- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N6660-e3 | - - - |  | 7399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6660 | MOSFET (Metalloxid) | To-205ad (to-39) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 60 v | 990 Ma (TC) | 5v, 10V | 3OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | IRL640PBF | 2.4800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL640 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRL640PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 180Mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 66 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||
 | SISS94DN-T1-GE3 | 0,9100 | | 7062 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS94 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 5,4a (TA), 19,5a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 75mohm @ 5.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 350 PF @ 100 V | - - - | 5.1W (TA), 65,8W (TC) | |||||
 | SQJA34EP-T1_GE3 | 1.1100 | | 4562 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja34 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 4.3mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
 | IRF510SRRPBF | 1.4900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SI4411DY-T1-GE3 | - - - | | 2800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4411 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 10mohm @ 13a, 10V | 3v @ 250 ähm | 65 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SI4923DY-T1-E3 | - - - | | 2788 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4923 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 6.2a | 21mohm @ 8.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 70NC @ 10V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SUD50N02-06P-GE3 | - - - | | 2065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Sud50 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| V30432-T1-GE3 | - - - | | 3590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30432 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| IRL620S | - - - | | 7203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL620S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 4 V, 10V | 800MOHM @ 3.1a, 10V | 2v @ 250 ähm | 16 NC @ 5 V | ± 10 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
 | SI7872DP-T1-GE3 | - - - | | 2380 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7872 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 6.4a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHB120N60E-T1-GE3 | 5.2400 | | 760 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 120Mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 30 v | 1562 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||||
| SIHF9620S-GE3 | 1.0500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHF9620S-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 3,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||||
| 2N5116Jan02 | - - - | | 1064 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5116 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | SI5441DC-T1-E3 | - - - | | 4826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5441 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.9a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 55mohm @ 3,9a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 22 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SIR680ADP-T1-RE3 | 2.3400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir680 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 30,7a (TA), 125A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 2,88 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 83 NC @ 10 V | ± 20 V | 4415 PF @ 40 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||
 | SUM85N15-19-E3 | 5.8400 | | 2708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum85 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 85a (TC) | 10V | 19Mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 4750 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 375W (TC) | |||||
 | SI7224DN-T1-E3 | - - - | | 5255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7224 | MOSFET (Metalloxid) | 17.8W, 23W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6a | 35mohm @ 6.5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 14.5nc @ 10v | 570PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | Sia911edj-t1-GE3 | - - - | | 8750 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia911 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 101mohm @ 2,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11nc @ 8v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFR9120TRLPBF | 1.6400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SIZ256DT-T1-GE3 | 1.3100 | | 7571 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz256 | MOSFET (Metalloxid) | 4,3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-Siz256dt-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 70V | 11,5a (TA), 31,8a (TC) | 17,6 MOHM @ 7A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 27nc @ 10v | 1060PF @ 35V | - - - | |||||||
 | SI7119DN-T1-E3 | 1.0000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7119 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 3.8a (TC) | 6 V, 10V | 1,05OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 666 PF @ 50 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | IRFL110TRPBF | 0,9400 | | 3321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 1,5a (TC) | 10V | 540MOHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
| Si4116dy-t1-e3 | 1.2500 | | 3658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4116 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 18a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 8.6mohm @ 10a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 12 V | 1925 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||
| IRF9620S | - - - | | 3893 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9620S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 3,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 40W (TC) | |||
 | SI1031R-T1-GE3 | 0,5200 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | SI1031 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 140 mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 8OHM @ 150 mA, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 1,5 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | - - - | 250 MW (TA) | |||||
| 2N4860JTX02 | - - - | | 7381 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4860 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | SI2311D-T1-GE3 | - - - | | 9434 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2311 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 45mohm @ 3,5a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 12 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 970 PF @ 4 V. | - - - | 710 MW (TA) | ||||
| IRFR9020 | - - - | | 6135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR9020 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 50 v | 9,9a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||
 | SI3529DV-T1-E3 | - - - | | 2037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3529 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 40V | 2,5a, 1,95a | 125mohm @ 2,2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 7nc @ 10v | 205PF @ 20V | Logikpegel -tor |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)