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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SISA24DN-T1-GE3 | 0,9600 |  | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa24 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,4mohm @ 15a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | +20V, -16v | 2650 PF @ 10 V | - - - | 52W (TC) | ||||
 | SUP40010el-GE3 | 2.9700 | | 117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP40010 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,8 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 230 NC @ 10 V. | ± 20 V | 11155 PF @ 30 V | - - - | 375W (TC) | ||||
 | SI8466EDB-T2-E1 | 0,5100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-Ufbga, WLCSP | SI8466 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 3.6a (TA) | 1,2 V, 4,5 V. | 43mohm @ 2a, 4,5 V. | 700 MV @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | 710 PF @ 4 V. | - - - | 780 MW (TA), 1,8W (TC) | |||
 | SI4829DY-T1-E3 | - - - | | 7105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4829 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 2a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 215mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 12 V | 210 PF @ 10 V | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||
 | SIHG018N60E-GE3 | 17.2100 | | 288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG018 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 99a (TC) | 10V | 23mohm @ 25a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 228 NC @ 10 V | ± 30 v | 7612 PF @ 100 V | - - - | 524W (TC) | ||||
 | SI1427EDH-T1-GE3 | 0,4300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1427 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 64mohm @ 3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 21 NC @ 8 V | ± 8 v | - - - | 1,56W (TA), 2,8 W (TC) | ||||
| SI4472DY-T1-E3 | - - - | | 1495 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4472 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 7.7a (TC) | 8 V, 10V | 45mohm @ 5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 1735 PF @ 50 V | - - - | 3.1W (TA), 5,9W (TC) | ||||
| SI4816DY-T1-GE3 | - - - | | 9991 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4816 | MOSFET (Metalloxid) | 1W, 1,25W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 5.3a, 7.7a | 22mohm @ 6.3a, 10V | 2v @ 250 ähm | 12nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | |||||
| SI4808DY-T1-E3 | - - - | | 6639 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4808 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 800 MV @ 250 um (min) | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI1902CDL-T1-GE3 | 0,4500 | | 1347 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET (Metalloxid) | 420 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 1.1a | 235mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 3nc @ 10v | 62PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||
 | SIRC16DP-T1-GE3 | 1.2600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIRC16 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,96 MOHM @ 15a, 10 V. | 2,4 V @ 250 ähm | 48 NC @ 4,5 V. | +20V, -16v | 5150 PF @ 10 V | - - - | 54.3W (TC) | ||||
| SI4505DY-T1-GE3 | - - - | | 7186 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4505 | MOSFET (Metalloxid) | 1.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30 V, 8 V. | 6a, 3,8a | 18mohm @ 7.8a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 20nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4544DY-T1-GE3 | - - - | | 1086 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4544 | MOSFET (Metalloxid) | 2.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 30V | - - - | 35mohm @ 6.5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 35nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||
| SI4835DDY-T1-E3 | 1.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4835 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 13a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 25 V | 1960 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,6W (TC) | ||||
| SI4684DY-T1-E3 | - - - | | 8102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4684 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9.4mohm @ 16a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 12 V | 2080 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 4,45 W (TC) | |||
 | SI5922DU-T1-GE3 | 0,5400 | | 4629 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet Dual | SI5922 | MOSFET (Metalloxid) | 10.4W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6a (TC) | 19,2mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 7.1nc @ 4.5v | 765PF @ 15V | - - - | ||||||
 | SIR188DP-T1-RE3 | 1,5000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir188 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 25,5a (TA), 60A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 3,85 MOHM @ 10a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1920 PF @ 30 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||
 | SUM110N06-3M4L-E3 | - - - | | 9202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3.4mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 300 NC @ 10 V. | ± 20 V | 12900 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 375W (TC) | |||
| SI7366DP-T1-E3 | - - - | | 4870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7366 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 25 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.7W (TA) | ||||
 | SI7413DN-T1-E3 | - - - | | 1497 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7413 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8.4a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 15mohm @ 13.2a, 4,5 V. | 1V @ 400 ähm | 51 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | ||||
| SUM110N04-05H-E3 | - - - | | 6719 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 110a (TC) | 10V | 5.3mohm @ 30a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 6700 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 150W (TC) | |||
 | SIHD6N80AE-GE3 | 1.3200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd6 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 800 V | 5a (TC) | 10V | 950Mohm @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 22,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 422 PF @ 100 V | - - - | 62,5W (TC) | ||||
 | SI5449DC-T1-E3 | - - - | | 9765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5449 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.1a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 85mohm @ 3,1a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 11 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,3W (TA) | ||||
 | SQM120N04-1M7L_GE3 | 3.4300 | | 3976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 285 NC @ 10 V | ± 20 V | 14606 PF @ 20 V | - - - | 375W (TC) | ||||
| SQM40061EL_GE3 | 1.8400 | | 5993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM40061 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 280 nc @ 10 v | ± 20 V | 14500 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
 | SI7945DP-T1-E3 | - - - | | 6605 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7945 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 7a | 20mohm @ 10.9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 74nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||
 | Siz702DT-T1-GE3 | - - - | | 1905 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Siz702 | MOSFET (Metalloxid) | 27W, 30W | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 16a | 12mohm @ 13.8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21nc @ 10v | 790PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHA2N80E-GE3 | 1.6500 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha2 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 2.8a (TC) | 10V | 2,75OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19,6 NC @ 10 V. | ± 30 v | 315 PF @ 100 V | - - - | 29W (TC) | ||||
 | IRF634StrRPBF | 2.1700 | | 2403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF634 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450MOHM @ 5.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 770 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | SQJ963EP-T1_GE3 | 1.8600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ963 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 8a (TC) | 85mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 40nc @ 10v | 1140PF @ 30V | - - - |
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