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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7980DP-T1-GE3 | 1.0500 |  | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7980 | MOSFET (Metalloxid) | 19.8W, 21.9W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 20V | 8a | 22mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 27nc @ 10v | 1010pf @ 10v | - - - | ||||||||||
 | SQP90P06-07L_GE3 | - - - | | 6256 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP90 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.7mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 270 nc @ 10 v | ± 20 V | 14280 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | |||||||||
 | SI4104DY-T1-E3 | - - - | | 6361 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4104 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 4.6a (TC) | 10V | 105mohm @ 5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 446 PF @ 50 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||||
 | SUM110P06-08L-E3 | 4.4500 | | 9491 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 240 nc @ 10 v | ± 20 V | 9200 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 272W (TC) | |||||||
 | IRF840StrRPBF | 2.8500 | | 415 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||||
 | SIHB21N65EF-GE3 | 5.0800 | | 351 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB21 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 106 NC @ 10 V | ± 30 v | 2322 PF @ 100 V | - - - | 208W (TC) | ||||||||
 | SIHA14N60E-GE3 | 2.3700 | | 6111 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHA14N60E-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 30 v | 1205 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | |||||||||
 | SI3495DV-T1-GE3 | - - - | | 7465 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3495 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 7A, 4,5 V. | 750 MV @ 250 ähm | 38 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | - - - | 1.1W (TA) | ||||||||
 | SIS606BDN-T1-GE3 | 1.4900 | | 7649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sis606 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 9,4a (TA), 35,3a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 17,4mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1470 PF @ 50 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
| SIHB22N60ET1-GE3 | 3.5600 | | 9622 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB22 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1920 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | |||||||||
 | SIHG25N50E-GE3 | 3.8600 | | 4359 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG25 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 26a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1980 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||
 | SIRC06DP-T1-GE3 | 0,3733 | | 8732 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIRC06 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 32A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,7 MOHM @ 15a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | +20V, -16v | 2455 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 5W (TA), 50W (TC) | ||||||||
 | 2N4117A-2 | - - - | | 6504 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 2N4117 | 300 MW | To-206af (bis 72) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | N-Kanal | 3PF @ 10v | 40 v | 30 µa @ 10 V | 600 mv @ 1 na | |||||||||||||
 | SIE836DF-T1-E3 | - - - | | 8315 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (SH) | Sie836 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (SH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 18,3a (TC) | 10V | 130MOHM @ 4.1a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 30 v | 1200 PF @ 100 V | - - - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||||
 | SI1072X-T1-E3 | - - - | | 7584 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1072 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 93mohm @ 1,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 280 PF @ 15 V | - - - | 236 MW (TA) | |||||||
 | SIR5623DP-T1-RE3 | 1.7100 | | 4432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir5623 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 10,5a (TA), 37,1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1575 PF @ 30 V | - - - | 4,8W (TA), 59,5W (TC) | ||||||||
| IRF630Strl | - - - | | 2493 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 800 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||||
 | SIS698DN-T1-GE3 | 0,3045 | | 2231 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sis698 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 6.9a (TC) | 6 V, 10V | 195mohm @ 2,5a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 210 PF @ 50 V | - - - | 19,8W (TC) | |||||||||
 | SI6473DQ-T1-E3 | - - - | | 2730 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6473 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6.2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 12,5 MOHM @ 9,5A, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 70 NC @ 5 V. | ± 8 v | - - - | 1.08W (TA) | ||||||||
| SI4800BDY-T1-E3 | 0,9200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4800 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 6,5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 18,5 MOHM @ 9A, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 13 NC @ 5 V | ± 25 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||||||
| SIDR220DP-T1-GE3 | 2.8000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr220 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 87,7a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 20a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 1085 PF @ 10 V. | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | ||||||||
| SIS436DN-T1-GE3 | - - - | | 1531 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS436 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.5mohm @ 10a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 855 PF @ 10 V. | - - - | 3,5 W (TA), 27,7W (TC) | ||||||||
 | IRF9Z20 | - - - | | 2062 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF9Z20 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 50 v | 9.7a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 5.6A, 10V | 4v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 480 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||||||
 | SQJ844AEP-T1_GE3 | 1.2100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ844 | MOSFET (Metalloxid) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 16,6 MOHM @ 7,6A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 1161pf @ 15V | - - - | ||||||||||
| SIHG21N60EF-GE3 | 4.4700 | | 6532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG21 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 176mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 30 v | 2030 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | ||||||||
| Sum70090e-GE3 | 1.6600 | | 1264 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum70090 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 50a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8,9 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 1950 PF @ 50 V | - - - | 125W (TC) | ||||||||
| SIHP4N80E-GE3 | 1.0201 | | 5949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP4 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 4.3a (TC) | 10V | 1,27OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 30 v | 622 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | ||||||||
| SIHFZ48S-GE3 | 1.0810 | | 4427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHFZ48 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 190 W (TC) | ||||||||
 | IRFR210TRLPBF | 1.1700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 2.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||||||
 | IRFBC40APBF-BE3 | 2.4900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFBC40APBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1036 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) |
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