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Diskrete Halbleiterprodukte(5717)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7858ADP-T1-GE3 | 2.7500 |  | 5811 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SI7858 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 V | 20A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 2,6 mOhm bei 29 A, 4,5 V | 1,5 V bei 250 µA | 80 nC bei 4,5 V | ±8V | 5700 pF bei 6 V | - | 1,9 W (Ta) | |||||
 | SI3529DV-T1-E3 | - | | 2037 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | SI3529 | MOSFET (Metalloxid) | 1,4W | 6-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N- und P-Kanal | 40V | 2,5A, 1,95A | 125 mOhm bei 2,2 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 7 nC bei 10 V | 205pF bei 20V | Logikpegel-Gate | ||||||
 | SIRB40DP-T1-GE3 | 1.4000 | | 2477 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 Dual | SIRB40 | MOSFET (Metalloxid) | 46,2 W | PowerPAK® SO-8 Dual | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual) | 40V | 40A (Tc) | 3,25 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,4 V bei 250 µA | 45 nC bei 4,5 V | 4290pF bei 20V | - | |||||||
 | SUM70042E-GE3 | 2.9900 | | 1291 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Streifen | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | MOSFET (Metalloxid) | TO-263 (D²Pak) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 742-SUM70042E-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 V | 150A (Tc) | 7,5 V, 10 V | 4 mOhm bei 20 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 110 nC bei 10 V | ±20V | 6490 pF bei 50 V | - | 278 W (Tc) | |||||
 | SI5441DC-T1-GE3 | - | | 2909 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SMD, Flachanschluss | SI5441 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 ChipFET™ | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 3,9 A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 55 mOhm bei 3,9 A, 4,5 V | 1,4 V bei 250 µA | 22 nC bei 4,5 V | ±12V | - | 1,3 W (Ta) | |||||
 | SQS140ENW-T1_GE3 | 1.3000 | | 9264 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage, benetzbare Flanke | PowerPAK® 1212-8SLW | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8SLW | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-SQS140ENW-T1_GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 V | 214A (Tc) | 10V | 2,53 mOhm bei 10 A, 10 V | 3,5 V bei 250 µA | 57 nC bei 10 V | ±20V | 3111 pF bei 25 V | - | 197W (Tc) | ||||||
 | SI1403BDL-T1-BE3 | 0,5300 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1403 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 1,4A (Ta) | 150 mOhm bei 1,5 A, 4,5 V | 1,3 V bei 250 µA | 4,5 nC bei 4,5 V | ±12V | - | 568 mW (Ta) | |||||||
 | SIHA21N65EF-E3 | 2.4652 | | 4086 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | SIHA21 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 Komplettpaket | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 21A (Tc) | 10V | 180 mOhm bei 11 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 106 nC bei 10 V | ±30V | 2322 pF bei 100 V | - | 35W (Tc) | |||||
 | SISS61DN-T1-GE3 | 0,9900 | | 1425 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen III | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8S | SISS61 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8S | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 30,9 A (Ta), 111,9 A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 3,5 mOhm bei 15 A, 4,5 V | 900 mV bei 250 µA | 231 nC bei 10 V | ±8V | 8740 pF bei 10 V | - | 5 W (Ta), 65,8 W (Tc) | |||||
 | SIHG018N60E-GE3 | 17.2100 | | 288 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SIHG018 | MOSFET (Metalloxid) | TO-247AC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 99A (Tc) | 10V | 23 mOhm bei 25 A, 10 V | 5 V bei 250 µA | 228 nC bei 10 V | ±30V | 7612 pF bei 100 V | - | 524 W (Tc) | |||||
 | IRL620 | - | | 6237 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | IRL620 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | *IRL620 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 V | 5,2A (Tc) | 4V, 5V | 800 mOhm bei 3,1 A, 5 V | 2V bei 250µA | 16 nC bei 5 V | ±10V | 360 pF bei 25 V | - | 50 W (Tc) | |||
 | SISH615ADN-T1-GE3 | 0,5900 | | 1613 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen III | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8SH | SISH615 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8SH | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 22,1 A (Ta), 35 A (Tc) | 2,5 V, 10 V | 4,4 mOhm bei 20 A, 10 V | 1,5 V bei 250 µA | 183 nC bei 10 V | ±12V | 5590 pF bei 10 V | - | 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) | |||||
 | SQJ444EP-T1_BE3 | 1.3300 | | 9631 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-SQJ444EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 V | 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,2 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 80 nC bei 10 V | ±20V | 5000 pF bei 25 V | - | 68W (Tc) | ||||||
| IRFP26N60LPBF | 10.0000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | IRFP26 | MOSFET (Metalloxid) | TO-247AC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | *IRFP26N60LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 26A (Tc) | 10V | 250 mOhm bei 16 A, 10 V | 5 V bei 250 µA | 180 nC bei 10 V | ±30V | 5020 pF bei 25 V | - | 470 W (Tc) | ||||
