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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUP70060E-GE3 | 2.0800 |  | 4366 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP70060 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 131a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 81 NC @ 10 V | ± 20 V | 3330 PF @ 50 V | - - - | 200W (TC) | |||||
 | SIHB30N60ET1-GE3 | 6.0700 | | 426 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 2600 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||||
 | SIS468DN-T1-GE3 | 1.3200 | | 8633 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS468 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19,5 MOHM @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 28 NC @ 10 V | ± 20 V | 780 PF @ 40 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI7886ADP-T1-GE3 | - - - | | 3546 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7886 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 25a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 60 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 6450 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||
 | SIHG47N60E-GE3 | 9.8400 | | 1313 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG47 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 64mohm @ 24a, 10V | 4v @ 250 ähm | 220 NC @ 10 V | ± 30 v | 9620 PF @ 100 V | - - - | 357W (TC) | |||||
 | SI6467BDQ-T1-GE3 | - - - | | 3762 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6467 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 6.8a (ta) | 12,5 MOHM @ 8A, 4,5 V. | 850 MV @ 450 ähm | 70 NC @ 4,5 V. | - - - | |||||||||
 | SI1972DH-T1-GE3 | - - - | | 5253 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1972 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1,3a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 2,8nc @ 10v | 75PF @ 15V | - - - | ||||||
 | SIHB22N60S-GE3 | - - - | | 3462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | S | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB22 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 22a (TC) | 10V | 190mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 2810 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | |||||
| SQJ460AEP-T1_GE3 | 1.5100 | | 2334 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ460 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 32a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,6 MOHM @ 18A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 106 NC @ 10 V | ± 20 V | 4795 PF @ 25 V. | - - - | 83W (TC) | |||||
 | Sqs460enw-t1_ge3 | 0,8900 | | 5409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS460 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 36mohm @ 5.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 755 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | |||||
| SIR788DP-T1-GE3 | - - - | | 1740 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir788 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,4mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 2873 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
| IRFBC40ASTRL | - - - | | 3669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1036 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||
 | V30392-T1-GE3 | - - - | | 2558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30392 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | SIS9634LDN-T1-GE3 | 1.2600 | | 8140 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SIS9634 | MOSFET (Metalloxid) | 2,5 W (TA), 17,9 W (TC) | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIS9634LDN-T1-GE3DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6a (ta), 6a (TC) | 31mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 10v | 420pf @ 30v | - - - | ||||||
 | SQJ465EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ465 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 85mohm @ 3,5a, 10 V, 1,17Mohm @ 20a, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1140 PF @ 30 V | - - - | 45W (TC) | |||||
 | SQ2360EES-T1-GE3 | - - - | | 4081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2360 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 4.4a (TC) | 85mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | 370 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||
 | SIB406EDK-T1-GE3 | 0,5700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB406 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 46mohm @ 3,9a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 12 V | 350 PF @ 10 V | - - - | 1,95W (TA), 10W (TC) | |||||
| IRFZ44STRLPBF | 2.7800 | | 754 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz44 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
 | IRFRC20TR | - - - | | 2891 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4,4ohm @ 1,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
| IRLR110TRR | - - - | | 6708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 4V, 5V | 540MOHM @ 2,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 6.1 NC @ 5 V | ± 10 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
| IRFP21N60L | - - - | | 9884 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP21 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 320Mohm @ 13a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 330W (TC) | ||||
| SQJ454EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 6267 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ454 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 13a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 145mohm @ 7,5a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 2600 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||
 | SIHP11N80E-BE3 | 3.5300 | | 916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 12a (TC) | 10V | 440MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 30 v | 1670 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||||
 | SIHD7N60E-E3 | 0,9185 | | 7786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd7 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 3,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 30 v | 680 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | |||||
| SIRC04DP-T1-GE3 | 1.6600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIRC04 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,45 MOHM @ 15a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | +20V, -16v | 2850 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 50W (TC) | |||||
 | SI7956DP-T1-GE3 | 3.1700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7956 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 150 v | 2.6a | 105mohm @ 4.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI4952DY-T1-GE3 | - - - | | 8181 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4952 | MOSFET (Metalloxid) | 2.8W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 8a | 23mohm @ 7a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 18nc @ 10v | 680pf @ 13v | Logikpegel -tor | ||||||
| SI7635DP-T1-GE3 | - - - | | 8467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7635 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,9 MOHM @ 26A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 143 NC @ 10 V | ± 16 v | 4595 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 54W (TC) | |||||
 | SIHP240N60E-GE3 | 2.9700 | | 419 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP240 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 240 MOHM @ 5,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 795 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | |||||
| SUD50N10-34P-T4-E3 | - - - | | 6384 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 5.9a (TA), 20A (TC) | 6 V, 10V | 34mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 56 W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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Standardprodukteinheit
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