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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5424DC-T1-GE3 | 0,8600 |  | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5424 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 4.8a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 25 V | 950 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 6,25 W (TC) | ||||
 | SIHD3N50DT4-GE3 | 0,3563 | | 8362 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | D | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd3 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 3a (TC) | 10V | 3,2OHM @ 1,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 175 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | |||||
 | SUP70040E-GE3 | 3.0600 | | 490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP70040 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5100 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SQJ740EP-T1_GE3 | 1.9200 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | MOSFET (Metalloxid) | 93W (TC) | Powerpak® SO-8L Dual BWL | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | 2 N-Kanal | 40V | 123a (TC) | 3.4mohm @ 7a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 56nc @ 10v | 3143pf @ 25v | Standard | ||||||||||
 | SI3456DDV-T1-GE3 | 0,4300 | | 107 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 40mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 325 PF @ 15 V | - - - | 1,7W (TA), 2,7W (TC) | |||||
 | IRFP350LC | - - - | | 8028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP350 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP350LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 400 V | 16a (TC) | 10V | 300mohm @ 9.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 76 NC @ 10 V | ± 30 v | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||
 | SI1905DL-T1-E3 | - - - | | 7024 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1905 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 8v | 570 Ma | 600MOHM @ 570 Ma, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 2.3nc @ 4.5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SISA96DN-T1-GE3 | 0,4400 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa96 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.8mohm @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | +20V, -16v | 1385 PF @ 15 V | - - - | 26,5 W (TC) | |||||
 | SI8904EDB-T2-E1 | - - - | | 7351 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Mikro-Foot®csp | SI8904 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 6-micro foot ™ (2.36x1.56) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 30V | 3.8a | - - - | 1,6 V @ 250 ähm | - - - | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| V30433-T1-GE3 | - - - | | 9520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30433 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | IRF9630S | - - - | | 4438 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9630S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 6,5a (TC) | 10V | 800 MOHM @ 3,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 74W (TC) | |||
 | Irll014pbf | - - - | | 2201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irll014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | N-Kanal | 60 v | 2.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 1,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | IRFR24N10D | - - - | | 1847 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR24 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRFR24N10D | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 100 v | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||
 | SI4176DY-T1-E3 | - - - | | 1880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4176 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 8.3a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 490 PF @ 15 V | - - - | 2,4 W (TA), 5W (TC) | |||||
| SI3853DV-T1-E3 | - - - | | 8860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3853 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1,6a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 200mohm @ 1,8a, 4,5 V. | 500 MV @ 250 um (min) | 4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | Schottky Diode (Isolier) | 830 MW (TA) | |||||
 | SISS04DN-T1-GE3 | 1.5400 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS04 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50,5a (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,2 Mohm @ 15a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 93 NC @ 10 V | +16 V, -12v | 4460 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
 | SI7344DP-T1-E3 | - - - | | 9320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7344 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 17a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||
 | SIS476DN-T1-GE3 | 1.1800 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS476 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3595 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
| IRFR420TRRPBF | 0,7513 | | 7666 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| SISA66DN-T1-GE3 | 0,3959 | | 1728 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa66 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,3 MOHM @ 15a, 10V | 2,2 V @ 1ma | 66 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3014 PF @ 15 V | - - - | 52W (TC) | ||||||
| IRFR120TRPBF-BE3 | 1.5800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||||
 | SI1023X-T1-GE3 | 0,4400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1023 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 370 Ma | 1,2OHM @ 350 mA, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 1,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI7784DP-T1-GE3 | - - - | | 8744 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7784 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1600 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 27,7W (TC) | ||||
 | SI7946DP-T1-E3 | - - - | | 1178 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7946 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 150 v | 2.1a | 150 MOHM @ 3,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRF540 | - - - | | 9448 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
| IRF620S | - - - | | 6739 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF620S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 10V | 800MOHM @ 3.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 50 W (TC) | |||
| IRFR214TRRPBF | 0,6159 | | 5566 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | Sum90220e-GE3 | 2.7200 | | 9349 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum90220 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 64a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 21.6mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 1950 PF @ 100 v | - - - | 230W (TC) | |||||
 | SI2333D-T1-E3 | 0,8600 | | 78 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2333 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4.1a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 32mohm @ 5,3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1100 PF @ 6 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | Irfi9520n | - - - | | 2239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *Irfi9520n | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 5.5a (TC) | 10V | 480Mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) |
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