 | SQS180ELNW-T1_GE3 | 1.1200 | | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® GenIV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage, benetzbare Flanke | PowerPAK® 1212-8SLW | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8SLW | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 80 V | 82A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 7,1 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 68 nC bei 10 V | ±20V | 3689 pF bei 25 V | - | 119W (Tc) | ||||||||
 | SQS460EN-T1_GE3 | 1.2900 | | 8676 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8 | SQS460 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 V | 8A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 36 mOhm bei 5,3 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 20 nC bei 10 V | ±20V | 755 pF bei 25 V | - | 39W (Tc) | |||||
| SI7308DN-T1-GE3 | 1.1800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8 | SI7308 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 V | 6A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 58 mOhm bei 5,4 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 20 nC bei 10 V | ±20V | 665 pF bei 15 V | - | 3,2 W (Ta), 19,8 W (Tc) | |||||
 | SI8425DB-T1-E1 | 0,5900 | | 1239 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-UFBGA, WLCSP | SI8425 | MOSFET (Metalloxid) | 4-WLCSP (1,6x1,6) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 5,9 A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 23 mOhm bei 2 A, 4,5 V | 900 mV bei 250 µA | 110 nC bei 10 V | ±10V | 2800 pF bei 10 V | - | 1,1 W (Ta), 2,7 W (Tc) | ||||
 | IRF730SPBF | 1.1708 | | 4448 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | IRF730 | MOSFET (Metalloxid) | D²PAK (TO-263) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | *IRF730SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 5,5 A (Tc) | 10V | 1 Ohm bei 3,3 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 38 nC bei 10 V | ±20V | 700 pF bei 25 V | - | 3,1 W (Ta), 74 W (Tc) | ||||
| SIR124DP-T1-RE3 | 1.0700 | | 38 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SIR124 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 V | 16,1 A (Ta), 56,8 A (Tc) | 7,5 V, 10 V | 8,4 mOhm bei 10 A, 10 V | 3,8 V bei 250 µA | 40 nC bei 10 V | ±20V | 1666 pF bei 40 V | - | 5 W (Ta), 62,5 W (Tc) | |||||
 | SI1304BDL-T1-E3 | - | | 3486 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-70, SOT-323 | SI1304 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 900mA (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 270 mOhm bei 900 mA, 4,5 V | 1,3 V bei 250 µA | 2,7 nC bei 4,5 V | ±12V | 100 pF bei 15 V | - | 340 mW (Ta), 370 mW (Tc) | ||||
| SQ3427AEEV-T1_BE3 | 0,7800 | | 812 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | SQ3427 | MOSFET (Metalloxid) | 6-TSOP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 V | 5,3A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 95 mOhm bei 4,5 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 22 nC bei 10 V | ±20V | 1000 pF bei 30 V | - | 5W (Tc) | ||||||
| SI3429EDV-T1-GE3 | 0,4700 | | 2398 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | SI3429 | MOSFET (Metalloxid) | 6-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 8A (Ta), 8A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 21 mOhm bei 4 A, 4,5 V | 1 V bei 250 µA | 118 nC bei 10 V | ±8V | 4085 pF bei 50 V | - | 4,2 W (Tc) | |||||
 | IRFR120TRLPBF-BE3 | 1.5900 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252AA | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-IRFR120TRLPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 V | 7,7A (Tc) | 270 mOhm bei 4,6 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 16 nC bei 10 V | ±20V | 360 pF bei 25 V | - | 2,5 W (Ta), 42 W (Tc) | ||||||
| SI7413DN-T1-E3 | - | | 1497 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8 | SI7413 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 8,4A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 15 mOhm bei 13,2 A, 4,5 V | 1 V bei 400 µA | 51 nC bei 4,5 V | ±8V | - | 1,5 W (Ta) | |||||
| SISS02DN-T1-GE3 | 1.5200 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8S | SISS02 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8S | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 V | 51A (Ta), 80A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 1,2 mOhm bei 15 A, 10 V | 2,2 V bei 250 µA | 83 nC bei 10 V | +16V, -12V | 4450 pF bei 10 V | - | 5 W (Ta), 65,7 W (Tc) | |||||
| SUD50N03-12P-GE3 | - | | 9132 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SUD50 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252AA | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 V | 16,8 A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 17 mOhm bei 20 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 42 nC bei 10 V | ±20V | 1600 pF bei 25 V | - | 39W (Tc) | |||||
| SQD15N06-42L_GE3 | 1.0300 | | 830 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SQD15 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252AA | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 V | 15A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 42 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 15 nC bei 10 V | ±20V | 535 pF bei 25 V | - | 37W (Tc) | |||||
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