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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIE816DF-T1-GE3 | - - - |  | 8680 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie816 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 10V | 7.4mohm @ 19.8a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 3100 PF @ 30 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI6975DQ-T1-GE3 | - - - | | 9438 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6975 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4.3a | 27mohm @ 5.1a, 4,5 V. | 450 mV @ 5ma (min) | 30nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI4804CDY-T1-E3 | - - - | | 3564 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4804 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 23nc @ 10v | 865PF @ 15V | - - - | |||||||
 | SIHF9620S-GE3 | 1.0500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHF9620S-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 3,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||||
 | IRLD120 | - - - | | 5157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRLD120 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRLD120 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 1,3a (ta) | 4V, 5V | 270 MOHM @ 780 Ma, 5V | 2v @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 10 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | |||
 | IRLR014PBF | 1.0500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
| SQ4917CEY-T1_GE3 | 1.3100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4917 | MOSFET (Metalloxid) | 5W (TC) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 8a (TC) | 48mohm @ 4.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 65nc @ 10v | 1910pf @ 30v | - - - | ||||||||
| SI4447DY-T1-GE3 | 0,8300 | | 440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4447 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 3.3a (ta) | 15 V, 10V | 72mohm @ 4,5a, 15 V | 2,2 V @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 16 v | 805 PF @ 20 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||
 | SQJ433EP-T1_BE3 | 1.4100 | | 3015 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ433EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.1MOHM @ 16A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 108 NC @ 10 V | ± 20 V | 4877 PF @ 15 V | - - - | 83W (TC) | ||||||
 | SI3129DV-T1-GE3 | 0,6800 | | 9953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SI3129DV-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 80 v | 3,8a (TA), 5,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 82.7mohm @ 3.8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 805 PF @ 40 V | - - - | 2W (TA), 4,2W (TC) | |||||
 | IRF9620Strl | - - - | | 3041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 200 v | 3,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 40W (TC) | ||||
 | SIR188LDP-T1-RE3 | 1.5700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR188LDP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 25,8a (TA), 93,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,75 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2300 PF @ 30 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||||
 | SI1467DH-T1-GE3 | 0,6700 | | 9993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1467 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.7a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 90 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 13,5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 561 PF @ 10 V | - - - | 1,5 W (TA), 2,78 W (TC) | ||||
| IRF740ASTRLPBF | 3.0900 | | 9742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 30 v | 1030 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
 | SQS401EN-T1_GE3 | - - - | | 8912 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQS401 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1875 PF @ 20 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||
 | SIHP22N60S-E3 | - - - | | 1043 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | SIHP22 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHP22N60SE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 22a (TC) | 190mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | 2810 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||
 | SQD40P10-40L_GE3 | 2.7600 | | 2748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD40 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 38a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 40mohm @ 8.2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 144 NC @ 10 V | ± 20 V | 5540 PF @ 15 V | - - - | 136W (TC) | |||||
 | SI2343DS-T1 | - - - | | 6118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 53mohm @ 4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 540 PF @ 15 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | SI4058DY-T1-GE3 | 0,6200 | | 3764 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4058 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 10.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 26mohm @ 10a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 690 PF @ 50 V | - - - | 5.6W (TC) | ||||||
 | SIR640ADP-T1-GE3 | 1.9200 | | 6344 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir640 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 41,6a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2mohm @ 20a, 10V | 2v @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 4240 PF @ 20 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI8851EDB-T2-E1 | 0,6200 | | 7006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 30-xfbga | SI8851 | MOSFET (Metalloxid) | Power Micro Foot® (2,4x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7.7a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 8mohm @ 7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 180 nc @ 8 v | ± 8 v | 6900 PF @ 10 V. | - - - | 660 MW (TA) | ||||
| IRF9620Strr | - - - | | 3324 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 200 v | 3,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 40W (TC) | |||||
| SQ4435EY-T1_BE3 | 1.4400 | | 8199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4435 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQ4435EY-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 18Mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 20 V | 2170 PF @ 15 V | - - - | 6.8W (TC) | |||||
| Sihfbe30S-GE3 | 1.8400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFBE30S-GE3DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||
 | SiHU3N50D-GE3 | 0,3532 | | 7013 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Sihu3 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 3a (TC) | 10V | 3,2OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 175 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | |||||
| SI7113ADN-T1-GE3 | 0,6600 | | 4156 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7113 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 10.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 132mohm @ 3,8a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 16,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 515 PF @ 50 V | - - - | 27,8W (TC) | |||||
 | SI5948DU-T1-GE3 | 0,6800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet Dual | SI5948 | MOSFET (Metalloxid) | 7W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 6a (TC) | 82mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 2.6nc @ 4.5V | 165PF @ 20V | - - - | |||||||
| IRF710SPBF | 1.6000 | | 1793 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF710 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF710SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1,2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||
 | SI3473DV-T1-GE3 | - - - | | 2506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5.9a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 23mohm @ 7,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 33 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.1W (TA) | |||||
| SI3909DV-T1-GE3 | - - - | | 8836 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3909 | MOSFET (Metalloxid) | 1.15W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | - - - | 200mohm @ 1,8a, 4,5 V. | 500 MV @ 250 um (min) | 4nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor |
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