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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI7439DP-T1-E3 | 3.9800 | ![]() | 2592 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SI7439 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 150 V | 3A (Ta) | 6V, 10V | 90 mOhm bei 5,2 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 135 nC bei 10 V | ±20V | - | 1,9 W (Ta) | ||||||
![]() | SUM70030E-GE3 | 3.6700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SUM70030 | MOSFET (Metalloxid) | TO-263 (D²Pak) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 V | 150A (Tc) | 7,5 V, 10 V | 2,88 mOhm bei 30 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 214 nC bei 10 V | ±20V | 10870 pF bei 50 V | - | 375 W (Tc) | |||||
![]() | SI4814BDY-T1-E3 | - | ![]() | 2310 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | LITTLE FOOT® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4814 | MOSFET (Metalloxid) | 3,3 W, 3,5 W | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | 30V | 10A, 10,5A | 18 mOhm bei 10 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 10 nC bei 4,5 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||
![]() | IRFD9123PBF | - | ![]() | 3308 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Veraltet | - | Durchgangsloch | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | IRFD9123 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 V | 1A (Ta) | 600 mOhm bei 600 mA, 10 V | 4 V bei 250 µA | 18 nC bei 10 V | 390 pF bei 25 V | - | - | ||||||
| SUP60N10-16L-E3 | - | ![]() | 9230 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | SUP60 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 V | 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 16 mOhm bei 30 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 110 nC bei 10 V | ±20V | 3820 pF bei 25 V | - | 150 W (Tc) | |||||
![]() | SI6544BDQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9899 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) | SI6544 | MOSFET (Metalloxid) | 830 mW | 8-TSSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N- und P-Kanal | 30V | 3,7A, 3,8A | 43 mOhm bei 3,8 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 15 nC bei 10 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||
![]() | SIA469DJ-T1-GE3 | 0,4700 | ![]() | 198 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen III | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SC-70-6 | SIA469 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SC-70-6 Single | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 V | 12A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 26,5 mOhm bei 5 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 15 nC bei 4,5 V | ±20V | 1020 pF bei 15 V | - | 15,6 W (Tc) | |||||
![]() | SIA406DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 9002 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SC-70-6 | SIA406 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SC-70-6 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 V | 4,5 A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 19,8 mOhm bei 10,8 A, 4,5 V | 1 V bei 250 µA | 23 nC bei 5 V | ±8V | 1380 pF bei 6 V | - | 3,5 W (Ta), 19 W (Tc) | |||||
![]() | SQ2360EES-T1-GE3 | - | ![]() | 4081 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Schnittband (CT) | Veraltet | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2360 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (TO-236) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 V | 4,4A (Tc) | 85 mOhm bei 6 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 12 nC bei 10 V | 370 pF bei 25 V | - | ||||||||
![]() | SI4684DY-T1-E3 | - | ![]() | 8102 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4684 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 V | 16A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 9,4 mOhm bei 16 A, 10 V | 1,5 V bei 250 µA | 45 nC bei 10 V | ±12V | 2080 pF bei 15 V | - | 2,5 W (Ta), 4,45 W (Tc) | ||||
![]() | SIJ470DP-T1-GE3 | 1.6300 | ![]() | 1561 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | ThunderFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SIJ470 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 V | 58,8A (Tc) | 7,5 V, 10 V | 9,1 mOhm bei 20 A, 10 V | 3,5 V bei 250 µA | 56 nC bei 10 V | ±20V | 2050 pF bei 50 V | - | 5 W (Ta), 56,8 W (Tc) | |||||
![]() | SI5908DC-T1-GE3 | 1.3900 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SMD, Flachanschluss | SI5908 | MOSFET (Metalloxid) | 1,1 W | 1206-8 ChipFET™ | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual) | 20V | 4,4A | 40 mOhm bei 4,4 A, 4,5 V | 1 V bei 250 µA | 7,5 nC bei 4,5 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||
![]() | IRFBF30PBF-BE3 | 2.8800 | ![]() | 6536 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | IRFBF30 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-IRFBF30PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 900 V | 3,6A (Tc) | 3,7 Ohm bei 2,2 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 78 nC bei 10 V | ±20V | 1200 pF bei 25 V | - | 125 W (Tc) | ||||||
![]() | SI2377EDS-T1-GE3 | 0,4400 | ![]() | 7653 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2377 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (TO-236) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 4,4A (Tc) | 1,5 V, 4,5 V | 61 mOhm bei 3,2 A, 4,5 V | 1 V bei 250 µA | 21 nC bei 8 V | ±8V | - | 1,25 W (Ta), 1,8 W (Tc) | |||||
![]() | SI3529DV-T1-GE3 | - | ![]() | 2860 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | SI3529 | MOSFET (Metalloxid) | 1,4W | 6-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N- und P-Kanal | 40V | 2,5A, 1,95A | 125 mOhm bei 2,2 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 7 nC bei 10 V | 205pF bei 20V | Logikpegel-Gate | ||||||
