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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4176DY-T1-E3 | - - - |  | 1880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4176 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 8.3a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 490 PF @ 15 V | - - - | 2,4 W (TA), 5W (TC) | |||||
| SI4178DY-T1-E3 | - - - | | 6560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4178 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 8.4a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 25 V | 405 PF @ 15 V | - - - | 2,4 W (TA), 5W (TC) | |||||
| SI4804CDY-T1-E3 | - - - | | 3564 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4804 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 23nc @ 10v | 865PF @ 15V | - - - | |||||||
 | SUD50P04-23-E3 | - - - | | 1765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 8.2a (TA), 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 15a, 10V | 2v @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 16 v | 1880 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 45,4W (TC) | ||||
| SUD50P06-15L-T4-E3 | 1.4803 | | 9068 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 17a, 10V | 3v @ 250 ähm | 165 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4950 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
| SUD50P10-43-E3 | - - - | | 3794 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 38a (TC) | 10V | 43mohm @ 9.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 5230 PF @ 50 V | - - - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||
| SUD50P10-43L-E3 | 2.6500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 37,1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 43mohm @ 9.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 8.3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | SUM70N03-09CP-E3 | - - - | | 9154 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum70 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 30 v | 70a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 93W (TC) | ||||
| Sum90n06-5m5p-e3 | - - - | | 6559 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum90 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 90a (TC) | 10V | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 4700 PF @ 30 V | - - - | 3,75W (TA), 272W (TC) | ||||
| SUM90P10-19-E3 | - - - | | 9815 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum90 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 90a (TC) | 10V | 19Mohm @ 20a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 330 NC @ 10 V | ± 20 V | 12000 PF @ 50 V | - - - | 13,6 W (TA), 375W (TC) | ||||
 | SUP57N20-33-E3 | 4.6700 | | 45 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup57 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SUP57N2033E3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 57a (TC) | 10V | 33mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 5100 PF @ 25 V. | - - - | 3,75 W (TA), 300 W (TC) | ||||
| SUP60N02-4M5P-E3 | - - - | | 4071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 5950 PF @ 10 V. | - - - | 3,75W (TA), 120W (TC) | ||||
| SUP60N10-16L-E3 | - - - | | 9230 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 3820 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
| SUP65P04-15-E3 | - - - | | 9670 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup65 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SUP65P0415E3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 40 v | 65a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 5400 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 120W (TC) | |||
| SUP85N04-03-E3 | - - - | | 2150 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 40 v | 85a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 250 NC @ 10 V | ± 20 V | 6860 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 250 W (TC) | ||||
| SUV85N10-10-E3 | - - - | | 1250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUV85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 85a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.5Mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 6550 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 250 W (TC) | ||||
 | TP0202K-T1-GE3 | - - - | | 2224 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TP0202 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 385 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 1,4OHM @ 500 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1 nc @ 10 v | ± 20 V | 31 PF @ 15 V | - - - | 350 MW (TA) | ||||
 | SI7634BDP-T1-E3 | 0,7088 | | 1446 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7634 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.4mohm @ 15a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3150 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
| SI7664DP-T1-GE3 | - - - | | 4873 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7664 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3.1Mohm @ 20a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 125 NC @ 10 V | ± 12 V | 7770 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
| SI7846DP-T1-GE3 | 2.9400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7846 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 4a (ta) | 10V | 50mohm @ 5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| SI7852DP-T1-GE3 | 2.9500 | | 795 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7852 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 7.6a (ta) | 6 V, 10V | 16,5 MOHM @ 10a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| SI7860DP-T1-GE3 | - - - | | 4846 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7860 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 18a, 10V | 3v @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||
| SI7886ADP-T1-E3 | - - - | | 4383 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7886 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 25a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 60 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 6450 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||
| SI7886ADP-T1-GE3 | - - - | | 3546 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7886 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 25a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 60 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 6450 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||
| SI7888DP-T1-E3 | - - - | | 7782 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7888 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9,4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 12.4a, 10V | 2v @ 250 ähm | 10.5 NC @ 5 V. | ± 12 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||
 | SI7909DN-T1-E3 | - - - | | 1916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7909 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 5.3a | 37mohm @ 7.7a, 4,5 V. | 1V @ 700 ähm | 24nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI7964DP-T1-GE3 | - - - | | 3188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7964 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6.1a | 23mohm @ 9.6a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 65nc @ 10v | - - - | - - - | ||||||
| SI7998DP-T1-GE3 | 1.5900 | | 9071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7998 | MOSFET (Metalloxid) | 22W, 40W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 25a, 30a | 9.3mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 1100PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI8401DB-T1-E3 | 1.0490 | | 2596 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8401 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 65mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 17 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.47W (TA) | |||||
| SI9434BDY-T1-GE3 | - - - | | 8281 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9434 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 4,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 40mohm @ 6,3a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) |
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