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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI8904EDB-T2-E1 | - - - |  | 7351 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Mikro-Foot®csp | SI8904 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 6-micro foot ™ (2.36x1.56) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 30V | 3.8a | - - - | 1,6 V @ 250 ähm | - - - | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHD3N50D-GE3 | 0,9200 | | 2399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd3 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 3a (TC) | 10V | 3,2OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 175 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | |||||
 | SUP70040E-GE3 | 3.0600 | | 490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP70040 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5100 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SQJ740EP-T1_GE3 | 1.9200 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | MOSFET (Metalloxid) | 93W (TC) | Powerpak® SO-8L Dual BWL | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | 2 N-Kanal | 40V | 123a (TC) | 3.4mohm @ 7a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 56nc @ 10v | 3143pf @ 25v | Standard | ||||||||||
 | SQJ844AEP-T1_BE3 | 1.2100 | | 7886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ844 | MOSFET (Metalloxid) | 48W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sqj844aep-t1_be3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a (TC) | 16,6 MOHM @ 7,6A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 1161pf @ 15V | - - - | |||||||
 | SI2333D-T1-E3 | 0,8600 | | 78 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2333 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4.1a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 32mohm @ 5,3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1100 PF @ 6 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | SI5424DC-T1-GE3 | 0,8600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5424 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 4.8a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 25 V | 950 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 6,25 W (TC) | ||||
 | SI7784DP-T1-GE3 | - - - | | 8744 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7784 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1600 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 27,7W (TC) | ||||
 | SI7946DP-T1-E3 | - - - | | 1178 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7946 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 150 v | 2.1a | 150 MOHM @ 3,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI1967DH-T1-BE3 | 0,4100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1967 | MOSFET (Metalloxid) | 740 MW (TA), 1,25 W (TC) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI1967DH-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 1a (ta), 1,3a (TC) | 490MOHM @ 910 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4nc @ 10v | 110pf @ 10v | - - - | ||||||
 | IRFP460LC | - - - | | 3133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP460 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRFP460LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270 MOHM @ 12A, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 3600 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | ||||
| SI5441BDC-T1-GE3 | 1.1800 | | 6324 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5441 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4,4a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 45mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 22 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||
| SQJB44EP-T1_GE3 | 1.5800 | | 5490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB44 | MOSFET (Metalloxid) | 48W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJB44EP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 30a (TC) | 5.2mohm @ 8a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 50nc @ 10v | 3075PF @ 25V | - - - | |||||||
 | SI3483DDV-T1-BE3 | 0,5500 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6.4a (TA), 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31.2mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 10 V. | +16 V, -20 V | 580 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 3W (TC) | |||||||
| SI1905DL-T1-E3 | - - - | | 7024 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1905 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 8v | 570 Ma | 600MOHM @ 570 Ma, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 2.3nc @ 4.5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFP350LC | - - - | | 8028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP350 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP350LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 400 V | 16a (TC) | 10V | 300mohm @ 9.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 76 NC @ 10 V | ± 30 v | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||
 | Sum90220e-GE3 | 2.7200 | | 9349 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum90220 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 64a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 21.6mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 1950 PF @ 100 v | - - - | 230W (TC) | |||||
 | Irfi9520n | - - - | | 2239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *Irfi9520n | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 5.5a (TC) | 10V | 480Mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | ||||
| IRF540 | - - - | | 9448 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
 | SI5980DU-T1-GE3 | - - - | | 2634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5980 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 2.5a | 567Mohm @ 400 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 3.3nc @ 10v | 78PF @ 50V | - - - | |||||||
| IRFR214TRRPBF | 0,6159 | | 5566 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
| SI5915DC-T1-E3 | - - - | | 6494 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5915 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 8v | 3.4a | 70 MOHM @ 3,4A, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 9nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFR120TRPBF-BE3 | 1.5800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||||
 | SIR692DP-T1-RE3 | 1.7900 | | 4707 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir692 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 250 V | 24,2a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 63mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 7,5 V. | ± 20 V | 1405 PF @ 125 V. | - - - | 104W (TC) | |||||
 | IRF9620PBF-BE3 | 1.6800 | | 792 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9620 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF9620PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 3,5a (TC) | 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||||
 | SI1023X-T1-GE3 | 0,4400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1023 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 370 Ma | 1,2OHM @ 350 mA, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 1,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFI530G | - - - | | 5961 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi530g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 9.7a (TC) | 10V | 160 MOHM @ 5.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||
| SI7658ADP-T1-GE3 | 2.9200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7658 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 4590 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | IRF620S | - - - | | 6739 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF620S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 10V | 800MOHM @ 3.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 50 W (TC) | |||
| SI1442DH-T1-BE3 | 0,4500 | | 4936 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1442 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 4a (ta) | 20mohm @ 6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 33 NC @ 8 V | ± 8 v | 1010 PF @ 6 V | - - - | 1,56W (TA) |
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30.000.000
Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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