![]() | 2N6660JTXV02 | - | ![]() | 1075 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-205AD, TO-39-3 Metalldose | 2N6660 | MOSFET (Metalloxid) | TO-205AD (TO-39) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 60 V | 990mA (Tc) | 5V, 10V | 3 Ohm bei 1 A, 10 V | 2V bei 1mA | ±20V | 50 pF bei 25 V | - | 725 mW (Ta), 6,25 W (Tc) | |||||
![]() | IRFZ34STRLPBF | 1.4682 | ![]() | 4607 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | IRFZ34 | MOSFET (Metalloxid) | D²PAK (TO-263) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 V | 30A (Tc) | 10V | 50 mOhm bei 18 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 46 nC bei 10 V | ±20V | 1200 pF bei 25 V | - | 3,7 W (Ta), 88 W (Tc) | |||||
![]() | SI2337DS-T1-E3 | 1.0100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -50°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2337 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (TO-236) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 80 V | 2,2A (Tc) | 6V, 10V | 270 mOhm bei 1,2 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 17 nC bei 10 V | ±20V | 500 pF bei 40 V | - | 760 mW (Ta), 2,5 W (Tc) | ||||
![]() | IRFZ44PBF-BE3 | 2.0400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | IRFZ44 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-IRFZ44PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 V | 50A (Tc) | 28 mOhm bei 31 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 67 nC bei 10 V | ±20V | 1900 pF bei 25 V | - | 150 W (Tc) | ||||||
![]() | SI4204DY-T1-GE3 | 1.8900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4204 | MOSFET (Metalloxid) | 3,25 W | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) | 20V | 19,8A | 4,6 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,4 V bei 250 µA | 45 nC bei 10 V | 2110pF bei 10V | - | |||||||
![]() | SQJ910AEP-T2_GE3 | 0,5433 | ![]() | 7378 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 Dual | SQJ910 | MOSFET (Metalloxid) | 48W (Tc) | PowerPAK® SO-8 Dual | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 742-SQJ910AEP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual) | 30V | 30A (Tc) | 7 mOhm bei 12 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 39 nC bei 10 V | 1869pF bei 15V | - | ||||||
![]() | SIHG33N65E-GE3 | 4.4659 | ![]() | 3198 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SIHG33 | MOSFET (Metalloxid) | TO-247AC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 650 V | 32,4A (Tc) | 10V | 105 mOhm bei 16,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 173 nC bei 10 V | ±30V | 4040 pF bei 100 V | - | 313W (Tc) | |||||
![]() | SI7431DP-T1-E3 | 4.0900 | ![]() | 6994 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SI7431 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 V | 2,2A (Ta) | 6V, 10V | 174 mOhm bei 3,8 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 135 nC bei 10 V | ±20V | - | 1,9 W (Ta) | ||||||
![]() | SUM90P10-19-E3 | - | ![]() | 9815 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SUMME90 | MOSFET (Metalloxid) | TO-263 (D²Pak) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 V | 90A (Tc) | 10V | 19 mOhm bei 20 A, 10 V | 4,5 V bei 250 µA | 330 nC bei 10 V | ±20V | 12000 pF bei 50 V | - | 13,6 W (Ta), 375 W (Tc) | ||||
![]() | SQR40030ER_GE3 | 1.5700 | ![]() | 9416 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-4, DPak (3 Leitungen + Tab) | SQR40030 | TO-252 (DPAK) Rückwärtsleitung | - | 1 (Unbegrenzt) | 0000.00.0000 | 2.000 | - | |||||||||||||||||||
![]() | SQ4840EY-T1_BE3 | 3.3100 | ![]() | 5093 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Letzter Kauf | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SQ4840 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | - | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 V | 20,7 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 9 mOhm bei 14 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 62 nC bei 10 V | ±20V | 2440 pF bei 20 V | - | 7,1 W (Tc) | ||||||
![]() | SI4684DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8482 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4684 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 V | 16A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 9,4 mOhm bei 16 A, 10 V | 1,5 V bei 250 µA | 45 nC bei 10 V | ±12V | 2080 pF bei 15 V | - | 2,5 W (Ta), 4,45 W (Tc) | ||||
![]() | SQ2351CES-T1_GE3 | - | ![]() | 3292 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (TO-236) | - | ROHS3-konform | 742-SQ2351CES-T1_GE3TR | 1 | P-Kanal | 20 V | 3,2A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 115 mOhm bei 2,4 A, 4,5 V | 1,5 V bei 250 µA | 5,5 nC bei 4,5 V | ±12V | 330 pF bei 10 V | - | 2W (Tc) | ||||||||
![]() | SI4925BDY-T1-GE3 | 1.7000 | ![]() | 1623 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4925 | MOSFET (Metalloxid) | 1,1 W | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 P-Kanal (Dual) | 30V | 5,3A | 25 mOhm bei 7,1 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 50 nC bei 10 V | - | Logikpegel-Gate | |||||||
![]() | SIHA12N60E-GE3 | 2.5300 | ![]() | 1575 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 Komplettpaket | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-SIHA12N60E-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 12A (Tc) | 10V | 380 mOhm bei 6 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 58 nC bei 10 V | ±30V | 937 pF bei 100 V | - | 33W (Tc) |

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