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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHH24N65E-T1-GE3 | 6.4800 |  | 821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH24 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 23a (TC) | 10V | 150 MOHM @ 12A, 10V | 4v @ 250 ähm | 116 nc @ 10 v | ± 30 v | 2814 PF @ 100 V | - - - | 202W (TC) | |||||
 | SI7322ADN-T1-GE3 | 0,6800 | | 6488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7322 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 15.1a (TC) | 10V | 57mohm @ 5.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 50 V | - - - | 26W (TC) | |||||
 | V30432-T1-GE3 | - - - | | 3590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30432 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | SQ4410EY-T1_BE3 | 1.5200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4410 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQ4410EY-T1_BE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 2385 PF @ 25 V. | - - - | 5W (TC) | |||||
 | SI1431DH-T1-GE3 | - - - | | 8912 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1431 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 200mohm @ 2a, 10V | 3 V @ 100 µA | 4 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 950 MW (TA) | |||||
| SQD100N02_3M5L4GE3 | 0,6209 | | 5786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD100 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD100N02_3M5L4GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 5500 PF @ 10 V. | - - - | 83W (TC) | ||||
 | IRF9Z24PBF | 1.9400 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9Z24 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 11a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | |||||
 | SI7852DP-T1-GE3 | 2.9500 | | 795 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7852 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 7.6a (ta) | 6 V, 10V | 16,5 MOHM @ 10a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| SI1970DH-T1-E3 | - - - | | 7066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1970 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1,2a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 3.8nc @ 10v | 95PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
| SI9435BDY-T1-E3 | 0,8900 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9435 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 4.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 5.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,3W (TA) | ||||||
 | Sum70030e-GE3 | 3.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum70030 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 150a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 2,88MOHM @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 214 nc @ 10 v | ± 20 V | 10870 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SI1302DL-T1-E3 | 0,4400 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1302 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 600 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 480MOHM @ 600 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 280 MW (TA) | |||||
 | SIHP21N60EF-GE3 | 4.0000 | | 9034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP21 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2266-SIHP21N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 176mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 30 v | 2030 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | ||||
 | IRF620Strl | - - - | | 3842 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 10V | 800MOHM @ 3.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 50 W (TC) | ||||
 | SIHD14N60E-BE3 | 2.3000 | | 9863 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd14 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sihd14n60e-be3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 30 v | 1205 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | |||||
| SUP70090E-GE3 | 3.0600 | | 56 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP70090 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 50a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8,9 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 1950 PF @ 50 V | - - - | 125W (TC) | |||||
 | SI5908DC-T1-GE3 | 1.3900 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5908 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4.4a | 40mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | Siha15n80ae-GE3 | 2.6000 | | 7348 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha15 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-siha15n80ae-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 6a (TC) | 10V | 350MOHM @ 7.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 30 v | 1093 PF @ 100 V | - - - | 33W (TC) | ||||
 | SIR500DP-T1-RE3 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR500DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 85,9a (TA), 350,8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,47 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 8960 PF @ 15 V | - - - | 6,25W (TA), 104,1W (TC) | |||||
| SI4654DY-T1-GE3 | - - - | | 7223 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4654 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 28,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 16 v | 3770 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,9W (TC) | ||||
| SI7483ADP-T1-E3 | - - - | | 7925 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7483 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 14a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.7mohm @ 24a, 10V | 3v @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
 | SI3443DDV-T1-GE3 | 0,4300 | | 6970 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3443 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (TA), 5,3a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 47mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 8 V | ± 12 V | 970 PF @ 10 V. | - - - | 1,7W (TA), 2,7W (TC) | |||||
| SIR864DP-T1-GE3 | - - - | | 8959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir864 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,6 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 20 V | 2460 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 54W (TC) | |||||
 | SIA437DJ-T1-GE3 | 0,6900 | | 2425 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA437 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 29.7a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 14,5 MOHM @ 8A, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 90 nc @ 8 v | ± 8 v | 2340 PF @ 10 V. | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
| IRF9Z30 | - - - | | 2157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9Z30 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 50 v | 18a (TC) | 10V | 140Mohm @ 9.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||
 | SQ2361ES-T1_BE3 | 0,6300 | | 44 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2361 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 2.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 177mohm @ 2,4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 550 PF @ 30 V | - - - | 2W (TC) | ||||||
| SIS424DN-T1-GE3 | - - - | | 4209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS424 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.4mohm @ 19.6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 10 V | - - - | 3.7W (TA), 39W (TC) | |||||
| SI7461DP-T1-E3 | 2.4000 | | 1301 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7461 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 8.6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14,5 MOHM @ 14,4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| SIR880BDP-T1-RE3 | 1.3100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 18,6a (TA), 70,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 20 V | 2930 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 71,4W (TC) | ||||||
| VS-ETL3006S2LHM3 | 2.8700 | | 3833 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | ETL3006 | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 800 |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
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