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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJQ906E-T1_GE3 | 2.6800 |  | 3221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 Dual | SQJQ906 | MOSFET (Metalloxid) | 50W | Powerpak® 8 x 8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 95a (TC) | 3,3 MOHM @ 5A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 42nc @ 10v | 3600PF @ 20V | - - - | |||||||
 | SI4933DY-T1-E3 | - - - | | 3964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4933 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 7.4a | 14mohm @ 9,8a, 4,5 V. | 1V @ 500 ähm | 70NC @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI2343CDS-T1-GE3 | 0,6200 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 5.9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 4.2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 590 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | ||||
 | SIHD7N60E-GE3 | 2.0100 | | 165 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd7 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHD7N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 3,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 30 v | 680 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | ||||
 | IRFPS37N50A | - - - | | 1868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | IRFPS37 | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPS37N50A | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 36a (TC) | 10V | 130MOHM @ 22A, 10V | 4v @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | ± 30 v | 5579 PF @ 25 V. | - - - | 446W (TC) | |||
 | IRFD9220PBF | 2.7600 | | 2009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9220 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | P-Kanal | 200 v | 560 Ma (TA) | 10V | 1,5OHM @ 340 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 340 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||||
 | SIS427EDN-T1-GE3 | 0,7100 | | 6952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS427 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.6mohm @ 11a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 25 V | 1930 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SQJQ184E-T1_GE3 | 3.5500 | | 3708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 80 v | 430a (TC) | 10V | 1,4mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 272 NC @ 10 V | ± 20 V | 16010 PF @ 25 V. | - - - | 600W (TC) | ||||||
| SIS890ADN-T1-GE3 | 0,9600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sis890 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 7,6a (TA), 24,7a (TC) | 25,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 1330 PF @ 50 V | - - - | 3.6W (TA), 39W (TC) | ||||||
| IRFD310PBF | 1.6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD310 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 400 V | 350 Ma (TA) | 10V | 3,6OHM @ 210 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||||
| SI4421DY-T1-E3 | 2.1000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4421 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 10a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 8,75 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 800 MV @ 850 ähm | 125 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | IRF710 | - - - | | 9674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF710 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF710 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1,2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | |||
 | IRF640StrRPBF | 3.0900 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | |||||
| IRFBC20STRLPBF | 2.9100 | | 358 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC20 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 2.2a (TC) | 10V | 4,4ohm @ 1,3a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SIA444DJT-T1-GE3 | - - - | | 6755 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA444 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 7.4a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 560 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
| SI9936BDY-T1-E3 | - - - | | 3861 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9936 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4,5a | 35mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQM120N06-06_GE3 | 2.9400 | | 9218 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 10V | 6mohm @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6495 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | |||||
 | IRFU9310PBF | 1.5800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9310 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU9310PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 400 V | 1,8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | SIHB24N80AE-GE3 | 3.5600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB24 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHB24N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 21a (TC) | 184mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 89 NC @ 10 V | ± 30 v | 1836 PF @ 100 V. | - - - | 208W (TC) | ||||||
 | SI7214DN-T1-E3 | - - - | | 1688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7214 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4.6a | 40mohm @ 6.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 6,5nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SiHU3N50DA-GE3 | 0,3532 | | 1524 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Lange Leads, ipak, to-251ab | Sihu3 | MOSFET (Metalloxid) | Ipak (to-251) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 3a (TC) | 10V | 3,2OHM @ 1,5A, 10 V | 4,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 177 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | ||||||
| SI4442DY-T1-E3 | 3.1400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4442 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 2,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 22A, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
| SI7802DN-T1-E3 | - - - | | 3425 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7802 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 250 V | 1.24a (TA) | 6 V, 10V | 435MOHM @ 1,95A, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SIHFRC20TR-GE3 | 0,9400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFRC20TR-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4,4ohm @ 1,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||||
 | SI1539CDL-T1-BE3 | 0,4300 | | 6787 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1539 | MOSFET (Metalloxid) | 290 MW (TA), 340 MW (TC) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI1539CDL-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 700 Ma (TA), 700 Ma (TC), 400 Ma (TA), 500 Ma (TC) | 388MOHM @ 600 mA, 10V, 890MOHM @ 400 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 1,5nc @ 10v, 3nc @ 10v | 28pf @ 15V, 34PF @ 15V | - - - | ||||||
 | SQA401CEJW-T1_GE3 | 0,4500 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.75a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 125mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 5,5 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 330 PF @ 10 V. | - - - | 13.6W (TC) | ||||||
 | SQJ180EP-T1_GE3 | 1.9300 | | 5507 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ180EP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 248a (TC) | 10V | 3mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 117 NC @ 10 V | ± 20 V | 6645 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) | |||||
| SI2315BDS-T1-GE3 | 0,6700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2315 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3a (ta) | 4,5 v | 50 MOHM @ 3,85a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 715 PF @ 6 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | SUD50N03-12P-GE3 | - - - | | 9132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 16,8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | |||||
 | SIHA6N80E-GE3 | 2.5100 | | 6318 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha6 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 940Mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 827 PF @ 100 V | - - - | 31W (TC) |
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