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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF520SPBF | 1.3600 |  | 750 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF520 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 5,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||||
 | SI5855CDC-T1-E3 | - - - | | 1068 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5855 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.7a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 144mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6,8 NC @ 5 V. | ± 8 v | 276 PF @ 10 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,3W (TA), 2,8 W (TC) | ||||
 | SUD25N04-25-T4-E3 | - - - | | 6074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud25 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 25a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 25mohm @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 510 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 33W (TC) | ||||
 | SI7411DN-T1-GE3 | - - - | | 7676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7411 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7.5a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 19mohm @ 11.4a, 4,5 V. | 1V @ 300 ähm | 41 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SI1965DH-T1-E3 | 0,5100 | | 4167 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1965 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 1.3a | 390MOHM @ 1A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4.2nc @ 8v | 120pf @ 6v | Logikpegel -tor | ||||||
 | SUP85N10-10-GE3 | 6.6200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup85 | MOSFET (Metalloxid) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 85a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.5Mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 6550 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 250 W (TC) | ||||||
| SI7407DN-T1-GE3 | - - - | | 8751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7407 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 9,9a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 12mohm @ 15,6a, 4,5 V. | 1V @ 400 ähm | 59 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | IRF9630SPBF | 2.9100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 6,5a (TC) | 10V | 800 MOHM @ 3,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||
 | SIR826LDP-T1-RE3 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir826 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR826LDP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 21,3a (TA), 86a (TC) | 10V | 5mohm @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 91 nc @ 10 v | ± 20 V | 3840 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 83W (TC) | ||||
 | SI7464DP-T1-GE3 | 1.8900 | | 8218 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7464 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 1,8a (ta) | 6 V, 10V | 240 MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | ||||||
| IRFR9014TRPBF-BE3 | 1.1100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||||
 | SQ4401EY-T1_GE3 | 2.9300 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 17.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 10.5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 115 NC @ 10 V | ± 20 V | 4250 PF @ 20 V | - - - | 7.14W (TC) | |||||
| SIR642DP-T1-GE3 | - - - | | 4415 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir642 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,4 MOHM @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 20 V | 4155 PF @ 20 V | - - - | 4,8W (TA), 41,7W (TC) | |||||
 | SI3407DV-T1-E3 | - - - | | 7620 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3407 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 7,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 12 V | 1670 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA), 4,2W (TC) | ||||
| SI4423DY-T1-GE3 | 1.2191 | | 5647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4423 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 10a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 7,5 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 900 MV @ 600 ähm | 175 NC @ 5 V | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| IRF610S | - - - | | 7301 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf610 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF610S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 3.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 36W (TC) | |||
| SI4654DY-T1-E3 | - - - | | 1503 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4654 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 28,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 16 v | 3770 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,9W (TC) | ||||
| SI3932DV-T1-GE3 | 0,5900 | | 5485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3932 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 3.7a | 58mohm @ 3.4a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 6nc @ 10v | 235PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHH11N65E-T1-GE3 | 2.1897 | | 9816 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Sihh11 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 363mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1257 PF @ 100 V | - - - | 130W (TC) | |||||
| SI4403CDY-T1-GE3 | 0,7900 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4403 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 13,4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 15,5 MOHM @ 9A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 90 nc @ 8 v | ± 8 v | 2380 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TC) | |||||
| SQJQ142E-T1_GE3 | 2.5200 | | 1641 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ142 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJQ142E-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 460a (TC) | 10V | 1,24 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 6975 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) | ||||
 | IRFP17N50L | - - - | | 3392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP17 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP17N50L | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 320mohm @ 9.9a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 2760 PF @ 25 V. | - - - | 220W (TC) | |||
 | SIA436DJ-T1-GE3 | 0,6300 | | 1430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA436 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 12a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 9,4mohm @ 15,7a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 25,2 NC @ 5 V. | ± 5 V | 1508 PF @ 4 V. | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SIHK105N60E-T1-GE3 | 5.6900 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHK105N60E-T1-GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 105mohm @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 30 v | 2301 PF @ 100 V | - - - | 142W (TC) | |||||
| SQ3427aeev-t1_be3 | 0,7800 | | 812 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3427 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 5.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 95mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1000 PF @ 30 V | - - - | 5W (TC) | ||||||
 | SIR186LDP-T1-RE3 | 1.0000 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR186LDP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 23,8a (TA), 80,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.4mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 1980 PF @ 30 V | - - - | 5W (TA), 57W (TC) | |||||
| 2N5114JTX02 | - - - | | 3462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5114 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | ||||||||||||||
| SQS423en-T1_BE3 | 0,9400 | | 9771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQS423 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | - - - | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1975 PF @ 15 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||||
 | Siz340at-T1-GE3 | 1.1100 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz340 | MOSFET (Metalloxid) | 3,7W (TA), 16,7W (TC), 4,2W (TA), 31W (TC) | 8-Power33 (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-Siz340at-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 15,7a (TA), 33,4a (TC), 25,4a (TA), 69,7a (TC) | 9,4 MOHM @ 10a, 10V, 4,29MOHM @ 20A, 10 V | 2,4 V @ 250 ähm | 12.2nc @ 10v, 27,9nc @ 10v | 580pf @ 15V, 1290pf @ 15V | - - - | ||||||
| SI3424BDV-T1-GE3 | 0,6200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3424 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 28mohm @ 7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 19,6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 735 PF @ 15 V | - - - | 2,1W (TA), 2,98W (TC) |
2000+
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Standardprodukteinheit
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