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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFU9310PBF | 1.5800 |  | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9310 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU9310PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 400 V | 1,8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | IRF720L | - - - | | 8420 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF720 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF720L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1,8ohm @ 2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 410 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
 | SI2315BDS-T1-GE3 | 0,6700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2315 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3a (ta) | 4,5 v | 50 MOHM @ 3,85a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 715 PF @ 6 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | SUD50N03-12P-GE3 | - - - | | 9132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 16,8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | |||||
 | SI3473CDV-T1-E3 | 0,7100 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 22mohm @ 8.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 65 NC @ 8 V | ± 8 v | 2010 PF @ 6 V | - - - | 4.2W (TC) | |||||
 | SIHB24N80AE-GE3 | 3.5600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB24 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHB24N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 21a (TC) | 184mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 89 NC @ 10 V | ± 30 v | 1836 PF @ 100 V. | - - - | 208W (TC) | ||||||
 | SQJ180EP-T1_GE3 | 1.9300 | | 5507 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ180EP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 248a (TC) | 10V | 3mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 117 NC @ 10 V | ± 20 V | 6645 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) | |||||
 | IRFR9010TRL | - - - | | 9296 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 5.3a (TC) | 10V | 500MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 9.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 240 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | ||||
 | SI7214DN-T1-E3 | - - - | | 1688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7214 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4.6a | 40mohm @ 6.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 6,5nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | Sira72DP-T1-GE3 | 1.2000 | | 2377 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira72 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | +20V, -16v | 3240 PF @ 20 V | - - - | 56,8W (TC) | |||||
 | SQM120N06-06_GE3 | 2.9400 | | 9218 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 10V | 6mohm @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6495 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | |||||
 | SIR870ADP-T1-RE3 | 2.2600 | | 3982 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir870 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,6 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 2866 PF @ 50 V | - - - | 104W (TC) | ||||||
 | IRFD024 | - - - | | 2288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD024 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRFD024 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 2,5a (TA) | 10V | 100MOHM @ 1,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | ||||
 | Sira80DP-T1-RE3 | 1.5900 | | 546 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira80 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,62 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 188 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 9530 PF @ 15 V | - - - | 104W (TC) | |||||
 | SI7425DN-T1-E3 | - - - | | 5366 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7425 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8.3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 16mohm @ 12,6a, 4,5 V. | 1V @ 300 ähm | 39 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| IRFR420TR | - - - | | 2389 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | SUP45P03-09-GE3 | - - - | | 2149 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup45 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 30 v | 45a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.7mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 2700 PF @ 15 V | - - - | 73,5W (TC) | ||||||
| SUD17N25-165-E3 | - - - | | 1751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud17 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 250 V | 17a (TC) | 10V | 165mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1950 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | ||||
 | SIHG73N60E-GE3 | 12.6600 | | 7443 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG73 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 73a (TC) | 10V | 39mohm @ 36a, 10V | 4v @ 250 ähm | 362 NC @ 10 V | ± 30 v | 7700 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
 | SI1553CDL-T1-GE3 | 0,5000 | | 64 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1553 | MOSFET (Metalloxid) | 340 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 700 mA, 500 mA | 390MOHM @ 700 Ma, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,8nc @ 10v | 38PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
| SI3483CDV-T1-GE3 | 1.0000 | | 94 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3483 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 34mohm @ 6.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1000 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 4,2W (TC) | |||||
 | SQJ401EP-T1_GE3 | 2.0200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ401 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 32a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 6mohm @ 15a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 164 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 10015 PF @ 6 V | - - - | 83W (TC) | ||||||
 | SQJ208EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 9567 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ208 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC), 48W (TC) | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 20A (TC), 60A (TC) | 9,4mohm @ 6a, 10 V, 3,9Mohm @ 10a, 10 V. | 2,3 V @ 250 µA, 2,4 V @ 250 µA | 33nc @ 10v, 75nc @ 10v | 1700pf @ 25v, 3900pf @ 25v | - - - | |||||||
| SQM70060EL_GE3 | 2.6800 | | 61 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM70060 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.9mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 5500 PF @ 25 V. | - - - | 166W (TC) | |||||
 | SQJQ910EL-T1_GE3 | 2.6900 | | 9581 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 Dual | SQJQ910 | MOSFET (Metalloxid) | 187W | Powerpak® 8 x 8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 70a (TC) | 8.6mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 58nc @ 10v | 2832pf @ 50V | - - - | |||||||
 | SQJ431AEP-T1_GE3 | 1.6400 | | 7662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ431 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 9,4a (TC) | 6 V, 10V | 305mohm @ 3,8a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 3700 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
 | SIHB22N65E-GE3 | 2.5431 | | 5246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB22 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 2415 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | |||||
 | SI7450DP-T1-RE3 | 1.0516 | | 3794 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | SI7450 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 3,2a (TA), 19,8a (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRFR210TR | - - - | | 5022 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 2.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
 | SQD40020EL_GE3 | 1.6500 | | 1060 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD40020 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 165 NC @ 20 V | ± 20 V | 8800 PF @ 25 V. | - - - | 107W (TC) |
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