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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIR820DP-T1-GE3 | 0,6350 |  | 3781 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir820 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3512 PF @ 15 V | - - - | 37,8W (TC) | |||||||||
 | IRFPG50PBF | 5.8800 | | 1915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPG50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPG50PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 1000 v | 6.1a (TC) | 10V | 2OHM @ 3,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||||||
 | IRF710STRLPBF | 1.6700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF710 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1,2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||||||
 | SIS414DN-T1-GE3 | - - - | | 8432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS414 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 20A (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 16mohm @ 10a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 12 V | 795 PF @ 15 V | - - - | 3.4W (TA), 31W (TC) | ||||||||
 | SI7668ADP-T1-GE3 | - - - | | 2483 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7668 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 25a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 170 nc @ 10 v | ± 12 V | 8820 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||||
 | SI4840BDY-T1-E3 | 1.6600 | | 69 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4840 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 19A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 12.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 2000 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA), 6W (TC) | ||||||||
| SI7326DN-T1-GE3 | 0,9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7326 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6,5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 19,5 MOHM @ 10a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 13 NC @ 5 V | ± 25 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||
 | SQ3457ev-T1_GE3 | 0,6900 | | 735 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3457 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 65mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 705 PF @ 15 V | - - - | 5W (TC) | |||||||||
| SIHG039N60EF-GE3 | 12.4500 | | 5096 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG039 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2266-SIHG039N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 61a (TC) | 10V | 40mohm @ 32a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 30 v | 4323 PF @ 100 V | - - - | 357W (TC) | |||||||
| IRFBF20STRLPBF | 2.4700 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBF20 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 54W (TC) | ||||||||
| SI4501BDY-T1-GE3 | 0,6300 | | 53 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4501 | MOSFET (Metalloxid) | 4,5W, 3,1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 30 V, 8 V. | 12a, 8a | 17mohm @ 10a, 10V | 2v @ 250 ähm | 25nc @ 10v | 805PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | IRFI540GPBF | 3.1800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI540GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 17a (TC) | 10V | 77mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||||
| U430-e3 | - - - | | 1784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Bis 78-6 Metalldose | U430 | 500 MW | To-78-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 2 n-kanal (dual) | 5pf @ 10v | 25 v | 12 mA @ 10 v | 1 V @ 1 na | |||||||||||||
| IRF624strr | - - - | | 3611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF624 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1,1OHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||
 | SQJ872EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 3649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ872 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 24,5a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 35,5 MOHM @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1045 PF @ 25 V. | - - - | 55W (TC) | ||||||||
 | SIR500DP-T1-RE3 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR500DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 85,9a (TA), 350,8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,47 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 8960 PF @ 15 V | - - - | 6,25W (TA), 104,1W (TC) | ||||||||
 | Sizf906BDT-T1-GE3 | 2.0200 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Sizf906 | MOSFET (Metalloxid) | 4,5W (TA), 38W (TC), 5W (TA), 83W (TC) | 8-Powerpair® (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-Sizf906bdt-T1-Ge3ct | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual), Schottky | 30V | 36a (TA), 105a (TC), 63A (TA), 257A (TC) | 2,1 MOHM @ 15A, 10 V, 680 µOHM @ 20A, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 49nc @ 10v, 165nc @ 10v | 1630pf @ 15V, 5550pf @ 15V | - - - | |||||||||
| IRFBC40LCS | - - - | | 7369 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRFBC40LCS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||||
 | SIB452DK-T1-GE3 | 0,8000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB452 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 190 v | 1,5a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 2,4OHM @ 500 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 6,5 NC @ 10 V. | ± 16 v | 135 PF @ 50 V | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | ||||||||
 | SIHD11N80AE-T1-GE3 | 1,8000 | | 7909 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHD11N80AE-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 800 V | 8a (TC) | 10V | 450MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 804 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | |||||||||
| SQS401EN-T1_BE3 | 0,9400 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQS401 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1875 PF @ 20 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||||||
 | SQ3425ev-T1_BE3 | 0,6900 | | 6117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3425 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7.4a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 60mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 10.3 NC @ 4.5 V. | ± 12 V | 840 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TC) | |||||||||
 | IRFR210 | - - - | | 8250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR210 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 200 v | 2.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||||
| SQJ858AEP-T1_BE3 | 1.3700 | | 7783 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ858 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ858AEP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 58a (TC) | 6,3 MOHM @ 14A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 2450 PF @ 20 V | - - - | 48W (TC) | |||||||||
 | IRFL110TRPBF-BE3 | 0,9300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 1,5a (TC) | 10V | 540MOHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||||||
 | IRF9Z10 | - - - | | 4700 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF9Z10 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 60 v | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | |||||||
 | SQJA02EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja02 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 10V | 4,8 MOHM @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 4700 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||||
| SQS180Enw-t1_GE3 | 1.0600 | | 9668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8slw | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8slw | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 72a (TC) | 10V | 8.67Mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 3092 PF @ 25 V. | - - - | 119W (TC) | |||||||||||
 | SIHH24N65E-T1-GE3 | 6.4800 | | 821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH24 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 23a (TC) | 10V | 150 MOHM @ 12A, 10V | 4v @ 250 ähm | 116 nc @ 10 v | ± 30 v | 2814 PF @ 100 V | - - - | 202W (TC) | ||||||||
| SQ4410EY-T1_BE3 | 1.5200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4410 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQ4410EY-T1_BE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 2385 PF @ 25 V. | - - - | 5W (TC) |
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