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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Ausfluss - rds (on) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Siz350DT-T1-GE3 | 1.1300 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz350 | MOSFET (Metalloxid) | 3,7W (TA), 16,7W (TC) | 8-Power33 (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 18,5a (TA), 30a (TC) | 6,75 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 20.3nc @ 10v | 940PF @ 15V | - - - | |||||||||||
 | SI4340DY-T1-E3 | - - - | | 9910 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4340 | MOSFET (Metalloxid) | 1.14W, 1.43W | 14-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 7.3a, 9,9a | 12mohm @ 9.6a, 10V | 2v @ 250 ähm | 15nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | VQ1006P-E3 | - - - | | 2870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | - - - | VQ1006 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 14-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 N-Kanal | 90V | 400 ma | 4,5OHM @ 1a, 10V | 2,5 V @ 1ma | - - - | 60pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | SI8902EDB-T2-E1 | - - - | | 1454 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Mikro-Foot®csp | SI8902 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 6-micro foot ™ (2.36x1.56) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 3.9a | - - - | 1V @ 980 µA | - - - | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | IRLU3714TR | - - - | | 9734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRLU3714 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 20 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 18a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9,7 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 670 PF @ 10 V. | - - - | 47W (TC) | |||||||||
 | SI7911DN-T1-GE3 | - - - | | 5080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7911 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4.2a | 51MOHM @ 5,7A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | IRFIBC30GPBF | 2.8900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFIBC30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFIBC30GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 2,5a (TC) | 10V | 2,2OHM @ 1,5a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 660 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | ||||||||
 | SI8447DB-T2-E1 | 0,2000 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-uFbga | SI8447 | MOSFET (Metalloxid) | 6-Mikro-Fuß ™ (1,5x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 11a (TC) | 1,7 V, 4,5 V. | 75mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 12 V | 600 PF @ 10 V. | - - - | 2,77W (TA), 13W (TC) | ||||||||
 | IRFR9010TRR | - - - | | 2440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 5.3a (TC) | 10V | 500MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 9.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 240 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||||||||
 | SUP60N10-16L-E3 | - - - | | 9230 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 3820 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||
 | SI2303BDS-T1-E3 | - - - | | 1859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1.49a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 200mohm @ 1,7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 180 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||
 | SIR512DP-T1-RE3 | 2.1200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR512DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 25,1a (TA), 100A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 20 V | 3400 PF @ 50 V | - - - | 6W (TA), 96,2W (TC) | |||||||||
 | SIHF15N60E-GE3 | 3.0900 | | 782 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF15 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 30 v | 1350 PF @ 100 V | - - - | 34W (TC) | |||||||||
 | SI4936BDY-T1-GE3 | 1.3200 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4936 | MOSFET (Metalloxid) | 2.8W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6.9a | 35mohm @ 5.9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15nc @ 10v | 530pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||
 | SQUN700E-T1_GE3 | 2.4400 | | 5083 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | Squn700 | MOSFET (Metalloxid) | 50W (TC), 48W (TC) | Sterben | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-squn700e-t1_ge3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 n-kanal (dual), p-kanal | 200V, 40V | 16A (TC), 30a (TC) | 9,2mohm @ 9,8a, 10V, 75MOHM @ 5A, 10V, 30MOHM @ 6a, 10V | 3,5 V Bei 250 UA, 2,5 V @ 250 µA | 23nc @ 10v, 11nc @ 10v, 30,2nc @ 10v | 1474pf @ 20V, 600PF @ 100V, 1302pf @ 100V | - - - | |||||||||||
 | IRF840LCS | - - - | | 7570 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF840LCS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||||
 | SI1304BDL-T1-GE3 | - - - | | 3164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1304 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 900 Ma (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 270 MOHM @ 900 Ma, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 2,7 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 100 PF @ 15 V | - - - | 340 MW (TA), 370 MW (TC) | ||||||||
| SQ9945bey-t1_be3 | 1.1100 | | 8725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ9945 | MOSFET (Metalloxid) | 4W (TC) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5.4a (TC) | 64mohm @ 3.4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 470pf @ 25v | - - - | ||||||||||||
 | SIR878BDP-T1-RE3 | 1.7000 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir878 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 12a (TA), 42,5a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 14.4mohm @ 15a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1850 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||||||
| SST174-T1-E3 | - - - | | 9964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST174 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20pf @ 0v | 30 v | 20 mA @ 15 V | 5 V @ 10 na | 85 Ohm | |||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | 1.0700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir410 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1600 PF @ 10 V. | - - - | 4.2W (TA), 36W (TC) | |||||||||
 | SIA406DJ-T1-GE3 | - - - | | 9002 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA406 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 4,5a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 19,8 MOHM @ 10,8A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 23 NC @ 5 V | ± 8 v | 1380 PF @ 6 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||||||
 | SIS407DN-T1-GE3 | 1.0000 | | 60 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS407 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 25a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 9,5 MOHM @ 15,3A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 93.8 NC @ 8 V. | ± 8 v | 2760 PF @ 10 V | - - - | 3.6W (TA), 33W (TC) | |||||||||
 | SI5403DC-T1-GE3 | 1.0400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5403 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 7.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1340 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 6,3 W (TC) | ||||||||
| Irfz10 | - - - | | 3641 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irfz10 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfz10 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | |||||||
| IRFI9620GPBF | 2.4800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9620 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI9620GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 340 PF @ 15 V | - - - | 30W (TC) | ||||||||
| IRFR420PBF | 1.2900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||||||
| SIDR104ADP-T1-RE3 | 2.5600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr104 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 18,8a (TA), 81a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 6.1MOHM @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 3250 PF @ 50 V | - - - | 5.4W (TA), 100W (TC) | |||||||||
 | SI1433DH-T1-E3 | - - - | | 3152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1433 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1,9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 150 MOHM @ 2,2a, 10 V | 3 V @ 100 µA | 5 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 950 MW (TA) | |||||||||
| IRFR014TR | - - - | | 6550 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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