- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJ415EP-T1_BE3 | 1.0000 |  | 1990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ415EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 6000 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | ||||||
 | SI1058X-T1-E3 | - - - | | 8333 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1058 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1,3a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 91MOHM @ 1,3a, 4,5 V. | 1,55 V @ 250 ähm | 5,9 NC @ 5 V. | ± 12 V | 380 PF @ 10 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | SIR5112DP-T1-RE3 | 1,8000 | | 7663 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir5112 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 12,6a (TA), 42,6a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 14,9 MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 790 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 56,8W (TC) | |||||
 | SIHP25N50E-GE3 | 3.2100 | | 27 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP25 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2266-SIHP25N50E-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 26a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1980 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||
 | SIHD3N50D-BE3 | 0,9200 | | 1899 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | D | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd3 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHD3N50D-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 3a (TC) | 10V | 3,2OHM @ 1,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 175 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | |||||
 | SI1488DH-T1-GE3 | - - - | | 6551 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1488 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6.1a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 49mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 10 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 530 PF @ 10 V. | - - - | 1,5 W (TA), 2,8 W (TC) | ||||
 | IRFR020 | - - - | | 9106 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR020 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR020 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
 | SI7820DN-T1-E3 | 1.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7820 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 1.7a (ta) | 6 V, 10V | 240 MOHM @ 2,6a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| SI7328DN-T1-E3 | 0,9923 | | 8663 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7328 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.6mohm @ 18.9a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 31,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2610 PF @ 15 V | - - - | 3,78W (TA), 52W (TC) | |||||
 | IRL620PBF | 1,8000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL620 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRL620PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 4V, 5V | 800mohm @ 3.1a, 5V | 2v @ 250 ähm | 16 NC @ 5 V | ± 10 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | SIHK055N60EF-T1GE3 | 9.1100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | SIHK055 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 40a (TC) | 10V | 58mohm @ 16a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 30 v | 3667 PF @ 100 V | - - - | 236W (TC) | |||||
 | Sihfbe30S-GE3 | 1.8400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFBE30S-GE3DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||
 | SI5855CDC-T1-E3 | - - - | | 1068 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5855 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.7a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 144mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6,8 NC @ 5 V. | ± 8 v | 276 PF @ 10 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,3W (TA), 2,8 W (TC) | ||||
| SI7358ADP-T1-E3 | - - - | | 3708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7358 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 14a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 23a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 4650 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||
| SI1406DH-T1-E3 | - - - | | 1704 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1406 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3.1a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 65mohm @ 3,9a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 7,5 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 1W (TA) | |||||
 | SI4409DY-T1-E3 | - - - | | 3513 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4409 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 150 v | 1.3a (TC) | 6 V, 10V | 1,2OHM @ 500 mA, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 332 PF @ 50 V | - - - | 2,2 W (TA), 4,6W (TC) | ||||
 | SIHD7N60ET4-GE3 | 0,8080 | | 2938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd7 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 3,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 30 v | 680 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | ||||||
 | SQ4483Beey-T1_GE3 | 1.7500 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4483 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 22a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 113 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 7W (TC) | |||||||
 | Sum90330e-GE3 | 1.7200 | | 9823 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum90330 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 35.1a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 37,5 MOHM @ 12,2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1172 PF @ 100 V | - - - | 125W (TC) | |||||
| SI9434BDY-T1-GE3 | - - - | | 8281 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9434 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 4,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 40mohm @ 6,3a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
| SI7461DP-T1-E3 | 2.4000 | | 1301 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7461 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 8.6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14,5 MOHM @ 14,4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| SI1902CDL-T1-BE3 | 0,4500 | | 8039 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET (Metalloxid) | 300 MW (TA), 420 MW (TC) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI1902CDL-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 1a (ta), 1,1a (TC) | 235mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 3nc @ 10v | 62PF @ 10V | - - - | ||||||
 | IRFBC40LCSTRL | - - - | | 3147 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
| IRFR430ATRLPBF | 0,8718 | | 7865 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR430 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,7ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 490 PF @ 25 V. | - - - | 110W (TC) | |||||
 | SI7218DN-T1-GE3 | - - - | | 3490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7218 | MOSFET (Metalloxid) | 23W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 24a | 25mohm @ 8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17nc @ 10v | 700PF @ 15V | - - - | |||||||
| SIHP28N65E-GE3 | 2.8195 | | 4982 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP28 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 29a (TC) | 10V | 112mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 30 v | 3405 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||
| SQ4435EY-T1_BE3 | 1.4400 | | 8199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4435 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQ4435EY-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 18Mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 20 V | 2170 PF @ 15 V | - - - | 6.8W (TC) | |||||
| SI7414DN-T1-GE3 | 1.5500 | | 7568 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7414 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 5.6a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 25mohm @ 8.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SI6924AEDQ-T1-GE3 | - - - | | 9759 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6924 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 28 v | 4.1a | 33mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 10nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4451DY-T1-GE3 | - - - | | 7346 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4451 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 12 v | 10a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 8,25 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 800 MV @ 850 ähm | 120 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)