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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Ausfluss - rds (on) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1905BDH-T1-E3 | - - - |  | 1322 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1905 | MOSFET (Metalloxid) | 357 MW | SC-70-6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 8v | 630 Ma | 542mohm @ 580 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 1,5nc @ 4,5 V | 62pf @ 4v | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | U291-e3 | - - - | | 2889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-206AC, bis 52-3 Metall Kann | U291 | 500 MW | To-206AC (bis 52) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 160pf @ 0v | 30 v | 200 mA @ 10 v | 1,5 V @ 3 na | 7 Ohm | |||||||||||||
 | SI1056X-T1-E3 | - - - | | 1187 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1056 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1.32a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 89mohm @ 1,32a, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 8,7 NC @ 5 V. | ± 8 v | 400 PF @ 10 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||||||
 | SQS462en-T1_GE3 | 1.0300 | | 2097 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQS462 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 63mohm @ 4.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 470 PF @ 25 V. | - - - | 33W (TC) | |||||||||
 | SI7946DP-T1-GE3 | - - - | | 4183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7946 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 150 v | 2.1a | 150 MOHM @ 3,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | Irll014 | - - - | | 4261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irll014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irll014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | N-Kanal | 60 v | 2.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 1,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||||
 | IRFP450NPBF | - - - | | 4698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP450 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP450NPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 14a (TC) | 10V | 370MOHM @ 8.4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 30 v | 2260 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) | |||||||
 | SQ4920EY-T1_GE3 | 1.6600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4920 | MOSFET (Metalloxid) | 4.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 14,5 MOHM @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v | 1465PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||
 | IRF510SPBF | 1.4900 | | 34 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF510SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | ||||||||
| IRFBC40LCS | - - - | | 7369 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRFBC40LCS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||||
 | SQS140ENW-T1_GE3 | 1.3000 | | 9264 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8slw | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8slw | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQS140Enw-T1_GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 214a (TC) | 10V | 2,53MOHM @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 20 V | 3111 PF @ 25 V | - - - | 197W (TC) | ||||||||||
 | SUP90N03-03-E3 | - - - | | 8019 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup90 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 30 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,9 MOHM @ 28,8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 257 NC @ 10 V | ± 20 V | 12065 PF @ 15 V | - - - | 3,75W (TA), 250 W (TC) | ||||||||
 | IRFBF30PBF-BE3 | 2.8800 | | 6536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFBF30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFBF30PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 900 V | 3.6a (TC) | 3,7OHM @ 2,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||||||
 | 2N4119a-e3 | - - - | | 9201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 2N4119 | 300 MW | To-206af (bis 72) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 3PF @ 10v | 40 v | 200 µa @ 10 V | 2 V @ 1 na | ||||||||||||||
 | SI3850ADV-T1-GE3 | - - - | | 3328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3850 | MOSFET (Metalloxid) | 1.08W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 20V | 1,4a, 960 ma | 300 MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,4nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | IRFR9210 | - - - | | 2040 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 200 v | 1,9a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||||||
| SI1051X-T1-GE3 | - - - | | 2469 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1051 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 1.2a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 122mohm @ 1,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 9.45 NC @ 5 V | ± 5 V | 560 PF @ 4 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||||||
 | SIE818DF-T1-GE3 | 1.9970 | | 1947 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie818 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 16A, 10V | 3v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3200 PF @ 38 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||||||
 | SIRC16DP-T1-RE3 | 1.3600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIRC16DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 57A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,96 MOHM @ 15a, 10 V. | 2,4 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | +20V, -16v | 5150 PF @ 10 V | Schottky Diode (Körper) | 5W (TA), 54,3W (TC) | ||||||||||
 | SQJB60EP-T1_BE3 | 1.3100 | | 7339 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB60 | MOSFET (Metalloxid) | 48W (TC) | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJB60EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 30a (TC) | 12mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v | 1600pf @ 25v | - - - | |||||||||||
| SQ3419ev-T1_BE3 | 0,6900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3419 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 6.9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 58mohm @ 2,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 11.3 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 990 PF @ 20 V | - - - | 5W (TC) | ||||||||||
| IRF830Strl | - - - | | 8468 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,7a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 610 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||||||
| SI1033X-T1-GE3 | - - - | | 9858 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1033 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 145 Ma | 8OHM @ 150 mA, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 1,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | SQJA76EP-T1_BE3 | 1.3300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 2,4 MOHM @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 5250 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||||||
| SQJB00EP-T1_BE3 | 1.3100 | | 5243 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJB00 | MOSFET (Metalloxid) | 48W (TC) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJB00EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 30a (TC) | 13mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 35nc @ 10v | 1700pf @ 25v | - - - | |||||||||||
 | SI7138DP-T1-E3 | - - - | | 6191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7138 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 6 V, 10V | 7,8 MOHM @ 19.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 6900 PF @ 30 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | ||||||||
| SI7742DP-T1-GE3 | 0,8647 | | 2259 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7742 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 20A, 10V | 2,7 V @ 250 ähm | 115 NC @ 10 V | ± 20 V | 5300 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||||||
| SI1553DL-T1-GE3 | - - - | | 7147 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1553 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 660 mA, 410 mA | 385mohm @ 660 mA, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 1,2nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
| IRF740BPBF | 1.4900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 526 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | |||||||||
| IRF610STRLPBF | 1.7300 | | 677 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf610 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 3.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 36W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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Standardprodukteinheit
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