30 v | 2418 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | ||||||||
 | IRFSL9N60ATRL | - - - | | 3009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFSL9 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | ||||||||
 | SI7322DN-T1-GE3 | 1.7200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7322 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 18a (TC) | 10V | 58mohm @ 5.5a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 750 PF @ 50 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | ||||||||
 | SUM110P08-11-E3 | - - - | | 5642 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 80 v | 110a (TC) | 10V | 11.1Mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 280 nc @ 10 v | ± 20 V | 11500 PF @ 40 V | - - - | 13,6 W (TA), 375W (TC) | |||||||
 | IRFPG50PBF | 5.8800 | | 1915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPG50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPG50PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 1000 v | 6.1a (TC) | 10V | 2OHM @ 3,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||||||
 | Sia914dj-t1-e3 | - - - | | 5141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia914 | MOSFET (Metalloxid) | 6.5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 53mohm @ 3,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11.5nc @ 8v | 400PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SI1054X-T1-GE3 | - - - | | 6435 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1054 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 1.32a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 95mohm @ 1,32a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 8,57 NC @ 5 V. | ± 8 v | 480 PF @ 6 V. | - - - | 236 MW (TA) | |||||||
 | SIJ188DP-T1-GE3 | 1.5600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ188 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 25,5a (TA), 92,4a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 3,85 MOHM @ 10a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1920 PF @ 30 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||||||
 | SIHA12N60E-GE3 | 2.5300 | | 1575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHA12N60E-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 30 v | 937 PF @ 100 V | - - - | 33W (TC) | |||||||||
 | SIDR5802EP-T1-RE3 | 2.8700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr5802 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 34,2a (TA), 153a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 2,9 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 3020 PF @ 40 V | - - - | 7,5 W (TA), 150 W (TC) | ||||||||
| IRFP150 | - - - | | 7219 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP150 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP150 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 41a (TC) | 10V | 55mohm @ 25a, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | ||||||
 | SI1553DL-T1-GE3 | - - - | | 7147 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1553 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 660 mA, 410 mA | 385mohm @ 660 mA, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 1,2nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SI4916DY-T1-E3 | - - - | | 8390 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4916 | MOSFET (Metalloxid) | 3.3W, 3.5W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 10a, 10,5a | 18mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
| IRF610STRLPBF | 1.7300 | | 677 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf610 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 3.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 36W (TC) | ||||||||
 | IRF740BPBF | 1.4900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 526 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | ||||||||
 | SQD50P08-28-T4_GE3 | 0,6985 | | 7852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD50P08-28-T4_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 80 v | 48a (TC) | 10V | 28mohm @ 12.5a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6035 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||||
 | SI6993DQ-T1-E3 | - - - | | 4104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6993 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 3.6a | 31mohm @ 4.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SIE818DF-T1-GE3 | 1.9970 | | 1947 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie818 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 16A, 10V | 3v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3200 PF @ 38 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||||||
 | SIRC16DP-T1-RE3 | 1.3600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIRC16DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 57A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,96 MOHM @ 15a, 10 V. | 2,4 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | +20V, -16v | 5150 PF @ 10 V | Schottky Diode (Körper) | 5W (TA), 54,3W (TC) | |||||||||
| SI7611DN-T1-GE3 | 1.6400 | | 3561 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7611 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 25mohm @ 9.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 20 V | 1980 PF @ 20 V | - - - | 3.7W (TA), 39W (TC) | ||||||||
 | SI7232DN-T1-GE3 | 0,9100 | | 8529 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7232 | MOSFET (Metalloxid) | 23W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 25a | 16,4 Mohm @ 10a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 32nc @ 8v | 1220PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||
| SI4488DY-T1-E3 | 2.2500 | | 983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4488 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 3,5a (TA) | 10V | 50mohm @ 5a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,56W (TA) | |||||||||
 | SI7138DP-T1-E3 | - - - | | 6191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7138 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 6 V, 10V | 7,8 MOHM @ 19.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 6900 PF @ 30 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||||
 | IRFR430ATRRPBF | - - - | | 7783 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR430 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,7ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 490 PF @ 25 V. | - - - | 110W (TC) | |||||||
 | SI3911DV-T1-E3 | - - - | | 5753 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3911 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 1.8a | 145mohm @ 2,2a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 7,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
| SI1028X-T1-GE3 | - - - | | 3803 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1028 | MOSFET (Metalloxid) | 220 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | - - - | 650MOHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 2nc @ 10v | 16pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SST5462-T1-E3 | - - - | | 8004 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST5462 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 7pf @ 15V | 40 v | 4 ma @ 15 v | 1,8 V @ 1 µA | |||||||||||||
| SI1033X-T1-GE3 | - - - | | 9858 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1033 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 145 Ma | 8OHM @ 150 mA, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 1,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SQJB60EP-T1_BE3 | 1.3100 | | 7339 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB60 | MOSFET (Metalloxid) | 48W (TC) | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJB60EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 30a (TC) | 12mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v | 1600pf @ 25v | - - - |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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